反射构件及玻璃层合构件的制造方法

    公开(公告)号:CN114364641B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202080061487.8

    申请日:2020-08-17

    Abstract: 本发明是提供一种反射构件,及适合作为该反射构件的玻璃层合构件的制造方法,该反射构件在使用时无粉尘发生,破坏强度大,且一边维持高反射率,一边即使在制作时及使用时的高温环境也可防止破损。具有在不透明二氧化硅质烧结粉体层的上表面及下表面形成透明石英玻璃构件而成的层合构造的反射构件,所述不透明二氧化硅质烧结粉体层的厚度为0.1mm以上,膜厚的分布为±0.05mm以下,在所述层合构造的上表面及下表面的透明石英玻璃构件,以与层合构造平行的方向负上荷重时,破坏的荷重每1cm2为5N以上,所述层合构造在不透明二氧化硅质烧结粉体层与透明石英玻璃构件的边界,成为两者中间的不透明度的半透明度部分的宽度为0.01mm以下。

    石英玻璃夹具的制造方法及石英玻璃夹具

    公开(公告)号:CN117529457A

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202280042598.3

    申请日:2022-06-23

    Abstract: 本发明的目的在于提供石英玻璃夹具的制造方法及石英玻璃夹具,在不存在微裂纹的通过药液处理的凹凸形成中,即使为大型的石英玻璃夹具,斑纹在表面的凹凸加工面也不显眼,具备优良的均匀性的凹凸处理面。一种石英玻璃夹具的制造方法,是通过药液处理在表面形成凹凸而成的石英玻璃夹具的制造方法,包含:附着物去除工序,去除平滑的石英玻璃表面的附着物;及加工面形成药液处理工序,通过由所述药液处理的凹凸形成,在去除所述附着物后的所述石英玻璃表面,形成凹凸加工面,测定10个部位的所述凹凸加工面的表面粗糙度Ra时的标准偏差为1.00μm以下。

    反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置

    公开(公告)号:CN113145578B

    公开(公告)日:2023-09-26

    申请号:CN202110084725.3

    申请日:2021-01-21

    Abstract: 本发明涉及反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。用含氟化合物的药液清洗也能抑制氟化合物残留在反应管内周面。该技术具有:将具有对反应管进行退火第1退火工序、用含第1浓度的氟化合物的液体对第1退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第1清洗工序及用纯水冲洗第1清洗工序中使用的氟化合物进行的第1漂洗工序且将第1漂洗工序进行1次以上的循环作为1个循环并将其进行1次或多次;对反应管进行退火的第2退火工序;用含比第1浓度高的第2浓度的氟化合物的液体对第2退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第2清洗工序;用纯水冲洗第2清洗工序中使用的氟化合物的第2漂洗工序,第2漂洗工序进行2次以上。

    暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及多重外周刃刀片

    公开(公告)号:CN109314056B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN201780036879.7

    申请日:2017-06-08

    Abstract: 本发明提供一种暴露面积增大石英玻璃构件及其制造方法以及该方法中使用的多重外周刃刀片,该暴露面积增大石英玻璃构件与表面平坦的石英玻璃构件相比相对于成膜处理气体的暴露面积增大,并且增大暴露面积被控制为向表面的吸附量恒定。该暴露面积增大石英玻璃构件为在半导体基板的成膜处理中与被成膜处理的所述半导体基板一起载置于反应室内并暴露于成膜处理气体的成膜处理气体暴露用的石英玻璃构件,具有石英玻璃构件主体、在所述石英玻璃构件主体的表面形成的多个凹凸部,该暴露面积增大石英玻璃构件的相对于成膜处理气体的暴露面积被控制而增大。

    CZ用坩埚
    5.
    发明公开
    CZ用坩埚 审中-实审

    公开(公告)号:CN116194413A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202180059406.5

