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公开(公告)号：CN115100143A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210720848.6
申请日：2022-06-23
申请人： 凯盛科技集团有限公司 , 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06T5/40 , G06V10/764
摘要： 本发明涉及材料检测技术领域，具体涉及背光模组瑕疵的检测方法；该方法是一种利用光学手段，具体是利用可见光手段采集可见光图像以此检测或分析材料的方法，对背光模组进行检测，具体为：采集背光模组在不同拍摄角度下的发光图像，得到发光图像的灰度图像；基于灰度图像，计算各像素点属于各类别的模糊分类结果；然后计算不同间距下所有点对中的两像素点对各类别的统计贡献；根据统计贡献，计算各类别的分布稳定系数；进而得到所有像素点对各类别的剔除影响；基于剔除影响，判断对应像素点是否为瑕疵点。本发明利用背光模组能够自发光的物理性质，获取背光模组的发光图像，通过发光图像检测背光模组的瑕疵，能够准确检测到背光模组的瑕疵。
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公开(公告)号：CN115117222A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210720851.8
申请日：2022-06-23
申请人： 凯盛科技集团有限公司 , 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/58 , H01L33/50 , H01L33/56 , H01L25/075 , H01L21/66
摘要： 本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体涉及一种带预制凝胶光学隔离层的LED芯片阵列及其制作方法。该方法获得透明胶体点胶时每个点胶过程中的点胶数据。通过对点胶数据进行分析，确定每个点胶数据的点胶质量评价。根据点胶质量评价和点胶数据对每个点胶过程进行分类，获得多个点胶过程类别。根据每个点胶过程类别对应的点胶时间和点胶质量构建点胶劣化阶段曲线。通过凝胶光学隔离层空间邻域范围内的透明胶体的点胶时间获得对应的劣化值，进而调整凝胶光学隔离层点胶时的涂胶量。本发明通过调整凝胶光学隔离层的涂胶量补偿了点胶异常的LED芯片附近的光路，提高了LED芯片阵列制作过程中的良品率。
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公开(公告)号：CN115100143B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210720848.6
申请日：2022-06-23
申请人： 凯盛科技集团有限公司 , 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： G06T7/00 , G06T5/40 , G06V10/764
摘要： 本发明涉及材料检测技术领域，具体涉及背光模组瑕疵的检测方法；该方法是一种利用光学手段，具体是利用可见光手段采集可见光图像以此检测或分析材料的方法，对背光模组进行检测，具体为：采集背光模组在不同拍摄角度下的发光图像，得到发光图像的灰度图像；基于灰度图像，计算各像素点属于各类别的模糊分类结果；然后计算不同间距下所有点对中的两像素点对各类别的统计贡献；根据统计贡献，计算各类别的分布稳定系数；进而得到所有像素点对各类别的剔除影响；基于剔除影响，判断对应像素点是否为瑕疵点。本发明利用背光模组能够自发光的物理性质，获取背光模组的发光图像，通过发光图像检测背光模组的瑕疵，能够准确检测到背光模组的瑕疵。
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公开(公告)号：CN110416249B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201910772107.0
申请日：2019-08-21
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 一种半导体发光器件及其制作方法，属于半导体光电技术领域，在衬底的一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，再通过三次沉积绝缘介质掩膜层，间隙地刻蚀出蓝光、绿光和红光发光结构层区域，并在各区域内制作发光结构层，达到了将无机GaN基蓝光和绿光LED与有机红光OLED技术集成，将红、绿、蓝三基色发光单元横向淀积于n型掺杂GaN层之上，并通过n型掺杂GaN层连接的效果。本发明改善了GaN基蓝绿光LED与GaAs基红光LED材料体系难以兼容的问题，提高了Micro LED全彩显示技术中巨量转移的效率，降低了终端产品制作的复杂度。
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公开(公告)号：CN117253957A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311497204.6
申请日：2023-11-10
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/44
