星载抗干扰PMOS阈值电压信号读出电路和方法

    公开(公告)号:CN117111132A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310681300.X

    申请日:2023-06-09

    IPC分类号: G01T1/17 G01T7/00 G01R29/08

    摘要: 本发明公开了星载抗干扰PMOS阈值电压信号读出电路和方法,读出电路包括电压跟随器一、电压跟随器二、电压跟随器三、多路开关、信号处理电子学、模数转换器和控制器。本发明中,通过提出一种新的抗干扰能力强、温漂误差小的星载PMOS阈值电压信号读出电路,以及使用这种电路实现PMOS阈值电压测量的方法,可为卫星等航天器的电离辐射总剂量效应的精确探测提供基础。该读出电路和方法,采用一种“伪差分”的方式测量PMOS阈值电压,能够有效抑制PMOS两端电压信号中的干扰;全部被测信号分时使用同一电路进行处理,减少了信号处理电路温漂引入的误差;并且,信号处理电路通道减少,有利于减小电子学的体积和重量。

    利用磁场传递卫星在轨振动信息的高精度测振方法

    公开(公告)号:CN111351564B

    公开(公告)日:2022-03-29

    申请号:CN202010333278.6

    申请日:2020-04-24

    IPC分类号: G01H11/02

    摘要: 本申请公开了一种利用磁场传递卫星在轨振动信息的高精度测振方法,当振源发生振动时,微型磁强测量装置将随振源共同振动,由于待测振动信号的频率远远小于磁场传播的速度,因此可以认为振动产生的磁场变化信号是瞬时作用在微型磁强测量装置上的,因此微型磁强测量装置探测的磁场信号中包含振动信号的信息,可以利用磁场来传递微振动信息。结合磁强计探头分辨率以及高精度测振试验数据,通过理论计算可得磁场传递的振动信息的分辨率可达10‑3角秒,满足高分辨相机的测量精度需求,可以实现高精度的实时测量。

    基于星载射频放电的等离子体接触器

    公开(公告)号:CN111465163A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010391627.X

    申请日:2020-05-11

    IPC分类号: H05H1/46

    摘要: 本发明公开一种基于星载射频放电的等离子体接触器,主要包括底座、盖板、放电管、Boswell天线、橡胶塞、进气管和永磁体圆环,放电管插入Boswell天线里形成嵌套结构,随后再嵌套到永磁体圆环内,一端堵上橡胶塞,另一端完全敞开,进气管穿透橡胶塞伸进管内,另一端连接气体储罐,嵌套结构整体容纳在底座中,进气管一端穿透橡胶塞伸进放电管一侧的管内,全部部件组合固定在底座上,并顶部封装,天线通过两天线伸出到盖板和底座形成的结构外。本发明产生的等离子体密度不仅远远大于其他放电方式,并克服了过去的冷阴极等电极放电方式中,由于电极放电烧蚀带来的寿命短的问题。

    外置反馈线圈的微型磁阻磁强计

    公开(公告)号:CN107544039A

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201610617338.0

    申请日:2016-07-29

    IPC分类号: G01R33/09

    摘要: 本发明涉及一种外置反馈线圈的微型磁阻磁强计,包括壳体、传感器X、传感器Y、传感器Z、磁场模拟信号处理电路X、磁场模拟信号处理电路Y、磁场模拟信号处理电路Z等,其中所述激励模块与传感器X、传感器Y、传感器Z相连接;所述电源模块的输入端通过电源开关与电源输入接口相连接,输出端分别与磁场模拟信号处理电路X、磁场模拟信号处理电路Y、磁场模拟信号处理电路Z、主控数字电路、激励模块相连接;所述外置反馈线圈与磁场模拟信号处理电路X、磁场模拟信号处理电路Y和磁场模拟信号处理电路Z相连接。本发明通过外置反馈,实现了磁阻传感器的三轴正交性、低功耗、高分辨率和微体积,同时还具有数据存储和与PC通信的功能。

    一种星载总剂量阵列测量系统及方法

    公开(公告)号:CN117130034A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202310965544.0

    申请日:2023-08-02

    IPC分类号: G01T1/02 G01T1/24

    摘要: 本发明提供一种星载总剂量阵列测量系统,包括:总剂量传感器,所述总剂量传感器包括基准总剂量传感器和其他总剂量传感器,其中,所述基准总剂量传感器处于屏蔽条件下;所述总剂量传感器为环形阵列式拓扑结构,每个所述总剂量传感器都先与一通路开关并联后再连接到多路开关SW;所述多路开关SW一端连接Voltage电压,另一端为控制端,用于控制与所述总剂量传感器中的其一连通;状态监测单元,与每个所述总剂量传感器连通,用于控制所述多路开关SW指向和所述通路开关状态、获取所述总剂量传感器信息以及周期性测量Voltage处传感器电压Vth。采用本发明的方案,能够实现对多个总剂量敏感MOS传感器的在轨控制,并完成对总剂量传感器的信号采集。

    一种电离辐射总剂量测量芯片和校准方法

    公开(公告)号:CN116755129A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310453648.3

    申请日:2023-04-25

    IPC分类号: G01T1/02 G01T7/00

    摘要: 本发明提供一种电离辐射总剂量测量芯片及校准方法,所述电离辐射总剂量测量芯片包括使用BiCMOS工艺制作在同一硅片上的,通过集成电路依次相连的驱动电流源、测温器件和辐射敏感场效应晶体管;其中,所述驱动电流源输出恒定电流I0,依次流经所述测温器件和辐射敏感场效应晶体管,所述电离辐射总剂量效应测量芯片有V+、VR0、VR1、VR2和V‑共5个端口连接至集成电路外部,用于为芯片供电、电流I0设置、温度检测和总剂量测量。本发明的电离辐射总剂量测量芯片稳定可靠、集成度高,使用本发明集成芯片测量的结果经过本发明温度校准方法处理后的温度依赖性低,适合用于星载电离辐射总剂量效应测量。

    一种基于盲源磁场系统的卫星异常监测系统

    公开(公告)号:CN115629399A

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202211295578.5

    申请日:2022-10-21

    摘要: 本发明公开了一种基于盲源磁场系统的卫星异常监测系统,涉及卫星平台状态监测技术领域,包括卫星平台,所述卫星平台上设有太阳能帆板,还包括磁场传感系统和智能数据处理系统,所述磁场传感系统包括一个主磁场传感器和至少六个副磁场传感器,所述主磁场传感器和所述副磁场传感器均设置在所述卫星平台上。本发明中,通过磁场传感系统以全方位监测平台不同单机工作状态变化。然后通过智能数据处理系统,基于盲源磁场分析技术对综合磁场数据进行盲源信号解算分析,实时监测卫星和各单机工作状态。此方法可用于卫星平台健康状况监测与评估,也适用于卫星平台的剩磁和磁扰动信号的实时获取,能够全方位实时获得卫星平台的综合磁场数据。