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公开(公告)号：CN102181909B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110101519.5
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种AZ91镁合金表面薄层处理方法，属于AZ91镁合金表面薄层处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为251～253g/L、氢氧化钾浓度为102～104g/L、工频交流电压为143～145V、每升处理液氧气喷入量为0.01～0.02L/s条件下，对AZ91镁合金进行45～56秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在AZ91镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102181910A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110101666.2
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种MB8镁合金表面薄层厚度均匀处理方法，属于MB8镁合金表面薄层厚度均匀处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为1311～1313g/L、氢氧化钾浓度为359～361g/L、硅酸钠浓度为105～107g/L、工频交流电压为47～49V、每升处理液氧气喷入量为0.006～0.009L/s条件下，对MB8镁合金进行62～82秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在MB8镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102181906B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201110101499.1
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种MB8镁合金表面薄层处理方法，属于MB8镁合金表面薄层处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为595～597g/L、氢氧化钾浓度为292～294g/L、工频交流电压为94～96V、每升处理液氧气喷入量为0.01～0.02L/s条件下，对MB8镁合金进行68～85秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在MB8镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102140665B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110101664.3
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种AM60镁合金表面薄层厚度均匀处理方法，属于AM60镁合金表面薄层厚度均匀处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为903～905g/L、氢氧化钾浓度为365～367g/L、硅酸钠浓度为118～120g/L、工频交流电压为65～67V、每升处理液氧气喷入量为0.006～0.009L/s条件下，对AM60镁合金进行52～70秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在AM60镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102181909A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110101519.5
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种AZ91镁合金表面薄层处理方法，属于AZ91镁合金表面薄层处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为251～253g/L、氢氧化钾浓度为102～104g/L、工频交流电压为143～145V、每升处理液氧气喷入量为0.01～0.02L/s条件下，对AZ91镁合金进行45～56秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在AZ91镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102181907A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110101505.3
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种AM60镁合金表面薄层处理方法，属于AM60镁合金表面薄层处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为442～444g/L、氢氧化钾浓度为166～168g/L、工频交流电压为122～124V、每升处理液氧气喷入量为0.01～0.02L/s条件下，对AM60镁合金进行57～76秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在AM60镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102140665A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110101664.3
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种AM60镁合金表面薄层厚度均匀处理方法，属于AM60镁合金表面薄层厚度均匀处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为903～905g/L、氢氧化钾浓度为365～367g/L、硅酸钠浓度为118～120g/L、工频交流电压为65～67V、每升处理液氧气喷入量为0.006～0.009L/s条件下，对AM60镁合金进行52～70秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在AM60镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102140664A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110101516.1
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种AZ91镁合金表面薄层厚度均匀处理方法，属于AZ91镁合金表面薄层厚度均匀处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为951～953g/L、氢氧化钾浓度为356～358g/L、硅酸钠浓度为126～128g/L、工频交流电压为90～92V、每升处理液氧气喷入量为0.006～0.009L/s条件下，对AZ91镁合金进行41～54秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在AZ91镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102181910B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110101666.2
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种MB8镁合金表面薄层厚度均匀处理方法，属于MB8镁合金表面薄层厚度均匀处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为1311～1313g/L、氢氧化钾浓度为359～361g/L、硅酸钠浓度为105～107g/L、工频交流电压为47～49V、每升处理液氧气喷入量为0.006～0.009L/s条件下，对MB8镁合金进行62～82秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在MB8镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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公开(公告)号：CN102181907B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110101505.3
申请日：2011-04-22
申请人： 北京交通大学
IPC分类号： C25D11/30
摘要： 本发明公开了一种AM60镁合金表面薄层处理方法，属于AM60镁合金表面薄层处理研究领域，本发明在交流等离子体微弧氧化处理方法基础上，通过向处理液中喷入氧气以提高处理液与镁合金反应的均匀性，并在氟化钾浓度为442～444g/L、氢氧化钾浓度为166～168g/L、工频交流电压为122～124V、每升处理液氧气喷入量为0.01～0.02L/s条件下，对AM60镁合金进行57～76秒的交流等离子体微弧氧化表面处理，可在AM60镁合金表面形成厚度均匀的8～14μm厚的保护薄层。
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