一种CuInS2薄膜及其制备工艺

    公开(公告)号:CN111485266A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010407635.9

    申请日:2020-05-14

    IPC分类号: C25D9/04 C25D3/02

    摘要: 本发明提供了一种CuInS2薄膜及其制备工艺,涉及薄膜材料技术领域,薄膜各组分化学计量比接近理想计量比,外观平整,厚度均匀,组织致密,其禁带宽度接近理想太阳能电池光电材料的最佳禁带宽度;该薄膜各组分化学计量比为Cu:In:S(at%)=1:1.082:1.965;晶粒尺寸为0.4~1.3μm;禁带宽度Eg为1.459eV;采用恒电位一步电沉积方法制备,电沉积时采用Cu-In-S三电极系统和硫酸盐体系电解液;电解液包括硫酸铜、硫酸铟、硫代硫酸钠、邻苯二甲酸氢钾、十二烷基硫酸钠和水。本发明提供的技术方案适用于CuInS2薄膜制备过程中。