光学应用薄膜,使用此薄膜的发光结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN1260587C

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:CN03802967.7

    申请日:2003-01-29

    IPC分类号: G02B6/10

    摘要: 本发明涉及光学应用薄膜,使用此薄膜的发光结构及其制造方法。本发明提供一种光学应用二氧化硅或二氧化硅基薄膜,其中共掺有硅纳米团簇和稀土元素。硅纳米团簇的平均尺寸小于3nm,稀土元素的浓度小于0.1原子数%。在薄膜中,稀土元素与硅纳米团簇的浓度比控制在1到10的范围内。薄膜通过利用硅纳米团簇中电子-空穴重新组合激发稀土元素而发光。根据本发明,对诸如硅纳米团簇的尺寸和浓度、稀土元素的浓度以及它们的浓度比等条件进行特别的优化,以制造性能更好的光学装置。

    光学应用薄膜,使用此薄膜的发光结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN1625706A

    公开(公告)日:2005-06-08

    申请号:CN03802967.7

    申请日:2003-01-29

    IPC分类号: G02B6/10

    摘要: 本发明涉及光学应用薄膜,使用此薄膜的发光结构及其制造方法。本发明提供一种光学应用二氧化硅或二氧化硅基薄膜,其中共掺有硅纳米团簇和稀土元素。硅纳米团簇的平均尺寸小于3nm,稀土元素的浓度小于0.1原子数%。在薄膜中,稀土元素与硅纳米团簇的浓度比控制在1到10的范围内。薄膜通过利用硅纳米团簇中电子—空穴重新组合激发稀土元素而发光。根据本发明,对诸如硅纳米团簇的尺寸和浓度、稀土元素的浓度以及它们的浓度比等条件进行特别的优化,以制造性能更好的光学装置。

    顶泵浦波导放大器
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1276278C

    公开(公告)日:2006-09-20

    申请号:CN03802966.9

    申请日:2003-01-29

    IPC分类号: G02B6/10

    摘要: 本发明涉及一种波导放大器,其包括共掺硅纳米团簇和稀土元素的二氧化硅或二氧化硅相关的材料,更具体地,涉及一种较高效率的波导放大器,其通过顶泵浦方法和泵浦光的聚焦装置而提高的。本发明的波导放大器包括:(a)基体;(b)光波导,所述光波导包括:形成在基体上的下覆层;形成在下覆层上的中心层,所述中心层由共掺硅纳米团簇和稀土元素的二氧化硅或二氧化硅相关的材料制成,并具有比下覆层高的折射率;以及形成在中心层上的上覆层;以及(c)光源,所述光源离开波导,用于光泵浦波导,其特征在于波导放大器是通过利用硅纳米团簇中的电子-空穴组合激发稀土元素而工作的。

    顶泵浦光学设备
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1639598A

    公开(公告)日:2005-07-13

    申请号:CN03805729.8

    申请日:2003-03-11

    发明人: 慎重勋 朴南奎

    IPC分类号: G02B6/10

    摘要: 本发明公开了一种提高了泵浦效率的光学设备,其中来自泵浦光源的光被有效地吸收在位于泵浦光下面的增益介质结构中。本发明的光学设备的主要特征在于:该设备为顶泵浦,以及增益介质结构中的包括在光源束斑中的部分具有比增益介质结构中的其他部分更大的面积。根据本发明,可以提供一种具有更高泵浦效率的顶泵浦光学设备。

    顶泵浦波导放大器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1625705A

    公开(公告)日:2005-06-08

    申请号:CN03802966.9

    申请日:2003-01-29

    IPC分类号: G02B6/10

    摘要: 本发明涉及一种波导放大器,其包括共掺硅纳米团蔟和稀土元素的二氧化硅或二氧化硅相关的材料,更具体地,涉及一种较高效率的波导放大器,其通过顶泵浦方法和泵浦光的聚焦装置而提高的。本发明的波导放大器包括:(a)基体;(b)光波导,所述光波导包括:形成在基体上的下覆层;形成在下覆层上的中心层,所述中心层由共掺硅纳米团蔟和稀土元素的二氧化硅或二氧化硅相关的材料制成,并具有比下覆层高的折射率;以及形成在中心层上的上覆层;以及(c)光源,所述光源离开波导,用于光泵浦波导,其特征在于波导放大器是通过利用硅纳米团蔟中的电子—空穴组合激发稀土元素而工作的。