一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114564906A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210173729.3

    申请日:2022-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统,方法包括:采用等效电路建模方法构建SiC MOSFET器件的动静态模型原理图;根据测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取;根据测试数据中电容‑漏源电压特性,对电容参数进行拟合提取;根据测试数据中体二极管特性,对体二极管参数进行拟合提取;对进行参数拟合提取后的动静态模型进行仿真测试,并根据仿真测试结果,判断当前模型拟合度是否符合要求,若不符合要求,则返回“根据器件测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取”的步骤,直至仿真测试结果符合要求为止,从而针对SiC MOSFET特性构建较为准确的仿真模型,来描述器件物理特性,指导高压SiC MOSFET在工程中的应用。

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