一种高储能密度Ag/BaTiO3/PVDF三元复合物的制备方法

    公开(公告)号:CN101869990A

    公开(公告)日:2010-10-27

    申请号:CN200910082536.1

    申请日:2009-04-24

    IPC分类号: B22F9/30

    摘要: 本发明涉及高储能密度金属/无机/有机三元复合物,特别涉及一种Ag/BaTiO3/PVDF三元复合物的制备方法,属于复合材料制备技术领域。用紫外光照射溶解有聚偏氟乙烯(PVDF)和钛酸钡(BaTiO3)的N,N-二甲基甲酰胺悬浮液中的硝酸银,使其发生原位光分解反应生成纳米Ag并直接良好地分散在悬浮液中。所得三元复合物的介电常数和击穿场强同时得到了提高,这种制备复合材料的工艺不仅简单,而且避免了直接使用高成本纳米Ag和由此带来的团聚问题。

    聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102173155B

    公开(公告)日:2013-11-20

    申请号:CN201110008545.3

    申请日:2011-01-14

    摘要: 本发明提供了一种聚合物基陶瓷复合介电材料,其特征在于,由多层介电材料层构成,所述多层介电材料层包括:第一聚偏二氟乙烯层;以及复合材料层,所述复合材料层设在所述第一聚偏二氟乙烯层的一侧表面上且含有90~50vol%的聚偏二氟乙烯和10~50vol%的纳米钛酸钡。根据本发明实施例的聚合物基陶瓷复合介电材料具有更高的介电常数、更良好的加工性能。本发明还提供了一种电容器以及聚合物基陶瓷复合介电材料的制备方法。

    聚合物基陶瓷复合介电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102173155A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110008545.3

    申请日:2011-01-14

    摘要: 本发明提供了一种聚合物基陶瓷复合介电材料,其特征在于,由多层介电材料层构成,所述多层介电材料层包括:第一聚偏二氟乙烯层;以及复合材料层,所述复合材料层设在所述第一聚偏二氟乙烯层的一侧表面上且含有90~50vol%的聚偏二氟乙烯和10~50vol%的纳米钛酸钡。根据本发明实施例的聚合物基陶瓷复合介电材料具有更高的介电常数、更良好的加工性能。本发明还提供了一种电容器以及聚合物基陶瓷复合介电材料的制备方法。