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明是一种CZ用坩埚,用于通过CZ法培育单晶硅锭,所述CZ用坩埚包含:有底筒状的石墨坩埚、以及配置于该石墨坩埚的内部的有底筒状的石英玻璃坩埚,在所述CZ用坩埚的中心轴上的所述石墨坩埚的底部的内表面与所述石英玻璃坩埚的底部的外表面之间具有间隙,所述间隙使得所述石墨坩埚的底部的内表面与所述石英玻璃坩埚的底部的外表面成为非接触。由此,提供一种CZ用坩埚,当将用于通过CZ法培育单晶硅锭的有底筒状的石英玻璃坩埚配置于有底筒状的石墨坩埚的内部时,石英玻璃坩埚能够稳定地自立。

    石英玻璃坩埚
    6.
    发明公开
    石英玻璃坩埚 审中-实审

    公开(公告)号:CN116134184A

    公开(公告)日:2023-05-16

    申请号:CN202180059345.2

    申请日:2021-07-02

    Abstract: 本发明是一种石英玻璃坩埚,用于通过CZ法培育单晶硅锭,所述石英玻璃坩埚是有底筒状,并具有:圆筒状的直筒部;第一弯曲部,连续于该直筒部的下端且具有第一曲率R1;第二弯曲部,连续于该第一弯曲部且具有第二曲率R2;以及底部,连续于该第二弯曲部,所述第一曲率R1与所述第二曲率R2具有R1

    多层二氧化硅玻璃体的制造方法

    公开(公告)号:CN112867698B

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN201980068085.8

    申请日:2019-09-03

    Abstract: 本发明是一种多层二氧化硅玻璃体的制造方法,所述方法涉及制造在由硅质材料制成的硅质衬底的表面上提供透明二氧化硅玻璃层的多层二氧化硅玻璃体,其中所述多层二氧化硅玻璃体的制造方法包括制备所述硅质衬底的步骤;制备二氧化硅粒子分散在液体中的二氧化硅浆料的步骤;将所述二氧化硅浆料施用于所述硅质衬底的表面上的步骤;通过对所述硅质衬底施加振动而使施用于所述硅质衬底的表面上的所述二氧化硅浆料流平的步骤;将所述流平的二氧化硅浆料干燥的步骤;以及通过加热使所述干燥的二氧化硅浆料玻璃化,以形成透明二氧化硅玻璃层的步骤。由此,以优良的成品率获得厚度均匀的透明二氧化硅玻璃层,并提供了一种在短时间内容易地制造多层二氧化硅玻璃体的方法。

    紫外线SMD型LED元件的气密密封用石英玻璃构件及紫外线LED用石英玻璃构件的制造方法

    公开(公告)号:CN109314165B

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN201780032414.4

    申请日:2017-05-19

    Abstract: 本发明提供适宜用于安装有放射波长范围为200nm以上且350nm以下的紫外线的紫外线LED的表面安装型封装体(SMD)的气密密封及透射窗材料的紫外线SMD型LED元件的气密密封用石英玻璃构件。本发明的气密密封用石英玻璃构件以内部无边界且以均质一体化形成的石英玻璃基体所构成,所述石英玻璃基体具有与SMD型LED元件相对的内侧的第一面和与所述第一面对应的外侧的第二面,在所述第一面的外周部上形成用于与所述容器外周接合平面进行接合的基体接合平面,且在对应于所述第一面的外侧的第二面上形成将来自所述紫外线SMD型LED元件的放射光进行加工的透镜状凸部。

    多孔石英玻璃母材的制造方法

    公开(公告)号:CN108358437B

    公开(公告)日:2021-10-08

    申请号:CN201810047374.7

    申请日:2018-01-17

    Inventor: 角儿太郎

    Abstract: 本发明提供能够容易且廉价地确保在VAD法中可耐受大重量的机械强度的种棒、以及使用该种棒的多孔石英玻璃母材的制造方法以及石英玻璃锭的制造方法。一种使玻璃微粒堆积于旋转的种棒而制造多孔石英玻璃母材的方法,上述种棒是通过对堆积上述玻璃微粒的堆积部的至少顶端部表面进行粗面化处理而成的。理想的是,上述种棒是具有顶端为半球形状的半球部的圆柱状种棒,且是通过对至少上述半球部的表面进行粗面化处理而成的。

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