公开(公告)号：CN117766406A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202410013632.5

申请日：2024-01-04

申请人： 兰州城市学院

发明人： 赵磊 ,  梁洁园 ,  赵梅 ,  龚成师 ,  蒋锴 ,  张正荣

IPC分类号： H01L21/365 ,  C01G41/00 ,  H01L29/786 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明公开一种碳粉辅助制备双层WS2纳米材料的方法，通过在原料中加入C粉，对生长温度和生长时间进行控制，可以使得W6+转变为价态较低的WO3‑x，达到精确控制双层WS2材料的制备过程的目的，为制备出具有优异电学性能双层WS2器件提供了新思路。对生长温度和生长时间的控制，精确控制双层WS2材料的制备，从而制备可具有优异电学性能双层WS2器件。该双层WS2纳米材料底层为单层WS2层，底层上堆叠单层WS2层，每层的厚度约为0.7‑0.9 nm，上层单层WS2层覆盖率可达100%，所制备的双层WS2材料具有极高的质量，对于研究纳米级电子器件和光电子学器件具有重要的意义。