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公开(公告)号：CN106783538B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201611095320.5
申请日：2016-12-01
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种应用于单片清洗工艺的水痕及颗粒消除方法，通过将传统去离子水冲洗步骤改变为流量和转速不同的两个分步骤，先以较快的转速和较小的流量清洗以快速去除残留在硅片表面的反应产物及DHF，接着再继续以较小的转速和较大的流量清洗以在硅片表面形成均匀的较厚的去离子水液膜，避免了硅片表面与空气接触产生水痕和颗粒，从而可利用IPA较小的表面张力作用，以及氮气的吹淋作用对硅片表面进行快速干燥，实现了在IPA工艺后对硅片表面水痕和颗粒的有效减少。
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公开(公告)号：CN106057710B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610623802.7
申请日：2016-08-02
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 滕宇
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种改善气液两相雾化清洗均匀性的装置和方法，根据气液两相雾化清洗喷嘴在晶圆表面的位置变化信息，通过改变气体和/或液体清洗介质的流量，并使气体和/或液体清洗介质的流量从晶圆中心到晶圆边缘逐渐减小，在晶圆表面的清洗液膜由晶圆中心向晶圆边缘逐渐变薄状态下，可实现从气液两相雾化清洗喷嘴喷射的气液两相雾化清洗介质微液滴在整个晶圆表面范围内形成相同大小的物理作用力，可提高气液两相雾化清洗的均匀性，改善工艺效果，从而提高芯片质量。
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公开(公告)号：CN105413905B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201510917538.3
申请日：2015-12-10
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： B08B3/02
摘要： 本发明公开了一种二相流雾化喷射清洗装置及清洗方法，通过在喷嘴主体内设置带有预设角度的液体导向出口的多路液体分流管路，以及带有垂直气体导向出口的出气网板，可使喷射出的高速液体流与高速气体流产生充分地相互作用，形成颗粒尺寸均一、可调的超微雾化液滴，并在雾化颗粒导向出口的加速及导向作用下向下喷向晶圆表面进行移动雾化清洗，本发明可大大缩小雾化颗粒尺寸，减小其具有的能量，从而可避免对晶圆表面图形结构造成损伤，并可提高清洗质量和效率，节约清洗成本。
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公开(公告)号：CN106238302B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610739229.6
申请日：2016-08-26
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种频率动态变化的超声波/兆声波清洗装置，包括本体和超声波/兆声波频率控制单元，本体内设有超声波/兆声波发生机构和底部石英部件，超声波/兆声波发生机构设有压电材料，压电材料连接本体外的信号源，底部石英部件设有石英微共振腔阵列，石英微共振腔阵列自本体下端面的开口伸出，超声波/兆声波频率控制单元连接在信号源和压电材料之间，可通过石英微共振腔阵列对传播方向与晶圆表面方向不垂直的超声波/兆声波能量进行选择性去除，并通过超声波/兆声波频率控制单元改变信号源输出电信号的频率，使压电材料产生的超声波/兆声波振动频率动态变化，实现对图形晶圆的无损伤清洗。
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公开(公告)号：CN105070676B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510574861.5
申请日：2015-09-10
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种双氮气保护喷射装置及使用该装置的晶片清洗方法，通过在喷射装置环绕超纯水出液孔和氮气出气孔设置内圈喷射口和外圈喷射口用来垂直及倾斜喷射氮气，在超纯水冲洗步骤中，可在晶片表面的水层外侧形成内、外两道氮气保护层，以隔离超纯水与空气中的氧接触，防止发生水痕现象；在氮气干燥步骤中，可在晶片表面形成内、中、外三道氮气喷射层，从而快速干燥晶片，有效解决晶片边缘棱上有液滴未干燥彻底的问题。
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公开(公告)号：CN105097592B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510337909.0
申请日：2015-06-17
