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公开(公告)号：CN100580002C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200480007606.2
申请日：2004-03-19
申请人： 剑桥显示技术有限公司
摘要： 一种聚合物，它包括式(I)的第一重复单元，其中每一Ar独立地选自任选取代的芳基或杂芳基，和式(I)的基团以小于或等于10%的摩尔比存在，和任选地，在化学式-Ar-N(Ar)-Ar-的主链内具有不大于5%摩尔比的单个氮原子的第二任选取代的重复单元。
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公开(公告)号：CN1659253A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN03813311.3
申请日：2003-05-09
申请人： 剑桥显示技术有限公司
IPC分类号： C09K11/06
CPC分类号： H01L51/0043 , C08G61/02 , C08G61/12 , C08G73/026 , C09K11/06 , C09K2211/1408 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , H01L51/0039 , H01L51/0059 , H01L51/5012 , Y10S428/917
摘要： 用于光学器件的聚合物，包括第一种任选取代的式(I)重复单元和第二种任选取代的式(II)重复单元：其中各个Ar和Ar′相同或不同，包括任选取代的芳基或杂芳基，和任选包括第三种任选取代的重复单元，其摩尔比例不大于5％，所述的第三重复单元具有式－Ar－N(Ar)－Ar－，并且在其主链中具有单个氮原子。
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公开(公告)号：CN1325600C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN03813311.3
申请日：2003-05-09
申请人： 剑桥显示技术有限公司
IPC分类号： C09K11/06
CPC分类号： H01L51/0043 , C08G61/02 , C08G61/12 , C08G73/026 , C09K11/06 , C09K2211/1408 , C09K2211/1416 , C09K2211/1425 , C09K2211/1433 , H01L51/0039 , H01L51/0059 , H01L51/5012 , Y10S428/917
摘要： 用于光学器件的聚合物，包括第一种任选取代的式(Ⅰ)重复单元和第二种任选取代的式(Ⅱ)重复单元：其中各个Ar和Ar′相同或不同，包括任选取代的芳基或杂芳基，和任选包括第三种任选取代的重复单元，其摩尔比例不大于5%，所述的第三重复单元具有式-Ar-N(Ar)-Ar-，并且在其主链中具有单个氮原子。
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公开(公告)号：CN100583490C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200480007603.9
申请日：2004-03-19
申请人： 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号： H01L51/5048 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/5096 , H01L51/5231 , H01L51/56
摘要： 一种光学器件，它包括阳极(2)、含钡、锶或钙的阴极(6)，和在阳极与阴极之间的有机半导材料(5)，其中空穴迁移和电子阻止材料层(4)位于阳极和有机半导材料层之间。
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公开(公告)号：CN1762062A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007603.9
申请日：2004-03-19
申请人： 剑桥显示技术有限公司
CPC分类号： H01L51/5048 , H01L51/0037 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0059 , H01L51/5096 , H01L51/5231 , H01L51/56
摘要： 一种光学器件，它包括阳极(2)、含钡、锶或钙的阴极(6)，和在阳极与阴极之间的有机半导材料(5)，其中空穴迁移和电子阻止材料层(4)位于阳极和有机半导材料层之间。
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公开(公告)号：CN1761693A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200480007606.2
申请日：2004-03-19
申请人： 剑桥显示技术有限公司
摘要： 一种聚合物，它包括式(I)的第一重复单元，其中每一Ar独立地选自任选取代的芳基或杂芳基，和式(I)的基团以小于或等于10％的摩尔比存在，和任选地，在化学式－Ar－N(Ar)－Ar－的主链内具有不大于5％摩尔比的单个氮原子的第二任选取代的重复单元。
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