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公开(公告)号：CN102534803A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210001182.5
申请日：2012-01-04
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种立式扩散炉电器控制系统及控制方法，涉及半导体生产技术领域，所述系统包括：中心控制模块，用于根据传输模块和工艺模块发送来的状态信息，对所述传输模块和工艺模块进行控制；所述传输模块，用于控制硅片的传输，记录硅片的状态信息，并将所述硅片的状态信息发送至所述中心控制模块；所述工艺模块，用于根据工艺需求，控制硅片在工艺过程中所需要的温度、气体和气压。本发明通过提出一种新型的立式扩散炉电器控制系统内部的构架，提高了设备自动化程度，同时提高设备运行的可靠性。
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公开(公告)号：CN102534803B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210001182.5
申请日：2012-01-04
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种立式扩散炉电器控制系统及控制方法，涉及半导体生产技术领域，所述系统包括：中心控制模块，用于根据传输模块和工艺模块发送来的状态信息，对所述传输模块和工艺模块进行控制；所述传输模块，用于控制硅片的传输，记录硅片的状态信息，并将所述硅片的状态信息发送至所述中心控制模块；所述工艺模块，用于根据工艺需求，控制硅片在工艺过程中所需要的温度、气体和气压。本发明通过提出一种新型的立式扩散炉电器控制系统内部的构架，提高了设备自动化程度，同时提高设备运行的可靠性。
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公开(公告)号：CN103397312A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310298738.6
申请日：2013-07-16
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： C23C16/52
摘要： 本发明提供一种LPCVD工艺生产环境的控制方法，包括：步骤S1，所述温度传感器采集所述反应腔室内的温度信息、所述真空度传感器采集所述反应腔室内的真空度信息；步骤S2，所述反馈控制装置获得所述温度信息和真空度信息，并根据所述温度信息和真空度信息计算得出反馈控制增益参数；步骤S3，所述反馈控制装置根据所述温度信息和对应的反馈控制增益参数生成温度控制信号，根据所述真空度信息和对应的反馈控制增益参数生成真空度控制信号，并发送至所述温度调节装置和真空度调节装置；步骤S4，所述温度调节装置根据所述温度控制信号调节所述反应腔室内的温度；所述真空度调节装置根据所述真空度控制信号调节所述反应腔室内的真空度。
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公开(公告)号：CN103529705A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310485876.5
申请日：2013-10-16
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法，包括：对LPCVD设备建立温度控制系统模型；对已建立的系统模型中加入非脆弱状态反馈控制器模型，建立含参耗散非脆弱控制器模型；使用二次能量供给函数对已建立的含参耗散非脆弱控制器模型进行稳定性分析；在含参耗散非脆弱控制器模型稳定时，对含参耗散非脆弱控制器模型中的变量进行求解，确定耗散非脆弱控制器模型。同时，本发明也公开了一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制装置，包括：温控系统模型建立模块；含参非脆弱型温控系统模型建立模块；含参耗散非脆弱控制模型稳定性分析模块；耗散非脆弱控制模型确定模块。
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公开(公告)号：CN103777617B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410058349.0
申请日：2014-02-20
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明涉及半导体设备监控技术，公开了一上下位机通讯监控方法，步骤包括：S1、上位机向下位机发送置位信号，启动监控；S2、下位机收到所述置位信号后向上位机发送反馈信号，并在第一预设延时后进行复位，同时进行复位计时；S3、上位机根据所述反馈信号向下位机发送置位信号，并在第二预设延时后进行复位，同时进行复位计时；S4、判断是否有任一复位计时时间超过预设阈值，若无则返回执行步骤S2，若有任一复位计时时间超过预设阈值时，则相应上位机或下位机发出报警信号。
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公开(公告)号：CN103777617A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410058349.0
