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公开(公告)号：CN112072467B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202010527491.0
申请日：2020-06-11
申请人： 全新光电科技股份有限公司
摘要： 一种半导体雷射二极管，为解决现有技术中所运用材料虽能降低应力但选择材料较有限且载子局限能力不佳，因此在雷射组件中提供含磷的半导体层，一方面能更有效的降低雷射组件的主动区或雷射组件的应力总和，另一方面提高主动区对载子的局限能力，其中含磷的半导体层在适当条件下能有效降低应力总和或显著增进载子局限性，在一些情形下并兼具以上两种效果；含磷的半导体层适用于具有一或多主动层的主动区、为量子井结构或量子点结构的主动层，尤其在具有多主动层的主动区内设置含磷的半导体层后，高温特性获得显著的改善或增进。
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公开(公告)号：CN112117639B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202010567798.3
申请日：2020-06-19
申请人： 全新光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 本发明涉及一种具有多个电流局限层的垂直共振腔表面放射激光二极管(VCSEL)，即具有多个电流局限层的VCSEL，两主动层之间一般需设置穿隧接面层而让电流从一主动层流入另一主动层，但穿隧接面层会导致电流在一主动层的发散情形变得严重，导致另一主动层中的电流难以局限于所需区域，因此在两主动层之间提供具有载子与光局限功能的电流局限层，以使在电流局限层之上及/或之下的主动层的载子或光的局限效果能获得增进，有助于提高VCSEL的光电特性，与现有的VCSEL相比，具有多个电流局限层的VCSEL能明显提升VCSEL的光功率、斜效率与功率转换效率。
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公开(公告)号：CN112636171B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011007258.6
申请日：2020-09-23
申请人： 全新光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/183
摘要： 一种高功率垂直共振腔表面放射激光二极管，包含第一外延区、主动区与第二外延区；第一外延区与第二外延区的其中之一为N型外延区，而第一外延区与第二外延区的另一则包含PN转换结构；PN转换结构包含P型外延层、穿隧接面层与N型外延层；其中穿隧接面层位于P型外延层与N型外延层之间，且PN转换结构的P型外延层最接近于主动区。
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公开(公告)号：CN112615255A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011048141.2
申请日：2020-09-29
申请人： 全新光电科技股份有限公司
摘要： 一种具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)，在VCSEL中设置高掺杂浓度的穿隧接面层，其中通过使穿隧接面层的N型穿隧接面层相对于基板具有应力以及掺杂至少一元素，而使穿隧接面层不仅具有高掺杂浓度，且在后续的氧化处理时，外延层不但能被氧化且氧化速率较稳定；或者，N型穿隧接面层掺杂至少两种元素。借此，VCSEL不但能稳定进行氧化制程，且高掺杂浓度的穿隧接面层的电阻小，适合设置在VCSEL的两主动层之间或P型半导体层与N型半导体层之间；N型穿隧接面层也适合作为欧姆接触层。
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公开(公告)号：CN113130638B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110031563.7
申请日：2021-01-11
申请人： 全新光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/08 , H01L29/205
摘要： 本发明提供了一种高坚固性的异质结双极型晶体管，包括集电极层；集电极层包括InGaP层或宽能隙层，其中InGaP层的能隙大于1.86eV。
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公开(公告)号：CN117637811A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311115132.4
申请日：2023-08-31
申请人： 全新光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/737
摘要： 提供一种异质接面双极性电晶体结构，包含基板与形成于基板上的多层结构，多层结构中包含电流箝制层，电流箝制层可以设置于集极层之中、次集极层之中或插设于次集极层与集极层之间，此电流箝制层的电子亲和力是小于在此电流箝制层之上的一磊晶层的电子亲和力。
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公开(公告)号：CN116960738A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310462090.5
申请日：2023-04-26
申请人： 全新光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01S5/185
摘要： 一种半导体激光磊晶结构，包含水平共振腔、光栅层、第一光放大区与第一穿隧接面层。水平共振腔用于产生光场分布；光栅层是位于光场分布之中，以将水平方向激光改变成垂直方向激光；第一光放大区设置于半导体激光磊晶结构的出光面与水平共振腔之间；第一穿隧接面层设置于水平共振腔跟第一光放大区之间。半导体激光磊晶结构在制造时没有对位偏差问题，不但能增加良率，也降低制作的成本及制作复杂度。
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公开(公告)号：CN111341842B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN201911293346.4
申请日：2019-12-16
申请人： 全新光电科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/737 , H01L29/205
摘要： 提供一种具坚固性的异质结双极性晶体管结构，包含基板与形成于基板上的多层结构，在多层结构中的射极层与欧姆接触层之间形成第一射极盖层与第二射极盖层或仅形成射极盖层；在设置有第一射极盖层与第二射极盖层的情形中，射极层之上形成第一射极盖层与第二射极盖层，借由使第一射极盖层或第二射极盖层的能隙发生变化，而提升HBT的坚固性；而在设置有一射极盖层的情形时，射极盖层是介于射极层与欧姆接触层之间，借由使至少一部分的射极盖层的电子亲和力小于或等于射极层的电子亲和力，而提升HBT的坚固性。
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公开(公告)号：CN112461507B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202010934171.7
申请日：2020-09-08
申请人： 全新光电科技股份有限公司
摘要： 一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的测量方法及VCSEL磊芯片测试治具，尤其是可以测量背面出光型VCSEL的反射频谱中的法布里‑珀罗标准具(Fabry–Perot Etalon)。通过测量设备测量VCSEL磊芯片，其中使测量设备的测试光源向该VCSEL磊芯片的基板表面入射，而测量得到VCSEL反射频谱中的法布里‑珀罗标准具。通过VCSEL磊芯片测试治具而使背面出光型的VCSEL能直接被现有测量设备测量，如此不须变更测量设备的光学设计，且能避免VCSEL磊芯片被刮伤或污染。
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