公开(公告)号：CN118871403A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380027316.7

申请日：2023-03-07

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛绘美 ,  丝濑麻美 ,  海上晓 ,  井上一吉 ,  岩瀬信博

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/363 ,  H01L27/146 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 一种烧结体，其为包含In元素、Ga元素及Al元素的氧化物的烧结体，所述In元素及所述Al元素的原子组成比满足下述式(1)及下述式(2)：[In]/([In]+[Ga]+[Al])＞0.70....(1)；[Al]/([In]+[Ga]+[Al])＞0.01....(2)。

公开(公告)号：CN118103994A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202280068589.1

申请日：2022-10-12

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 川岛绘美 ,  霍间勇辉 ,  佐佐木大地 ,  山口幸士 ,  岩瀬信博

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/66 ,  H01L29/417

Abstract: 一种晶体氧化物薄膜，是以I n为主成分的晶体氧化物薄膜，在晶体氧化物薄膜的面方向上，具有由扫描型扩展电阻显微镜(SSRM)测量的扩展电阻值不同的低电阻区域A与高电阻区域B，高电阻区域B的扩展电阻值为低电阻区域A的扩展电阻值的8倍以上。