申请日：2014-02-20
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： G05B19/418
CPC分类号： Y02P90/02
摘要： 本发明涉及半导体设备监控技术，公开了一上下位机通讯监控方法，步骤包括：S1、上位机向下位机发送置位信号，启动监控；S2、下位机收到所述置位信号后向上位机发送反馈信号，并在第一预设延时后进行复位，同时进行复位计时；S3、上位机根据所述反馈信号向下位机发送置位信号，并在第二预设延时后进行复位，同时进行复位计时；S4、判断是否有任一复位计时时间超过预设阈值，若无则返回执行步骤S2，若有任一复位计时时间超过预设阈值时，则相应上位机或下位机发出报警信号。
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公开(公告)号：CN103397312B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310298738.6
申请日：2013-07-16
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： C23C16/52
摘要： 本发明提供一种LPCVD工艺生产环境的控制方法，包括：步骤S1，所述温度传感器采集所述反应腔室内的温度信息、所述真空度传感器采集所述反应腔室内的真空度信息；步骤S2，所述反馈控制装置获得所述温度信息和真空度信息，并根据所述温度信息和真空度信息计算得出反馈控制增益参数；步骤S3，所述反馈控制装置根据所述温度信息和对应的反馈控制增益参数生成温度控制信号，根据所述真空度信息和对应的反馈控制增益参数生成真空度控制信号，并发送至所述温度调节装置和真空度调节装置；步骤S4，所述温度调节装置根据所述温度控制信号调节所述反应腔室内的温度；所述真空度调节装置根据所述真空度控制信号调节所述反应腔室内的真空度。
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公开(公告)号：CN103178609B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110436397.5
申请日：2011-12-22
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H02J13/00
CPC分类号： Y02B70/3266 , Y04S20/242
摘要： 本发明公开了一种半导体设备专用配电柜，包括通断控制器件，用于实现所述配电柜配电输出通断；参量监测模块，用于对所述配电柜运行状态进行监测；现场总线通信模块，用于实现所述用电设备与控制模块之间的通信；控制模块，分别与所述现场总线通信模块、通断控制器件以及参量监测模块相连，用于根据现场总线通信模块接收到的控制指令向相应的通断控制器件发送控制指令，接收所述参量监测模块得到的配电柜运行状态信息，以及通过所述现场总线通信模块发送控制信号给所述用电设备。本发明可以实时得到配电柜内部主要器件的工作状态，同时实现对配电柜及用电设备的控制。
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公开(公告)号：CN103178609A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110436397.5
申请日：2011-12-22
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H02J13/00
CPC分类号： Y02B70/3266 , Y04S20/242
摘要： 本发明公开了一种半导体设备专用配电柜，包括通断控制器件，用于实现所述配电柜配电输出通断；参量监测模块，用于对所述配电柜运行状态进行监测；现场总线通信模块，用于实现所述用电设备与控制模块之间的通信；控制模块，分别与所述现场总线通信模块、通断控制器件以及参量监测模块相连，用于根据现场总线通信模块接收到的控制指令向相应的通断控制器件发送控制指令，接收所述参量监测模块得到的配电柜运行状态信息，以及通过所述现场总线通信模块发送控制信号给所述用电设备。本发明可以实时得到配电柜内部主要器件的工作状态，同时实现对配电柜及用电设备的控制。
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公开(公告)号：CN201359446Y
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200820234112.3
申请日：2008-12-31
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： F27D23/00
摘要： 本实用新型公开了一种300mm立式氧化炉石英舟升降装置，其特征在于：设有驱动电机(10)、丝杠(3)、直线导轨(4)、传动机构(5)、制动器(1)、外罩(2)和升降臂(7)；驱动电机通过传动机构、丝杠与升降臂连接，升降臂沿直线导轨上下升降运动；在丝杠的顶端设有制动器；在传动机构的同步带旁设有对同步带进行检测的光电传感器(6)。本实用新型适用于立式氧化炉石英舟的升降作业，结构简单、紧凑，控制方便、可靠，故障损害小，保障了微环境的洁净度，从而保证了硅片的质量。
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