公开(公告)号：CN103858209B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201280047151.1

申请日：2012-09-24

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小寺丰 ,  坂田阳 ,  今真人

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/40 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明提供一种反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模，实现光不会从电路图案区域以外发生反射、从而能够高精度地进行曝光转印的反射型曝光用掩模。反射型掩模坯具有形成在基板（11）上的多层反射膜（12）、保护膜（13）、吸收膜（14）、背面导电膜（15）。背面导电膜由氧化铟锡形成。基板包含：SiO2；TiO2；及锰（Mn）、铜（Cu）、钴（Co）、铬（Cr）、铁（Fe）、银（Ag）、镍（Ni）、硫（S）、硒（Se）、金（Au）、钕（Nd）的氧化物中的至少一种。选择性地除去反射型掩模坯的吸收膜而形成电路图案，除去电路图案周围的吸收膜、保护膜和多层反射膜而形成遮光框，从而制作反射型掩模。

公开(公告)号：CN103858209A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201280047151.1

申请日：2012-09-24

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 小寺丰 ,  坂田阳 ,  今真人

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/60 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/24 ,  G03F1/38 ,  G03F1/40 ,  G03F1/60

Abstract: 本发明提供一种反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模，实现光不会从电路图案区域以外发生反射、从而能够高精度地进行曝光转印的反射型曝光用掩模。反射型掩模坯具有形成在基板（11）上的多层反射膜（12）、保护膜（13）、吸收膜（14）、背面导电膜（15）。背面导电膜由氧化铟锡形成。基板包含：SiO2；TiO2；及锰（Mn）、铜（Cu）、钴（Co）、铬（Cr）、铁（Fe）、银（Ag）、镍（Ni）、硫（S）、硒（Se）、金（Au）、钕（Nd）的氧化物中的至少一种。选择性地除去反射型掩模坯的吸收膜而形成电路图案，除去电路图案周围的吸收膜、保护膜和多层反射膜而形成遮光框，从而制作反射型掩模。