摘要： 本发明提出的一种改善倒装芯片可靠性的钝化膜以及方法，在致密度较高的第一介质层上沉积一层致密度较低的第二介质层，其中在芯片的台阶位置区域保留完整的致密度较高的第一介质层，而其他区域的第一介质层则制作成微粗化结构；本发明通过沉积两种不同致密度的介质层，且选择性对致密度较高的第一介质层进行微粗化而制得的钝化膜，改善了钝化层介质膜的附着力，降低了钝化膜的应力，避免了因应力大而导致的微裂纹、微缺陷、膜层脱附等问题，解决了台阶位置的电迁移的问题，从而提高了芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN115165899B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211068709.6
申请日：2022-09-02
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/956
摘要： 本发明涉及对LED芯片进行测试瑕疵、缺陷领域，具体涉及一种采用光学手段的LED芯片焊接质量检测方法，包括：将当前选定的LED芯片模板推至焊接质量检测工位，设置在所述焊接质量检测工位上的红色光源照射待检测LED芯片模板，控制待测LED芯片模板位姿，调整红色光源角度，将红色光源以垂直的方式对LED芯片模板照射；获取待分析LED芯片图像，确定待分析LED芯片的焊接质量。本发明借助于光学手段对LED芯片进行测试瑕疵、缺陷，考虑了LED芯片的焊接部分的颜色接近红色以在本发明中使用红色的光源使得焊接处更加明亮能够准确地获取芯片的质量检测结果，不受LED芯片位置的影响。
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公开(公告)号：CN112563386A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011416870.9
申请日：2020-12-07
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/52 , H01L21/683 , H01L25/075
摘要： 本发明公开了一种LED芯片阵列膜的制作工艺，涉及LED技术领域，包括如下具体步骤：在水平放置的临时过渡用的柔性膜顶面上，将若干LED芯片按预先设计的排布规则排成阵列形式；在芯片阵列的四周制作一个将芯片阵列围绕在内的胶体框架；向胶体框架内注入液体胶状物，静置一段时间直至液体胶状物自然流平，然后对液体胶状物进行固化，使之形成平整的胶状薄膜；将带有芯片阵列的胶状薄膜与柔性膜分离并取走，得到所需的芯片阵列膜。本发明工艺简单，极大降低成本的同时，相较于传统的压膜工艺，避免了气泡现象的发生，有效提高良品率。
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公开(公告)号：CN110416249A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910772107.0
申请日：2019-08-21
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 一种半导体发光器件及其制作方法，属于半导体光电技术领域，在衬底的一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层和n型掺杂GaN层，再通过三次沉积绝缘介质掩膜层，间隙地刻蚀出蓝光、绿光和红光发光结构层区域，并在各区域内制作发光结构层，达到了将无机GaN基蓝光和绿光LED与有机红光OLED技术集成，将红、绿、蓝三基色发光单元横向淀积于n型掺杂GaN层之上，并通过n型掺杂GaN层连接的效果。本发明改善了GaN基蓝绿光LED与GaAs基红光LED材料体系难以兼容的问题，提高了Micro LED全彩显示技术中巨量转移的效率，降低了终端产品制作的复杂度。
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公开(公告)号：CN105932123B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201610328647.6
申请日：2016-05-18
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
摘要： 具有低温AlInN插入垒层的氮化物发光二极管外延片及其生产工艺，涉及半导体光电器件领域，本发明在制作时，于量子垒插入低温AlInN垒层，通过纳米级坑洞结构，增大了发光层发光面积，同时利用量子点限制效应降低QCSE，改善In并入提升电子和空穴的复合效率，其次，靠近N型氮化物第一个发光层AlInN插入垒层设置金属反射层可使发光层射向衬底的光线被反射提升正面出光；同时，低温非掺杂氮化物层修复发光层表面，并起到空穴注入聚集和电流扩展作用，提高载流子注入均匀性；较AlGaN材料发光层极化效应降低，同时可以限制电子溢出，降低大电流下效率骤降效应。
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公开(公告)号：CN108594531A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810508167.7
申请日：2018-05-24
申请人： 扬州中科半导体照明有限公司
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 一种液晶显示器用背光模组及生产方法，背光模组包括电路包覆层、电路联通层、发光二极管排列层、荧光粉胶层、透明保护层。本发明以发光二极管为点光源，涂覆荧光粉胶转变为面光源且各发光二极管间无需使用印刷电路板（PCB），直接通过电路联通。本发明制备方法特点是：不使用印刷电路板、无需固晶及回流焊工序，直接在发光二极管电极面通过光刻、蒸镀获得联通的背光模组。本发明制备过程无需使用昂贵的印刷电路板及配套高精度固晶、共晶回流焊设备，更因无需固晶和共晶回流焊而提高了生产效率、缩短了生产周期、降低了生产成本。
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