一种取向硅钢叠片损耗计算方法及系统

    公开(公告)号:CN108491568A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810118805.4

    申请日:2018-02-06

    IPC分类号: G06F17/50

    摘要: 本发明提供了一种取向硅钢叠片损耗计算方法及系统,该取向硅钢叠片损耗计算方法包括:获取待测磁化工况信息、取向硅钢叠片的总有效质量m和取向硅钢叠片的单片厚度d、温度T及密度ρ;获取磁化工况中波形为正弦时取向硅钢叠片的比总损耗测试数据,并根据比总损耗测试数据确定磁滞损耗计算系数;根据计算系数及待测磁化工况信息,计算取向硅钢叠片的磁滞损耗;根据待测磁化工况信息、单片厚度d、温度T及密度ρ,计算取向硅钢叠片的涡流损耗;根据总有效质量m、磁滞损耗及涡流损耗计算取向硅钢叠片的总损耗。通过实施本发明,提高了计算结果的准确度,从而为取向硅钢叠片的科学研究及实际应用提供准确的数据基础。

    一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法

    公开(公告)号:CN108226826B

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201711310589.5

    申请日:2017-12-11

    IPC分类号: G01R33/12 G01R33/02

    摘要: 本发明提供了一种单片磁导计、单片试样测量装置及测量方法,该单片磁导计包括:U型双磁轭、框架、初级绕组、H线圈对、次级绕组,其中,框架位于U型双磁轭之间;初级绕组分布于框架上;待测试样设置于框架中,H线圈对位于待测试样下方;次级绕组位于初级绕组内部,次级绕组包括分别绕制的三个子绕组:左侧绕组、中间绕组、右侧绕组,左侧绕组、中间绕组和右侧绕组分别设有输入端口和输出端口,通过接入不同子绕组的输入端口及输出端口,选择接入左侧绕组、中间绕组、右侧绕组中的一个或多个。通过实施本发明,提高了待测试样磁场强度测量的准确性;可以测量待测试样不同区域的磁性能参数,提高了适应性,操作简单方便。

    一种取向硅钢叠片损耗计算方法及系统

    公开(公告)号:CN108491568B

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN201810118805.4

    申请日:2018-02-06

    IPC分类号: G06F30/20

    摘要: 本发明提供了一种取向硅钢叠片损耗计算方法及系统,该取向硅钢叠片损耗计算方法包括:获取待测磁化工况信息、取向硅钢叠片的总有效质量m和取向硅钢叠片的单片厚度d、温度T及密度ρ;获取磁化工况中波形为正弦时取向硅钢叠片的比总损耗测试数据,并根据比总损耗测试数据确定磁滞损耗计算系数;根据计算系数及待测磁化工况信息,计算取向硅钢叠片的磁滞损耗;根据待测磁化工况信息、单片厚度d、温度T及密度ρ,计算取向硅钢叠片的涡流损耗;根据总有效质量m、磁滞损耗及涡流损耗计算取向硅钢叠片的总损耗。通过实施本发明,提高了计算结果的准确度,从而为取向硅钢叠片的科学研究及实际应用提供准确的数据基础。

    一种超薄硅钢带材及其制备方法

    公开(公告)号:CN110241297A

    公开(公告)日:2019-09-17

    申请号:CN201910477242.2

    申请日:2019-06-03

    摘要: 本发明提供一种超薄硅钢带材及其制备方法,制备方法包括:冷轧:将无底层的取向硅钢带材在200-350℃的温度下冷轧得到冷轧带材;退火:将所述冷轧带材进行升温、保温和降温处理,得到所述超薄硅钢带材,其中,升温过程中的升温速率为300-450℃/h。通过轧制温度和升温速率相互配合,带温轧制可提前释放部分形变储存能,防止带材在轧制过程中开裂,减少后续退火步骤中单位面积内的形核点,增大晶粒尺寸,降低带材磁滞损耗,同时也可提高后续退火升温速度,减少退火时间,缩短制备工艺,最终获得强的Goss织构以及晶粒尺寸合适、均匀的微观组织,提高超薄取向硅钢的磁性能,使制得的超薄硅钢带材磁感应强度B800≥1.90T,同时铁芯损耗P1.5/400Hz低至8W/kg。