一种电站监控设备、电站监控系统

    公开(公告)号:CN108011447A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201711075078.X

    申请日:2017-11-06

    IPC分类号: H02J13/00

    摘要: 本发明提供了一种电站监控设备、电站监控系统。所述电站监控设备包括供电模块、外环境监测模块、数据交互模块、变电站运行情况监测模块。所述电站监控系统设立有多级的管理中心。本发明以IP网络和4G网络为核心,融合了计算机、通讯、互联网、数字多媒体、存储、信息安全等多种先进的技术,支持被监控资源通过光网络、以太网、无线网络等多种方式接入,将分散、独立的监控采集点进行联网,实现跨区域、大范围的统一监控、统一存储、统一管理、资源共享。本发明能帮助各行业用户提供清晰直观的管理方式,缩短决策时间,提高工作效率,提高监控区域的安全等级。

    一种基于电流耦合型人体通信的实时医疗通信系统及其通信方法

    公开(公告)号:CN103560837B

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201310586022.6

    申请日:2013-11-20

    IPC分类号: H04B13/00 A61B5/00

    摘要: 本发明公开了一种基于电流耦合型人体通信的实时医疗通信系统及其通信方法,属于人体通信领域,主要解决了现有的电容耦合型人体通信整个系统的适应性、稳定性低的问题。该实时医疗系统,包括电源模块,分别与电源模块连接的、同时安装于人体上的发射机和接收机,该实时医疗通信系统的通信方法包括:将人体医疗信号通过发射机转换成适合人体组织传输的差分电流信号,通过导线传送给贴片电极;贴片电极将差分电流信号注入人体组织,采集人体组织中的电压信号传送给接收机;接收机检测人体上两个不同位置之间的电压获得医疗信号。本发明可以在不影响人的正常生理状态下,安全、稳定的利用人体作为媒质实现信息传输,非常适宜大规模推广使用。

    一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件

    公开(公告)号:CN111559734B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202010431407.5

    申请日:2020-05-20

    IPC分类号: B81B3/00 B81C1/00

    摘要: 本申请提供一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件,包括选用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底制作硅基层;在所述硅基层的上表面设置绝缘层;在所述绝缘层的上表面沉积非晶硅制备牺牲层并定义CMUT单元;所述牺牲层包括圆形主体和与所述圆形主体连接的多个释放通道;在所述CMUT单元上沉积振动薄膜;在各个所述释放通道的开孔位置开设腐蚀孔,对牺牲层进行释放,形成空腔;在所述牺牲层释放完毕后密封所述腐蚀孔;利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁;深腐蚀操作至硅基层,以便沉积底电极;沉积电极及器件之间的连接导线,同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。

    一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件

    公开(公告)号:CN111559734A

    公开(公告)日:2020-08-21

    申请号:CN202010431407.5

    申请日:2020-05-20

    IPC分类号: B81B3/00 B81C1/00

    摘要: 本申请提供一种多频CMUT器件的制造方法及多频CMUT器件,包括选用高浓度掺杂的硅晶圆作为基底制作硅基层;在所述硅基层的上表面设置绝缘层;在所述绝缘层的上表面沉积非晶硅制备牺牲层并定义CMUT单元;所述牺牲层包括圆形主体和与所述圆形主体连接的多个释放通道;在所述CMUT单元上沉积振动薄膜;在各个所述释放通道的开孔位置开设腐蚀孔,对牺牲层进行释放,形成空腔;在所述牺牲层释放完毕后密封所述腐蚀孔;利用光刻蚀工艺围绕所述圆形主体形成的空腔刻蚀预设宽度的支撑壁;深腐蚀操作至硅基层,以便沉积底电极;沉积电极及器件之间的连接导线,同时在所述振动薄膜的上表面沉积顶电极。

    一种透光微机电超声换能器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117000571A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202311139615.8

    申请日:2023-09-05

    IPC分类号: B06B1/02

    摘要: 本发明公开了一种透光微机电超声换能器及其制备方法,涉及超声换能器领域,方法主要包括在透光基底上沉积公共底电极;在公共底电极上旋涂光敏聚合物并曝光显影,形成具有空腔结构和支撑结构的光敏聚合物透光基底晶圆;使用键合机,利用晶圆黏附层键合技术,将光敏聚合物透光基底晶圆与正反面均沉积有低应力氮化硅薄膜的硅晶圆键合固化,得到键合固化晶圆;使用干湿刻蚀方法去除位于键合固化晶圆外表面的低应力氮化硅薄膜及硅晶圆,保留位于键合固化晶圆内部的低应力氮化硅薄膜,并在保留的薄膜上沉积公共顶电极和金属层,以使得到的金属导线贯穿公共顶电极。本发明具有可透光、不会阻挡光路的优点,同时具备较大的相对带宽。