公开(公告)号：CN116960738A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310462090.5

申请日：2023-04-26

申请人： 全新光电科技股份有限公司

发明人： 戴文长 ,  金宇中 ,  黄朝兴 ,  潘建宏 ,  吴俊煌

IPC分类号： H01S5/185

摘要： 一种半导体激光磊晶结构，包含水平共振腔、光栅层、第一光放大区与第一穿隧接面层。水平共振腔用于产生光场分布；光栅层是位于光场分布之中，以将水平方向激光改变成垂直方向激光；第一光放大区设置于半导体激光磊晶结构的出光面与水平共振腔之间；第一穿隧接面层设置于水平共振腔跟第一光放大区之间。半导体激光磊晶结构在制造时没有对位偏差问题，不但能增加良率，也降低制作的成本及制作复杂度。

公开(公告)号：CN115882339A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211201956.9

申请日：2022-09-29

申请人： 全新光电科技股份有限公司

发明人： 潘建宏 ,  金宇中

IPC分类号： H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/125 ,  H01S5/18

摘要： 一种包含多主动层与光栅层的半导体激光二极体，包含两(或两以上)主动层、光栅层与穿隧接面层；光栅层与穿隧接面层设置于两主动层之间，穿隧接面层电性连接两主动层，两主动层共用并光耦合于光栅层，由此增进半导体激光二极体的外部量子效率、斜效率。