成膜装置以及成膜方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106715752B

    公开(公告)日:2020-03-20

    申请号:CN201580049958.2

    申请日:2015-09-17

    Inventor: 今真人

    Abstract: 提供能够使气体的分布在腔室内的各区域中变得均匀化且提高成膜精度的成膜装置以及成膜方法。一个方式所涉及的成膜装置的特征在于,具有:腔室,其在内部具有导入有气体的多个区域,具有多个排气口,该多个排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出,并且能够分别对其开口状态进行调整;以及输送部,其使基材在所述腔室的内部移动而从多个所述区域通过。

    成膜装置以及成膜方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106715752A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201580049958.2

    申请日:2015-09-17

    Inventor: 今真人

    Abstract: 提供能够使气体的分布在腔室内的各区域中变得均匀化且提高成膜精度的成膜装置以及成膜方法。一个方式所涉及的成膜装置的特征在于,具有:腔室,其在内部具有导入有气体的多个区域,具有多个排气口,该多个排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出,并且能够分别对其开口状态进行调整;以及输送部,其使基材在所述腔室的内部移动而从多个所述区域通过。

    成膜装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107429382A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201680014990.1

    申请日:2016-03-11

    Inventor: 今真人

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种在柔性基板上形成薄膜的成膜装置,并且提供一种可以使装置整体尺寸减少,另外也使效率提高,从而提高生产性的成膜装置。本发明的成膜装置利用真空并在柔性基板(205)上形成薄膜。真空室(100)中至少包括导入了第一气体的第一区域(101)和导入了第二气体的第二区域(102)。分隔各区域的区域分隔板(202)具有所述柔性基板(205)通过的开口。所述成膜装置包括使柔性基板(205)往来于所述区域的机构。另外,所述成膜装置包括将包含金属或硅的原料气体供给到第一区域(101)的机构(501)以及在所述第二区域(102)中以包含金属或硅的材料作为靶材而进行溅射的机构。

    通过气相沉积法在挠性基板上成膜的方法

    公开(公告)号:CN106795623A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201580055179.3

    申请日:2015-10-13

    Inventor: 今真人

    Abstract: 为了使整个装置小型化,并且提高效率从而提高生产率,提供通过气相沉积法在挠性基板上成膜的方法。成膜方法包括:使挠性基板通过真空室内的其中导入有含金属或硅的原料气体的第一区域,从而使原料气体中含有的成分吸附到挠性基板上的工序;以及使挠性基板通过真空室内的与第一区域相隔离并且包括含金属或硅的靶材的第二区域,从而进行溅射成膜的工序。

    成膜装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107429382B

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201680014990.1

    申请日:2016-03-11

    Inventor: 今真人

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种在柔性基板上形成薄膜的成膜装置,并且提供一种可以使装置整体尺寸减少,另外也使效率提高,从而提高生产性的成膜装置。本发明的成膜装置利用真空并在柔性基板(205)上形成薄膜。真空室(100)中至少包括导入了第一气体的第一区域(101)和导入了第二气体的第二区域(102)。分隔各区域的区域分隔板(202)具有所述柔性基板(205)通过的开口。所述成膜装置包括使柔性基板(205)往来于所述区域的机构。另外,所述成膜装置包括将包含金属或硅的原料气体供给到第一区域(101)的机构(501)以及在所述第二区域(102)中以包含金属或硅的材料作为靶材而进行溅射的机构。

    反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模

    公开(公告)号:CN103858209B

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201280047151.1

    申请日:2012-09-24

    CPC classification number: G03F1/24 G03F1/38 G03F1/40 G03F1/60

    Abstract: 本发明提供一种反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模,实现光不会从电路图案区域以外发生反射、从而能够高精度地进行曝光转印的反射型曝光用掩模。反射型掩模坯具有形成在基板(11)上的多层反射膜(12)、保护膜(13)、吸收膜(14)、背面导电膜(15)。背面导电膜由氧化铟锡形成。基板包含:SiO2;TiO2;及锰(Mn)、铜(Cu)、钴(Co)、铬(Cr)、铁(Fe)、银(Ag)、镍(Ni)、硫(S)、硒(Se)、金(Au)、钕(Nd)的氧化物中的至少一种。选择性地除去反射型掩模坯的吸收膜而形成电路图案,除去电路图案周围的吸收膜、保护膜和多层反射膜而形成遮光框,从而制作反射型掩模。

    反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模

    公开(公告)号:CN103858209A

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201280047151.1

    申请日:2012-09-24

    CPC classification number: G03F1/24 G03F1/38 G03F1/40 G03F1/60

    Abstract: 本发明提供一种反射型曝光用掩模坯及反射型曝光用掩模,实现光不会从电路图案区域以外发生反射、从而能够高精度地进行曝光转印的反射型曝光用掩模。反射型掩模坯具有形成在基板(11)上的多层反射膜(12)、保护膜(13)、吸收膜(14)、背面导电膜(15)。背面导电膜由氧化铟锡形成。基板包含:SiO2;TiO2;及锰(Mn)、铜(Cu)、钴(Co)、铬(Cr)、铁(Fe)、银(Ag)、镍(Ni)、硫(S)、硒(Se)、金(Au)、钕(Nd)的氧化物中的至少一种。选择性地除去反射型掩模坯的吸收膜而形成电路图案,除去电路图案周围的吸收膜、保护膜和多层反射膜而形成遮光框,从而制作反射型掩模。

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