公开(公告)号：CN118522633A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202310175528.1

申请日：2023-02-28

申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司

发明人： 徐懋腾 ,  李世平 ,  彭国通

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。基底包括第一导电型的区域。在基底上形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层包括彼此分离的主体部与分离部。利用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对基底进行离子注入制作工艺，而在第一导电型的区域中形成阱区。阱区具有第二导电型。主体部与分离部邻近于阱区的同一个末端。

公开(公告)号：CN114744018A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202110167922.1

申请日：2021-02-07

申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司

发明人： 徐懋腾 ,  李世平

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明公开一种半导体结构，包括基底、半导体层、浮体场环结构与嵌入式掺杂区。半导体层设置在基底上。半导体层具有第一导电型。浮体场环结构位于半导体层中。浮体场环结构包括至少一个浮体场环。浮体场环具有第二导电型。嵌入式掺杂区位于浮体场环结构下方的半导体层中，且连接于浮体场环结构。嵌入式掺杂区具有第二导电型。