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公开(公告)号：CN102117689A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201010168566.7
申请日：2010-05-11
申请人： 北京七一八友晟电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种绝缘水冷电阻器及其制作方法，提供了一种热阻小，散热效率高，体积小的矩阵等压式绝缘水冷电阻器。其底部为分流箱，中部为等压多腔冷却电阻体，上部为集水箱，各部分之间有密封圈密封，水从分流箱进水口流进，分成N路流经多腔冷却电阻体的N个腔体，N路水汇集到集水箱，最后从出水口流出。所述矩阵等压式绝缘水冷电阻器采用多行多列的多水腔结构，各水腔由水腔框、密封圈、多层电阻芯片组成，共用分流箱和集水箱，所述的多层电阻芯片为3层结构，中间层为绝缘基片，外层为电阻芯片。该发明多层电阻芯片的两面没有水压差，可以做的很薄，极大地减小了热阻，提高了散热效率，缩小了体积；电阻膜和水之间有绝缘瓷片隔开，保证了电绝缘；采用矩阵组装，多腔冷却电阻体内没有无用的空间，极大的缩小了体积。
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公开(公告)号：CN102290171A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110116447.1
申请日：2011-05-06
申请人： 北京七一八友晟电子有限公司
摘要： 本发明涉及的是一种等截面直立主水路合金带水冷电阻器，主要包括1个波纹合金带电阻芯，PVDF氟塑料的等截面直立主水路的1个主板和2个侧板，2个金属电极。等截面直立主水路主板两侧开有对称的开口水槽，它由直立主水槽和连接直立主水槽的弧形水槽组成，两侧的水槽根据需要接成串联水路或并联水路，底部有一个进水口，一个出水口；在等截面直立主水路侧板的一侧开有和等截面直立主水路主板上的开口水槽相对应的开口水槽；在等截面直立主水路主板上镶嵌两个电极，电极的一端从开口水槽伸出作为内电极，另一端从主板的侧面或顶面伸出作为外电极；将波纹合金带按水路走向盘绕在开口水槽中，两端头分别和两个内电极焊接在一起形成波纹合金带电阻芯。
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公开(公告)号：CN102290171B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201110116447.1
申请日：2011-05-06
申请人： 北京七一八友晟电子有限公司
摘要： 本发明涉及的是一种等截面直立主水路合金带水冷电阻器，主要包括一个波纹合金带电阻芯，PVDF氟塑料的等截面直立主水路的一个主板和两个侧板，两个金属电极。等截面直立主水路主板两侧开有对称的开口水槽，它由直立主水槽和连接直立主水槽的弧形水槽组成，两侧的水槽根据需要接成串联水路或并联水路，底部有一个进水口，一个出水口；在等截面直立主水路侧板的一侧开有和等截面直立主水路主板上的开口水槽相对应的开口水槽；在等截面直立主水路主板上镶嵌两个电极，电极的一端从开口水槽伸出作为内电极，另一端从主板的侧面或顶面伸出作为外电极；将波纹合金带按水路走向盘绕在开口水槽中，两端头分别和两个内电极焊接在一起形成波纹合金带电阻芯。
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公开(公告)号：CN102117689B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010168566.7
申请日：2010-05-11
申请人： 北京七一八友晟电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种绝缘水冷电阻器及其制作方法，提供了一种热阻小，散热效率高，体积小的矩阵等压式绝缘水冷电阻器。其底部为分流箱，中部为等压多腔冷却电阻体，上部为集水箱，各部分之间有密封圈密封，水从分流箱进水口流进，分成N路流经多腔冷却电阻体的N个腔体，N路水汇集到集水箱，最后从出水口流出。所述矩阵等压式绝缘水冷电阻器采用多行多列的多水腔结构，各水腔由水腔框、密封圈、多层电阻芯片组成，共用分流箱和集水箱，所述的多层电阻芯片为3层结构，中间层为绝缘基片，外层为电阻芯片。该发明多层电阻芯片的两面没有水压差，可以做的很薄，极大地减小了热阻，提高了散热效率，缩小了体积；电阻膜和水之间有绝缘瓷片隔开，保证了电绝缘；采用矩阵组装，多腔冷却电阻体内没有无用的空间，极大的缩小了体积。
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公开(公告)号：CN202196628U
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201120181596.1
申请日：2011-06-01
申请人： 北京七一八友晟电子有限公司
IPC分类号： H01C1/024
摘要： 本实用新型所涉及的是一种水冷电阻器的两次密封结构，方案如下：将电极或传热板镶嵌到水冷电阻器的外壳上，在外壳外壁和镶嵌电极的衔接处做出一道密封槽，同样在外壳外壁和镶嵌传热板的衔接处也做出一道密封槽，密封槽内放入密封圈，密封圈上压一密封板，在镶嵌电极或镶嵌传热板上作出螺纹，通过螺母或螺丝将密封板压下，使密封板压下的密封圈发生形变达到密封的效果。以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
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