一种提供高稳定的磁通变化率的设备及方法

    公开(公告)号:CN118969434A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411464346.7

    申请日:2024-10-21

    IPC分类号: H01F7/02 H01F41/02 A61N2/12

    摘要: 本发明公开一种提供高稳定的磁通变化率的设备及方法,包括放置台,其顶面固定有磁组件,磁组件由第一磁铁组、第二磁铁组和导向磁铁组成,第一磁铁组由若干N级朝上的第一磁铁沿第一水平方向依次粘接形成,第二磁铁组由若干S级朝上的第二磁铁沿第一水平方向依次粘接形成,第一磁铁组和第二磁铁组沿第二水平方向并排间隔设置,第二水平方向与第一水平方向垂直,导向磁铁粘接在第一磁铁组和第二磁铁组之间,并位于磁组件中心,且N级朝向第一磁铁组,S级朝向第二磁铁组,放置台连接有旋转机构,旋转机构用于驱动放置台带动磁组件绕轴水平旋转,磁组件的中心轴线与放置台的旋转轴线重合,能够在磁组件水平旋转时提供具有稳定磁通变化率的磁场。

    一种通过晶界扩散改善钕铁硼三点抗弯强度的方法

    公开(公告)号:CN115763053A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211663808.9

    申请日:2022-12-23

    IPC分类号: H01F41/02 H01F1/057

    摘要: 本发明涉及一种通过晶界扩散改善钕铁硼三点抗弯强度的方法。所述方法为:将钕铁硼磁体毛坯表面打磨并进行切割,再放入除油剂溶液中超声清洗,然后依次酸洗、水洗、烘干,得到干燥钕铁硼基材;将钕铁硼基材放入镀铜溶液中,施加电流进行镀铜,得到铜包覆钕铁硼基材;在平行于易磁化轴方向,对铜包覆钕铁硼基材的表面物理气相沉积重稀土铽薄膜,得到铽‑铜包覆钕铁硼基材;将铽‑铜包覆钕铁硼基材在真空条件下依次热处理和回火处理即可。本发明通过电镀法在钕铁硼基材上包覆铜薄膜,随后将包覆铜薄膜的钕铁硼基材在平行于易磁化轴方向上物理气相沉积重稀土元素铽,进行晶界扩散热处理,获得优异的综合磁性能同时改善钕铁硼三点抗弯强度。

    一种Halbach磁组件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117747241A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311868455.0

    申请日:2023-12-29

    IPC分类号: H01F7/02

    摘要: 本发明涉及Halbach磁组件,属于磁体技术领域。本发明包括:一种Halbach磁组件,包括上下堆叠在一起的上层磁部件和下层磁部件,上层磁部件包括沿直线依次排列的五颗单磁铁,分别为第一单磁铁、第二单磁铁、第三单磁铁、第四单磁铁和第五单磁铁;五颗单磁铁的充磁方向依次为水平向左、竖直向下、水平向右、竖直向上和水平向左;下层磁部件包括沿直线依次排列的第一磁体、第一钢体、第二磁体、第二钢体和第三磁体;第一磁体的充磁方向为水平向左,第二磁体的充磁方向为水平向右,第三磁体的充磁方向为水平向左;第二磁体与第三单磁铁组成凸型结构。通过本发明,有助于解决现有Halbach磁组件在减少漏磁的同时,重量却增加的问题。

    一种能够自由变换磁场的橡胶Halbech磁环及其制备方法

    公开(公告)号:CN117711796A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311867320.2

    申请日:2023-12-29

    IPC分类号: H01F41/02 H01F1/057 H01F7/02

    摘要: 本发明属于磁性材料领域,具体涉及一种能够自由变换磁场的橡胶Halbech磁环及其制备方法。所述制备方法包括原料的混合与密炼,物料粉碎与注塑成型,以及磁环的嵌套。所述制备方法通过调整磁粉粒度、橡胶及其他原料等的用量,提高了橡胶磁体的柔韧性和使用时的磁性能。并且基于现有环形Halbech磁组件排列方式,可使导向磁极部分的磁极方向调整适当角度,并将两个磁极排列方向相同、直径大小不同的磁环嵌套在一起,组装成一个可以通过旋转内环形磁体变换整体磁场的磁排列嵌套结构。大大增强了磁路的变换,同时使用橡胶磁体作为材料,突显了整体磁体结构的耐温特性,实现了不同应用场景下的磁路变换,使橡胶磁体发挥更大的磁性能。

    一种恢复磁显片磁显状态的磁显恢复装置

    公开(公告)号:CN117038256A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311172353.5

    申请日:2023-09-12

    IPC分类号: H01F13/00 H01F41/02 H01F1/057

    摘要: 本发明公开了一种恢复磁显片磁显状态的磁显恢复装置,涉及磁铁制造技术领域,该磁显恢复装置包括底座、铁氧体磁铁和盖板;底座的底部设有铁皮板,铁皮板覆盖底座的底部;铁氧体磁铁放置于底座内,盖板覆盖铁氧体磁铁,盖板用于供待恢复显示状态的磁显片在铁氧体磁铁上划过;铁皮板用于屏蔽铁氧体磁铁产生的磁感线;铁氧体磁铁用于磁力消除待恢复显示状态的磁显片上留存的磁场分布痕迹;通过在底座内放置铁氧体磁铁,利用铁氧体磁铁的磁性使划过的磁显片上留存的磁场分布痕迹消除,且利用盖板弱化铁氧体磁铁的磁场,以达到更好的消除效果,从而解决了重复使用的磁显片会出现磁极线显示不清晰的问题。

