公开(公告)号：CN116259342A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202210092620.7

申请日：2022-01-26

申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司

发明人： 黄崇仁 ,  陈俊丞

IPC分类号： G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/08

摘要： 本发明提供一种具有高数据频宽的存储器装置。存储器装置包括至少一存储器芯片以及逻辑芯片。所述至少一存储器芯片各包括一存储器阵列、多个位线以及多个数据路径。所述多个数据路径分别与所述多个位线相对应。所述多个数据路径的数量等于或少于所述多个位线的数量。逻辑芯片的多个数据传输端以一对一方式与所述至少一存储器芯片的所述多个数据路径电连接。所述多个数据传输端的数量等于所述至少一存储器芯片的所述多个数据路径的总数。

公开(公告)号：CN115116872A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110371035.6

申请日：2021-04-07

申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司

发明人： 张守仁 ,  吕俊麟 ,  陈俊丞

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L23/538

摘要： 本发明提出了一种测试三维集成电路中硅穿孔的电路结构，包含一硅穿孔区域，其中形成有多个硅穿孔、以及一交换器电路，具有多条行线与多条列线构成可寻址式测试阵列，其中每个该硅穿孔的两端分别与一条该行线与一条该列线连接，该交换器电路通过一条该列线发送测试电压信号至同一列的该些硅穿孔，并通过该些行线接收行经该列硅穿孔的电流信号，或者该交换器电路通过一条该行线发送测试电压信号至同一行的该些硅穿孔，并通过该些列线接收行经该行硅穿孔的电流信号。