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公开(公告)号：CN119935931A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411923664.5
申请日：2024-12-25
Applicant: 山东中金岭南铜业有限责任公司 , 东营方泰金属回收利用有限公司 , 东营方圆有色金属有限公司 , 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种铜电解液中硫脲的分析检测方法，涉及铜冶炼技术领域，具体通过硫脲浓度与TMB的吸光度变化成正比的原理，绘制TMB吸光度与硫脲浓度关系曲线。采用Pb3O4纳米颗粒或PbO2作为氧化剂，利用紫外可见分光光度计测量体系中氧化TMB的吸光度，根据关系曲线可得到TMB吸光度下的硫脲浓度，进而实现对铜电解液中硫脲浓度的分析检测。该铜电解液中硫脲的分析检测方法，操作简单，采用实验设备简单，适用于常规实验室或生产分析，并可避免产生干扰，保障检测精度，通过硫脲浓度与TMB的吸收度变化成正比的原理，降低了检测难度，易于实现，并可根据需求选择合适的催化剂。
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公开(公告)号：CN118794970B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411277591.7
申请日：2024-09-12
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N23/203 , G16C60/00 , G06F30/25 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的检测方法，属于半导体检测技术领域。该方法包括：（1）硅晶体内高对称位点和掺杂占据位点分析及检测沟道设计；（2）不同晶格位点掺杂元素对多沟道方向背散射产额贡献的理论计算；（3）不同沟道方向附近的卢瑟福沟道背散射产额图样的实验测量；（4）掺杂原子占据位置和比例的求解。相比于传统卢瑟福沟道背散射检测，该方法大大提升了掺杂元素占据晶格位置的检测精度，并能够给出不同晶格位置的占据比例；该方法实现了硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的精确、直观检测，在半导体质量评估、新掺杂技术研发以及科学研究等领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN116736363A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310522480.7
申请日：2023-05-10
Applicant: 兰州大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明涉及核科学技术领域，具体涉及一种便携锥形单球中子能谱测量系统及其测量方法，系统包括锥形慢化体、圆柱形通孔、中子探测器、数据分析处理系统、控制器、电机和牵引线，锥形慢化体内部设置有圆柱形通孔，圆柱形通孔内设置有中子探测器，中子探测器设置有1个，数据分析处理系统、控制器、电机、牵引线和中子探测器依次连接；数据分析处理系统用于接收并处理中子探测器中的信号，并给予指令为控制器，控制器带动电机转动，电极控制牵引线上下移动中子探测器，未加辅助材料时在10‑9MeV～20MeV具有较好的响应；添加辅助材料时在10‑9MeV～1000MeV具有较好的响应，解决了多球中子谱仪慢化球数量限制解谱效果的影响。
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公开(公告)号：CN116607186A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310658520.0
申请日：2023-06-06
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种电镀液组合物、其电镀铀层及其制备与应用。所述电镀液组合物pH值为4‑6，包括质量比为(1‑4):(10‑40)的硝酸铀酰和草酸铵，及水，其制备电镀铀层的过程包括：在电镀液组合物中，以纯铂丝作为阳极，以待镀件作为阴极进行电镀，可获得含铀的氧化物或氢氧化物的镀层材料，该镀层材料应用于裂变电离室管的表面镀层材料，具有良好的中子吸收能力，可获得准确的中子通量检测结果。
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公开(公告)号：CN114566306A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210261887.4
申请日：2022-03-16
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种导电银浆及其制备方法和应用，属于材料化工技术领域。该导电银浆包括以下质量份的组分：金属导电粉末40‑90份、树脂5‑60份、固化剂0‑10份、助剂0.001‑2份和溶剂5‑50份，其中，树脂为聚酰胺酰亚胺树脂，固化剂为环氧树脂类固化剂和多聚异氰酸酯类固化剂中的至少一种。将以上组分在三辊研磨机上充分研磨混合均匀，即可制得该导电银浆。该银浆具有银粉含量低、电导率高的特点，大大降低了成本，具有广泛的工业应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114479363A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210251102.5
申请日：2022-03-15