    测量永磁体磁矩的辅助工具

    公开(公告)号:CN221650592U

    公开(公告)日:2024-09-03

    申请号:CN202323664897.1

    申请日:2023-12-29

    IPC分类号: G01R33/12

    摘要: 本申请涉及磁体测试技术领域,尤其涉及一种测量永磁体磁矩的辅助工具,包括:接触台和治具,在接触台上水平设置有导向槽,接触台能与三维亥姆霍兹线圈接触且导向槽与三维亥姆霍兹线圈上的沟槽水平对齐。治具滑动连接在接触台上并能沿导向槽的长度方向滑动。由于导向槽水平设置,治具的滑动方向与导向槽的长度方向一致。在治具上的磁铁离开三维亥姆霍兹线圈时保证以水平的滑动方向离开,防止三维亥姆霍兹线圈产生的感应信号存在不均匀的波动。从而防止磁通计读数显示发生连续多次的跳动,相对于人工拿取磁铁时读数更加稳定,增加了测量数据的精准性。

    一种新型海尔贝克阵列磁体结构

    公开(公告)号:CN221827667U

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202323473179.6

    申请日:2023-12-18

    IPC分类号: H01F7/02

    摘要: 本实用新型公开一种新型海尔贝克阵列磁体结构,包括至少一个阵列,每个所述阵列包括四个呈直线排列的单磁体和导磁体,四个所述单磁体的充磁方向依次为水平向左、竖直向上、水平向右和竖直向下,导磁体位于任意两个单磁体之间。本实用新型的海尔贝克阵列磁体结构在不改变磁体本身的情况下,仅通过增加导磁体,改善磁场分布,达到显著提高海尔贝克阵列结构场强的效果,相较于现有的通过更换钕铁硼磁体牌号或增加钕铁硼磁体的尺寸,本实用新型大大节省了制成成本,简化生产流程。

    一种磁矩测量装置
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221827052U

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202323476983.X

    申请日:2023-12-19

    IPC分类号: G01R33/12

    摘要: 本实用新型公开一种磁矩测量装置,包括工作台、支撑台、气动滑座、滑轨、接触台、三维亥姆霍兹线圈和支脚,所述工作台的两端分别设置接触台和支撑台,所述滑轨设置于接触台和支撑台之间;所述接触台抵靠三维亥姆霍兹线圈,所述接触台顶部开设第一凹槽,所述第一凹槽连通三维亥姆霍兹线圈内部,所述气动滑座顶部开设第二凹槽,所述第二凹槽用于卡接永磁体或永磁体的载具,所述气动滑座沿滑轨滑动,所述气动滑座带动永磁体或永磁体的载具沿第一凹槽进出三维亥姆霍兹线圈;所述工作台和支撑台的底部设有若干支脚。本案通过简单的测量装置,实现控制待测永磁体水平匀速的进出三维亥姆霍兹线圈,保证测量的自动化、连续性、稳定性。

    一种海尔贝克阵列磁体组件

    公开(公告)号:CN219267405U

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202223397103.5

    申请日:2022-12-13

    IPC分类号: H01F7/00 H01F7/02 H01F1/057

    摘要: 本实用新型提供了一种海尔贝克阵列磁体组件,涉及海尔贝克阵列磁体组装技术领域,该磁体组件包括第一阵列和第二阵列,第一阵列和第二阵列层叠直线型设置,第一阵列包括钕铁硼磁钢单磁铁和第一铁块,第一铁块和竖直向下的钕铁硼磁钢单磁铁设于水平向右的钕铁硼磁钢单磁铁和水平向左的钕铁硼磁钢单磁铁之间,第二阵列包括铁氧体和第二铁块,铁氧体置于钕铁硼磁钢单磁铁的下方,第二铁块置于第一铁块的下方,铁氧体与钕铁硼磁钢单磁铁的长度、数量和充磁方向一致。本实用新型增加由铁氧体和第二铁块构成的第二阵列,在保证磁性能的前提下,能够减少钕铁硼磁钢单磁铁的用量,也就是进一步降低钕元素的使用量,从而降低稀土永磁铁的制作成本。

    一种Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构

    公开(公告)号:CN219267406U

    公开(公告)日:2023-06-27

    申请号:CN202223571854.4

    申请日:2022-12-27

    IPC分类号: H01F7/02

    摘要: 本实用新型提供了一种Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构,涉及海尔贝克磁铁阵列技术领域,所述Halbach磁组件提升表面磁通密度的排列结构包括沿直线依次排列的第一磁体、第一磁组、第二磁体和第二磁组,第一磁体的充磁方向为水平向左,第一磁组包括充磁方向向下倾斜设置的第一左单磁体和第一右单磁体,第一左单磁体和第一右单磁体的充磁方向轴对称,第二磁体的充磁方向为水平向右,第二磁组包括充磁方向向上倾斜设置的第二左单磁体和第二右单磁体,第二左单磁体和第二右单磁体的充磁方向轴对称;本实用新型为直线型海尔贝克磁铁阵列,可在不更换牌号,不加大磁体总体积的前提下,实现磁铁阵列表面磁通密度的显著提高。