公开(公告)号：CN114823776A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210059377.9

申请日：2022-01-19

Applicant: 凌北卿

Inventor： 凌北卿 ,  吴南雷

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00

Abstract: 一种具有PN二极管的非易失性存储元件。该非易失性存储元件包含：绝缘层，为电绝缘；PN二极管，形成于绝缘层上的一单晶硅层中；写入导线，具有导电性，且该写入导线与该PN二极管的前端电连接；存储单元，位于PN二极管上，该存储单元与该PN二极管的后端电连接；以及选择导线，位于存储单元上，与存储单元电连接；其中，于该非易失性存储元件被选择写入一数据时，一电流流经该PN二极管，以将该数据写入该存储单元。

公开(公告)号：CN115117111A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210059879.1

申请日：2022-01-19

Applicant: 凌北卿

Inventor： 凌北卿 ,  吴南雷

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/22

Abstract: 一种具有肖特基二极管的非易失性存储元件。该非易失性存储元件包含：绝缘层，为电绝缘；肖特基二极管，形成于绝缘层上的一单晶半导体层，其材料可以是硅、锗、六方氮化硼或砷化镓；写入导线，具有导电性，且该写入导线与该肖特基二极管的前端电连接；存储单元，位于肖特基二极管上，该存储单元与该肖特基二极管的后端电连接；以及选择导线，位于存储单元上，与存储单元电连接；其中，于该非易失性存储元件被选择写入一数据时，一电流流经该肖特基二极管，以将该数据写入该存储单元。