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种半导体设备承载区域的硅片分布状态光电扫描方法及装置，其在位于硅片承载器圆周侧边的机械手上U形端部的相对位置，设置有两个互为发射端和接收端的光电传感器，机械手为该光电传感器提供水平和垂直和/或定位的移动，且承载器和机械手间可以作相对旋转和/或定位的运动；通过两个对射式光电传感器的反馈值接收时间随遮挡的范围产生强度上或宽度上的变化，对硅片发生处于凸片、叠片、斜片或无片等异常分布状态进行扫描检测，且在承载器的周围布设多个扫描检测点，进一步地提高了检测精度。因此，本发明可以快速准确检测硅片半导体设备承载区域内的硅片分布状态，很好地避免了机械手运动造成硅片及设备损伤，且实现简单。
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公开(公告)号：CN104952757B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510336946.X
申请日：2015-06-17
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 徐冬
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L21/68
摘要： 本发明提供一种具有分布图像传感单元的硅片分布状态检测方法及装置，其通过将第一图像传感单元设置在硅片组的上方，俯视拍摄硅片层叠图像，判断所述硅片组中硅片放置是否有超出偏差阈值的情况；还将第二图像传感单元固设在正对硅片支撑结构无遮挡的位置，第二图像传感单元包括多个分布在承载器侧周的图像传感器，根据承载器的垂直运动速度以及基准位置，按指定时间间隔和沿硅片的平行方向采集每一个硅片放置位置的侧边平面图像分布图像，判断相应硅片是否存在凸片、斜片、叠片和/或空片的异常状态分布。本发明快速获取硅片是否存在异常突出状态，且由于测试结果不受硅片表面温度状态影响，因此，测试准确性得到了进一步提高。
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公开(公告)号：CN105666489B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201511022412.6
申请日：2015-12-31
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 徐冬
IPC分类号： B25J9/16
摘要： 本发明提供了一种用于修正离线示教数据的机械手及方法，通过在片叉上设置假硅片，在假硅片中嵌入有用于发出探测信号的无线收发器、对探测信号敏感并将探测信号转换为电信号的探测器、以及将电信号转换为数值的转换器，并且无线收发器的设置避开片叉的遮挡，使得无线收发器从假硅片上方或假硅片下方向外发出探测信号，从而在取放片过程中实时向片叉上方或下方的探测，并且及时修正离线示教数据，确保安全取放片操作；并且，在片叉上设置假硅片的方式简单易行，降低了工艺难度。
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公开(公告)号：CN103928379B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201410174214.0
申请日：2014-04-28
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
发明人： 张建柱
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种基板装卸载单元，位于热处理装置下方，所述热处理装置具有开口以使载置所述基板的晶舟及所述晶舟下方的保温桶搬入或搬出所述热处理装置中。所述基板装卸载单元划分为相互连结的第一空间和第二空间，所述第一空间包围已下降的所述晶舟，所述第一空间的一侧设有主热交换器，用于吸收所述基板的热辐射。本发明能够有效降低基板装载单元微环境的温度。
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公开(公告)号：CN104571149B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201410260751.7
申请日：2014-06-12
申请人： 北京七星华创电子股份有限公司
IPC分类号： G05D7/06
CPC分类号： G05D7/0635
摘要： 本发明公开了一种适用于集成气体输送系统的质量流量控制装置，包括输入端、传感器单元、电磁阀以及控制单元。控制单元包括A/D转换器、微处理器和阀控制电路。微处理器接收第一数字信号及第二数字信号，第一数字信号为流量设定信号或其经A/D转换的信号，第二数字信号为流量检测信号经A/D转换的信号。微处理器包括存储模块和计算模块。控制模块根据第一数字信号生成对应的第一控制信号并输出，计算模块用于当A/D转换器输出第二数字信号时对第一数字信号及第二数字信号的偏差进行运算以输出第二控制信号。阀控制电路用于仅根据第一控制信号开启电磁阀或根据第一和第二控制信号控制电磁阀的开度。本发明能够提高质量流量控制器的响应速度，提高控制品质。
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