公开(公告)号：CN110707213A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201911145732.9

申请日：2019-11-21

申请人： 北京信息科技大学

发明人： 曹丽莉 ,  王李苑 ,  缪旻 ,  张浩 ,  王涛 ,  张锦扬

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明涉及一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及其制备方法，所述的阻变型选通器，结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜，且所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积；每层材料薄膜层之间没有其他材料，相邻薄膜层之间通过一定程度的相互扩散形成多级次功能层，使所述阻变型选通器在高电压下仍保持低电流值，可有效抑制阻变器件集成阵列中的串扰电流；改善功能层薄膜在真空状态下沉积得到的成分偏析问题，使高电阻状态更稳定。使底电极薄膜与功能层薄膜之间形成一种特殊的材料界面效应，在大电压下将通过该选通器的电流稳定在一个极低的固定值，形成自限流效应，省略外加钳位电流。

公开(公告)号：CN110491847A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201810454322.1

申请日：2018-05-14

申请人： 北京信息科技大学

发明人： 缪旻 ,  王李苑

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种基于硅通孔的神经元功能电路单元，该单元包括衬底、硅通孔、晶体管和互连，硅通孔中金属、二氧化硅和N型重掺杂层组成的电容与晶体管连接构成浮栅结构。本发明提供的单元利用浮栅的原理，其功能是将若干个输入电压信号的加权和与阈值相比较得到一个二值化输出，以构成神经形态计算的基础电路单元。同时，本发明采用成熟的工艺技术实现，使得单元极易加工，避免了制造的困难，同时，浮栅结构的工作原理是基于电荷求和而不是电流求和，有效降低功耗。

公开(公告)号：CN110707213B

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN201911145732.9

申请日：2019-11-21

申请人： 北京信息科技大学

发明人： 曹丽莉 ,  王李苑 ,  缪旻 ,  张浩 ,  王涛 ,  张锦扬

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明涉及一种具有高耐压自限流性能的阻变型选通器及其制备方法，所述的阻变型选通器，结构包括从底部至顶部依次设置的衬底、底电极薄膜、功能层薄膜和顶电极薄膜，且所述底电极薄膜的面积大于所述功能层薄膜的面积；每层材料薄膜层之间没有其他材料，相邻薄膜层之间通过一定程度的相互扩散形成多级次功能层，使所述阻变型选通器在高电压下仍保持低电流值，可有效抑制阻变器件集成阵列中的串扰电流；改善功能层薄膜在真空状态下沉积得到的成分偏析问题，使高电阻状态更稳定。使底电极薄膜与功能层薄膜之间形成一种特殊的材料界面效应，在大电压下将通过该选通器的电流稳定在一个极低的固定值，形成自限流效应，省略外加钳位电流。

公开(公告)号：CN110491847B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201810454322.1

申请日：2018-05-14

申请人： 北京信息科技大学

发明人： 缪旻 ,  王李苑

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及一种基于硅通孔的神经元功能电路单元，该单元包括衬底、硅通孔、晶体管和互连，硅通孔中金属、二氧化硅和N型重掺杂层组成的电容与晶体管连接构成浮栅结构。本发明提供的单元利用浮栅的原理，其功能是将若干个输入电压信号的加权和与阈值相比较得到一个二值化输出，以构成神经形态计算的基础电路单元。同时，本发明采用成熟的工艺技术实现，使得单元极易加工，避免了制造的困难，同时，浮栅结构的工作原理是基于电荷求和而不是电流求和，有效降低功耗。