公开(公告)号：CN113145578B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202110084725.3

申请日：2021-01-21

Applicant: 信越石英株式会社 ,  株式会社国际电气

Inventor： 森田慎也 ,  中田彻 ,  木村博至 ,  濑川彻

IPC: B08B9/032 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。用含氟化合物的药液清洗也能抑制氟化合物残留在反应管内周面。该技术具有：将具有对反应管进行退火第1退火工序、用含第1浓度的氟化合物的液体对第1退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第1清洗工序及用纯水冲洗第1清洗工序中使用的氟化合物进行的第1漂洗工序且将第1漂洗工序进行1次以上的循环作为1个循环并将其进行1次或多次；对反应管进行退火的第2退火工序；用含比第1浓度高的第2浓度的氟化合物的液体对第2退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第2清洗工序；用纯水冲洗第2清洗工序中使用的氟化合物的第2漂洗工序，第2漂洗工序进行2次以上。

公开(公告)号：CN113145578A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110084725.3

申请日：2021-01-21

Applicant: 信越石英株式会社 ,  株式会社国际电气

Inventor： 森田慎也 ,  中田彻 ,  木村博至 ,  濑川彻

IPC: B08B9/032 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及反应管的清洗方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置。用含氟化合物的药液清洗也能抑制氟化合物残留在反应管内周面。该技术具有：将具有对反应管进行退火第1退火工序、用含第1浓度的氟化合物的液体对第1退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第1清洗工序及用纯水冲洗第1清洗工序中使用的氟化合物进行的第1漂洗工序且将第1漂洗工序进行1次以上的循环作为1个循环并将其进行1次或多次；对反应管进行退火的第2退火工序；用含比第1浓度高的第2浓度的氟化合物的液体对第2退火工序后的反应管的内周面进行清洗的第2清洗工序；用纯水冲洗第2清洗工序中使用的氟化合物的第2漂洗工序，第2漂洗工序进行2次以上。