一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114564906A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210173729.3

    申请日:2022-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种SiC MOSFET仿真建模方法及系统,方法包括:采用等效电路建模方法构建SiC MOSFET器件的动静态模型原理图;根据测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取;根据测试数据中电容‑漏源电压特性,对电容参数进行拟合提取;根据测试数据中体二极管特性,对体二极管参数进行拟合提取;对进行参数拟合提取后的动静态模型进行仿真测试,并根据仿真测试结果,判断当前模型拟合度是否符合要求,若不符合要求,则返回“根据器件测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取”的步骤,直至仿真测试结果符合要求为止,从而针对SiC MOSFET特性构建较为准确的仿真模型,来描述器件物理特性,指导高压SiC MOSFET在工程中的应用。

    一种有源钳位保护电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114069562A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111368143.4

    申请日:2021-11-18

    Abstract: 本发明提供的一种有源钳位保护电路,包括:待保护器件、钳位电路及下拉电路,其中,待保护器件的漏极与钳位电路的一端连接,待保护器件的栅极分别与外部控制电路及下拉电路的第一端连接,待保护器件的源极与下拉电路的第二端连接后接地,下拉电路的控制端与钳位电路的另一端连接;通过设置钳位电路及下拉电路,在待保护器件漏源极两端电压超过预设阈值时,触发钳位电路导通,吸收漏源极间峰值电压,并控制下拉电路导通,下拉电路将待保护器件的栅极电压拉低,强行关断待保护器件。既降低了待保护器件两端电压尖峰,又可以避免由于有源钳位动作导致待保护器件二次导通。

    一种应用于CLLC直流变压器参数设计方法及系统

    公开(公告)号:CN114531039B

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202210172906.6

    申请日:2022-02-24

    Abstract: 本发明提供的一种应用于CLLC直流变压器参数设计方法及系统,该方法包括:获取CLLC直流变压器各参数设计偏离值;基于各参数设计偏离值,获取多组参数设计初始值;根据多组参数设计初始值及预设函数表达式,计算得到CLLC直流变压器的初始电感比;基于初始电感比,确定电感比选取区间;基于电感比选取区间,选取多个电感比,将多个电感比分别带入预设函数表达式中,得到多个电感比各自对应的品质因数;基于CLLC直流变压器电压增益的变化趋势,选取电感比及品质因数。将元器件偏差作为考虑因素,得到品质因数与电感比值的约束条件,使得当谐振电感和谐振电容偏离设计值时,输出的电压仍在满足设计要求的范围之内。

    一种应用于CLLC直流变压器参数设计方法及系统

    公开(公告)号:CN114531039A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202210172906.6

    申请日:2022-02-24

    Abstract: 本发明提供的一种应用于CLLC直流变压器参数设计方法及系统,该方法包括:获取CLLC直流变压器各参数设计偏离值;基于各参数设计偏离值,获取多组参数设计初始值;根据多组参数设计初始值及预设函数表达式,计算得到CLLC直流变压器的初始电感比;基于初始电感比,确定电感比选取区间;基于电感比选取区间,选取多个电感比,将多个电感比分别带入预设函数表达式中,得到多个电感比各自对应的品质因数;基于CLLC直流变压器电压增益的变化趋势,选取电感比及品质因数。将元器件偏差作为考虑因素,得到品质因数与电感比值的约束条件,使得当谐振电感和谐振电容偏离设计值时,输出的电压仍在满足设计要求的范围之内。

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