公开(公告)号：CN109802035A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201910066259.9

申请日：2019-01-24

申请人： 北京印刷学院

发明人： 刘儒平 ,  石月 ,  李烨 ,  邓骞 ,  王慰 ,  李路海

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开了一种基于忆阻器的神经突触仿生器件及制备方法。该仿生器件包括：柔性下电极层、沉积在柔性下电极层上的铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层和位于铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层上方的柔性上电极层；柔性下电极层包括第一柔性基底和位于第一柔性基底上方的第一银纳米线透明电极；柔性上电极层包括第二柔性基底和位于第二柔性基底下方的第二银纳米线透明电极；下电极层和上电极层均为在柔性基底上喷涂银纳米线墨水形成银纳米线湿膜，并在密封容器中恒热处理制成；铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层是采用射频反应磁控共溅射法将铜片加在氮化硅靶材上并通入氧气制成。本发明的神经突触仿生器件能够高效模拟神经突触功能且具有短期可塑性。

公开(公告)号：CN109802035B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201910066259.9

申请日：2019-01-24

申请人： 北京印刷学院

发明人： 刘儒平 ,  石月 ,  李烨 ,  邓骞 ,  王慰 ,  李路海

IPC分类号： H10N70/20

摘要： 本发明公开了一种基于忆阻器的神经突触仿生器件及制备方法。该仿生器件包括：柔性下电极层、沉积在柔性下电极层上的铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层和位于铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层上方的柔性上电极层；柔性下电极层包括第一柔性基底和位于第一柔性基底上方的第一银纳米线透明电极；柔性上电极层包括第二柔性基底和位于第二柔性基底下方的第二银纳米线透明电极；下电极层和上电极层均为在柔性基底上喷涂银纳米线墨水形成银纳米线湿膜，并在密封容器中恒热处理制成；铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层是采用射频反应磁控共溅射法将铜片加在氮化硅靶材上并通入氧气制成。本发明的神经突触仿生器件能够高效模拟神经突触功能且具有短期可塑性。