公开(公告)号：CN103210029A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180049356.9

申请日：2011-09-09

Applicant: 剑桥企业有限公司

Inventor： 伊赞·斯瓦尼亚 ,  保罗·扎瓦拉里韦拉 ,  文森特·恩古耶

IPC: C08J9/26 ,  C08J9/40 ,  C08J5/22 ,  B01D71/80 ,  B01D67/00 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86

CPC classification number: B29C67/202 ,  B01D67/003 ,  B01D69/02 ,  B01D71/28 ,  B01D71/80 ,  B01D2323/30 ,  B01D2323/345 ,  B01D2325/02 ,  B32B3/26 ,  B32B7/02 ,  C08J5/2231 ,  C08J9/26 ,  C08J9/40 ,  C08J2201/026 ,  C08J2201/038 ,  C08J2201/046 ,  C08J2205/042 ,  C08J2353/00 ,  H01G9/0032 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/48 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/249981

Abstract: 公开了具有多个薄片的纳米多孔材料。穿透孔的阵列穿过每个薄片。相邻薄片由插入的间隔层间隔开。间隔层包括与相邻薄片整体形成并在相邻薄片之间延伸的间隔元件阵列。间隔层具有在间隔层中延伸的相互连通的孔隙。这样的纳米多孔材料可利用嵌段共聚物材料来制造。首先，形成在连续基质中包括隔离岛的三维阵列的形态。岛由嵌段共聚物的至少一种岛组分形成，并且基质由嵌段共聚物的至少一种基质组分形成。然后，在基质中在岛中的至少一些之间形成通道。然后选择性地除去岛组分以留下具有相互连通的孔的阵列的基质。

公开(公告)号：CN103210029B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180049356.9

申请日：2011-09-09

Applicant: 剑桥企业有限公司

Inventor： 伊赞·斯瓦尼亚 ,  保罗·扎瓦拉里韦拉 ,  文森特·恩古耶

IPC: C08J9/26 ,  C08J9/40 ,  C08J5/22 ,  B01D71/80 ,  B01D67/00 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86

CPC classification number: B29C67/202 ,  B01D67/003 ,  B01D69/02 ,  B01D71/28 ,  B01D71/80 ,  B01D2323/30 ,  B01D2323/345 ,  B01D2325/02 ,  B32B3/26 ,  B32B7/02 ,  C08J5/2231 ,  C08J9/26 ,  C08J9/40 ,  C08J2201/026 ,  C08J2201/038 ,  C08J2201/046 ,  C08J2205/042 ,  C08J2353/00 ,  H01G9/0032 ,  H01G11/24 ,  H01G11/26 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/48 ,  H01G11/50 ,  H01G11/86 ,  Y02E60/13 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/249981

Abstract: 公开了具有多个薄片的纳米多孔材料。穿透孔的阵列穿过每个薄片。相邻薄片由插入的间隔层间隔开。间隔层包括与相邻薄片整体形成并在相邻薄片之间延伸的间隔元件阵列。间隔层具有在间隔层中延伸的相互连通的孔隙。这样的纳米多孔材料可利用嵌段共聚物材料来制造。首先，形成在连续基质中包括隔离岛的三维阵列的形态。岛由嵌段共聚物的至少一种岛组分形成，并且基质由嵌段共聚物的至少一种基质组分形成。然后，在基质中在岛中的至少一些之间形成通道。然后选择性地除去岛组分以留下具有相互连通的孔的阵列的基质。