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温环氧树脂基复合材料，其原料配比为：环氧树脂40‑80份、聚酰胺酰亚胺20‑50份、固化促进剂0.5‑1份、填料0‑30份，并于常温下进行混合，在140‑180℃条件下完成热固化获得。本发明耐高温环氧树脂基复合材料具备良好的耐热性、优良的耐磨性、良好的流动性、优异的绝缘性能和优良的机械强度；能在较高的温度条件下长时间使用而不发生降解，形变等；固化后的环氧树脂基复合材料的拉伸强度均在150MPa以上良，可以作为电子防护元件，电子器件、大型电机等的正常工作，可以满足特殊行业的要求。
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公开(公告)号：CN111257922A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010097815.1
申请日：2020-02-17
Applicant: 兰州大学
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明属于核技术应用领域，尤其涉及一种宽能谱的BF3长中子计数器，所述的长中子计数器平均能量响应为3.01cm2，平均相对偏差为6.87％。用MCNP5程序控制模拟计算结果在0.78％的统计误差范围内，模拟了离点源150cm处长中子计数器的相对探测效率：在1KeV～15.2MeV能量范围内为2.05*10-3～2.62*10-3，平均相对探测效率ε为2.31*10-3，平均偏差为6.84％。长中子计数器克服了现有技术中的中子计数器能量下限较高及5MeV以上能量响应急剧下降，能量响应平坦范围不够长等问题，可以满足多数加速器中子源高通量率的监视或放射性同位素中子源的中子注量率标定。
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公开(公告)号：CN118794970A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202411277591.7
申请日：2024-09-12
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N23/203 , G16C60/00 , G06F30/25 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的检测方法，属于半导体检测技术领域。该方法包括：（1）硅晶体内高对称位点和掺杂占据位点分析及检测沟道设计；（2）不同晶格位点掺杂元素对多沟道方向背散射产额贡献的理论计算；（3）不同沟道方向附近的卢瑟福沟道背散射产额图样的实验测量；（4）掺杂原子占据位置和比例的求解。相比于传统卢瑟福沟道背散射检测，该方法大大提升了掺杂元素占据晶格位置的检测精度，并能够给出不同晶格位置的占据比例；该方法实现了硅半导体内掺杂元素占据晶格位置的精确、直观检测，在半导体质量评估、新掺杂技术研发以及科学研究等领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN117253639A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311225118.X
申请日：2023-09-21
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及核科学技术领域，具体涉及一种用于热中子照相及辐射防护的装置，所述的装置包括热中子准直装置、源腔辐射防护装置、提源腔和提源装置，所述的热中子照相装置垂直设置于源腔辐射防护装置上，所述的提源腔贯穿热中子照相装置和源腔辐射防护装置，所述的提源装置置于提源腔中；源处于储存位时，装置表面5cm处的总剂量率S≤10μSv/h，装置表面50cm处的总剂量率S≤5μSv/h；源处于工作位时，准直器处中子注量率≥1.0×103cm‑2s‑1，热中子准直效率(热中子注量率/源中子产额)≥1.0×10‑5cm‑2。可以使同位素中子源的中子产额降低10倍左右，降低了热中子照相装置辐射防护的难度和建造成本，并提高了使用时安全性和便捷性。
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公开(公告)号：CN106248633A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610586983.0
申请日：2016-07-25
Applicant: 兰州大学
IPC: G01N21/552 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: G01N21/554 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N2021/5903
Abstract: 本发明涉及一种原位高通量检测芯片的制备方法，该方法包括以下步骤：⑴制备三角形的Ag@Au核壳纳米粒子：将AgNO3溶液和柠檬酸钠溶液混合后加入H2O2溶液，最后，在搅拌条件下迅速加入新制冰冷的NaBH4溶液，反应结束后，即得银三角纳米颗粒溶液；在所述银三角纳米颗粒溶液中加入PVP溶液，然后依次加入二乙胺溶液、抗坏血酸溶液，混合均匀后在搅拌条件下加入HAuCl4溶液，反应结束后，即得Ag@Au核壳纳米颗粒的水溶液；⑵基于Ag@Au三角纳米粒子的芯片的制备：制备处理后的玻璃基片；将所述处理后的玻璃基片放入表面皿中，倒入所述Ag@Au核壳纳米颗粒的水溶液组装，并依次经清洗、吹干，即得Ag@Au三角纳米粒子芯片。本发明操作简单，成本低，稳定性好，灵敏度高。
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