发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置

    公开(公告)号:CN107068811B

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201710153752.5

    申请日:2017-03-15

    IPC分类号: H01L33/00 H01L27/15

    摘要: 一种发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置。该发光二极管装置的制作方法包括:在衬底上形成发光叠层,发光叠层包括在衬底上依次形成的第一半导体层、第一发光层、第二半导体层、第二发光层和第三半导体层;分割发光叠层,以形成相互间隔的多个发光单元,每个发光单元包括相互间隔的第一区域和第二区域;去除第一区域内的第三半导体层和第二发光层,以用于形成第一子发光单元,第二区域用于形成第二子发光单元。该发光二极管装置的制作方法通过分割同一个发光叠层以形成发光单元中的多个子发光单元,简化了生产工艺,减小了子发光单元的间距,降低了生产成本,提高了生产效率和分辨率。

    发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置

    公开(公告)号:CN107068811A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201710153752.5

    申请日:2017-03-15

    IPC分类号: H01L33/00 H01L27/15

    摘要: 一种发光二极管装置的制作方法以及发光二极管装置。该发光二极管装置的制作方法包括:在衬底上形成发光叠层,发光叠层包括在衬底上依次形成的第一半导体层、第一发光层、第二半导体层、第二发光层和第三半导体层;分割发光叠层,以形成相互间隔的多个发光单元,每个发光单元包括相互间隔的第一区域和第二区域;去除第一区域内的第三半导体层和第二发光层,以用于形成第一子发光单元,第二区域用于形成第二子发光单元。该发光二极管装置的制作方法通过分割同一个发光叠层以形成发光单元中的多个子发光单元,简化了生产工艺,减小了子发光单元的间距,降低了生产成本,提高了生产效率和分辨率。