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公开(公告)号：CN117766406A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410013632.5
申请日：2024-01-04
申请人： 兰州城市学院
IPC分类号： H01L21/365 , C01G41/00 , H01L29/786 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开一种碳粉辅助制备双层WS2纳米材料的方法，通过在原料中加入C粉，对生长温度和生长时间进行控制，可以使得W6+转变为价态较低的WO3‑x，达到精确控制双层WS2材料的制备过程的目的，为制备出具有优异电学性能双层WS2器件提供了新思路。对生长温度和生长时间的控制，精确控制双层WS2材料的制备，从而制备可具有优异电学性能双层WS2器件。该双层WS2纳米材料底层为单层WS2层，底层上堆叠单层WS2层，每层的厚度约为0.7‑0.9 nm，上层单层WS2层覆盖率可达100%，所制备的双层WS2材料具有极高的质量，对于研究纳米级电子器件和光电子学器件具有重要的意义。
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公开(公告)号：CN115081041A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210720929.6
申请日：2022-06-24
申请人： 兰州城市学院
IPC分类号： G06F30/10 , G06F30/28 , B29C70/48 , G06F113/26
摘要： 本发明公开一种基于数字孪生技术的薄壁件树脂传递模塑过程控制方法，包括建立纤维增强复合材料零件的数字孪生模型；获取模腔内压力分布数据，将其导入数字孪生模型构建仿真模塑环境，显示流动前沿位置；由压力数据结合渗透率、纤维材料的总孔隙度和树脂粘度计算流动前沿树脂流速；由实验归纳出的经验公式可得出使制品空隙率最低的树脂最优流速，通过流动前沿树脂流速与最优流速对比，判断是否充分浸渍；若不充分浸渍则进行工艺过程动态控制。本发明具有对树脂传递模塑过程进行实时监测和控制的效果，可以对实际工艺过程进行优化，减少空隙缺陷，降低复合材料零件的制造成本。
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公开(公告)号：CN118497886A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410603076.7
申请日：2024-05-15
申请人： 兰州城市学院
摘要： 本发明公开了一种基于溶液涂覆和化学气相沉积制备二维材料的方法，涉及半导体材料制备技术领域，采用具有粘性的低熔点高分子有机聚合物作为胶粘剂，将其与二维材料中所需的金属源无机盐一起加入至去离子水中，经搅拌、混合后配成溶液，将溶液涂覆在亲水性较差的衬底表面后，将其放入管式炉正中央，采用化学气相沉积法制备二维材料。本发明较传统二维材料衬底处理方法，有效提高了金属源无机物溶液在亲水性差衬底上的涂覆质量，可极大增加涂覆的均匀性，低熔点高分子有机聚合物在化学反应生长阶段蒸发后排除制备系统，不会带来污染；本发明简化了二维材料制备流程，有利于工业化生产，提高了制备效率。
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公开(公告)号：CN118181132A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410529704.1
申请日：2024-04-29
申请人： 兰州城市学院
摘要： 本发明涉及一种二维材料制备用Si/SiO2衬底亲水性处理系统及方法，该系统下部是有旋转系统带动旋转台进行转动，旋转台上固定有研磨织物，上部由螺纹式上下移动机构、吸附盘和抽气系统组成；该方法是将Si/SiO2衬底通过抽气系统吸附在吸附盘上，在研磨织物上滴入研磨剂，通过螺纹杆下降吸附盘轻微接触研磨织物，开启转动系统电机带动旋转台旋转对Si/SiO2衬底表面进行研磨提高其亲水性。本发明在二维半导体材料工业化生产和规模化制备方面具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN118600396A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410661474.4
申请日：2024-05-27
申请人： 兰州城市学院
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/452 , C23C16/44 , C23C16/30 , B01D46/62
摘要： 本发明公开了一种射频等离子体增强化学气相沉积装置及方法，涉及二维半导体材料制备技术领域，包括CVD炉，CVD炉上贯穿设有石英管，石英管内部含有前驱体，石英管内部放置有生长衬底，还包括：供气系统、等离子激发系统、排气系统、抽气系统和废气收集系统。本发明可减少反应物前驱体的消耗量，极大增加反应物前驱体的反应活性，通过调节压强可防止二维材料制备过程等离子体对表面的刻蚀作用，三级过滤设备可有效减少污染物排放，保证实验人员身体健康；本发明二维材料制备效率高，可利于规模化工业生产。
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公开(公告)号：CN118407021A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410530104.7
申请日：2024-04-29
申请人： 兰州城市学院
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/505
摘要： 本发明涉及一种基于PECVD法二维TMDCs材料制备方法，包含以下步骤：M金属源无机盐质量分数为1‑10mg/ml，直接加入到去离子水中，通过磁力搅拌仪搅拌均匀，得到M金属源溶液；将所述M金属源溶液，旋涂润湿性处理后的生长衬底表面；将所述旋涂M金属源的生长衬底放置在等离子体增强化学气相沉积管式炉中，采用限域或非限域放置；将所述高纯度固态的过渡族金属粉末1‑3克均匀平铺放置于射频线圈中央，提供二维过渡族金属硫属化合物MX2中的硫属X源。本发明极大降低对硫族金属用量的消耗，极大提高硫族金属源的活性、降低TMDCs二维材料空位缺陷，实现高质量制备。利用的等离子体轰击作用，可降低TMDCs二次形核，实现大面积、低污染、规模化纳米片或单层薄膜生长。
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公开(公告)号：CN115081041B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210720929.6
申请日：2022-06-24
申请人： 兰州城市学院
IPC分类号： G06F30/10 , G06F30/28 , B29C70/48 , G06F113/26
摘要： 本发明公开一种基于数字孪生技术的薄壁件树脂传递模塑过程控制方法，包括建立纤维增强复合材料零件的数字孪生模型；获取模腔内压力分布数据，将其导入数字孪生模型构建仿真模塑环境，显示流动前沿位置；由压力数据结合渗透率、纤维材料的总孔隙度和树脂粘度计算流动前沿树脂流速；由实验归纳出的经验公式可得出使制品空隙率最低的树脂最优流速，通过流动前沿树脂流速与最优流速对比，判断是否充分浸渍；若不充分浸渍则进行工艺过程动态控制。本发明具有对树脂传递模塑过程进行实时监测和控制的效果，可以对实际工艺过程进行优化，减少空隙缺陷，降低复合材料零件的制造成本。
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公开(公告)号：CN115895420A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211400422.9
申请日：2022-11-09
申请人： 兰州城市学院
IPC分类号： C09D175/04 , C09D5/24 , C09D7/20
摘要： 本发明提供了一种航天器电路板内带电防护涂料及涂层的制备方法，将导电纳米材料和盐酸苯胺混合，加入三防漆稀释剂作为有机相辅助溶剂配置成导电纳米材料混合液，再加入常规航天器电路板用三防漆混合，得到航天器电路板内带电防护涂层材料。其中，根据导电纳米材料与盐酸苯胺含量配比满足内带电涂层电导率的控制需求，导电纳米材料为主体导电材料，盐酸苯胺为辅助导电材料。将涂料直接涂敷在电路板表面得到涂层，可以调节航天器电路板内带电防护涂层电阻可控，使得航天器电路板内带电防护涂层满足不同静电防护等级需求。
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