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公开(公告)号：CN109802035B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910066259.9
申请日：2019-01-24
申请人： 北京印刷学院
IPC分类号： H10N70/20
摘要： 本发明公开了一种基于忆阻器的神经突触仿生器件及制备方法。该仿生器件包括：柔性下电极层、沉积在柔性下电极层上的铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层和位于铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层上方的柔性上电极层；柔性下电极层包括第一柔性基底和位于第一柔性基底上方的第一银纳米线透明电极；柔性上电极层包括第二柔性基底和位于第二柔性基底下方的第二银纳米线透明电极；下电极层和上电极层均为在柔性基底上喷涂银纳米线墨水形成银纳米线湿膜，并在密封容器中恒热处理制成；铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层是采用射频反应磁控共溅射法将铜片加在氮化硅靶材上并通入氧气制成。本发明的神经突触仿生器件能够高效模拟神经突触功能且具有短期可塑性。
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公开(公告)号：CN109802035A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910066259.9
申请日：2019-01-24
申请人： 北京印刷学院
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明公开了一种基于忆阻器的神经突触仿生器件及制备方法。该仿生器件包括：柔性下电极层、沉积在柔性下电极层上的铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层和位于铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层上方的柔性上电极层；柔性下电极层包括第一柔性基底和位于第一柔性基底上方的第一银纳米线透明电极；柔性上电极层包括第二柔性基底和位于第二柔性基底下方的第二银纳米线透明电极；下电极层和上电极层均为在柔性基底上喷涂银纳米线墨水形成银纳米线湿膜，并在密封容器中恒热处理制成；铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层是采用射频反应磁控共溅射法将铜片加在氮化硅靶材上并通入氧气制成。本发明的神经突触仿生器件能够高效模拟神经突触功能且具有短期可塑性。
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公开(公告)号：CN109273598A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811451369.9
申请日：2018-11-30
申请人： 北京印刷学院
IPC分类号： H01L49/02
摘要： 本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料，它具有独特的介电效应和压电效应，同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来，对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面，器件在外加电场作用下表现出电阻变化，具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件，且制作工艺简单，可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸，具有产业化前景。
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公开(公告)号：CN109215687A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810954380.0
申请日：2018-08-21
申请人： 北京印刷学院 , 广东心科医疗科技有限公司
IPC分类号： G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/0045 , G11B7/26
摘要： 本发明提供了一种用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法，其中，存储器包括：透明上电极层、透明下电极层以及位于二者之间的透明存储层；所述的透明存储层为量子点掺杂TiO2复合薄膜；所述的透明上电极层和透明下电极层为柔性PI基底上喷墨打印纳米金属导电墨水而成。所述的量子点掺杂TiO2复合薄膜丝网印刷于透明下电极层表面，然后与透明上电极层采用PDMS封装。本发明提供了一种可用于智能包装、柔性可穿戴设备和柔性生物芯片领域的柔性透明存储器，在光作用下，其电阻发生改变，可用作光信息存储器。在柔性基底上采用喷墨打印和丝网印刷技术等方法制作器件，能大幅度降低成本，具有大规模量产的前景。
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公开(公告)号：CN109211428A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810955488.1
申请日：2018-08-21
申请人： 北京印刷学院 , 广东心科医疗科技有限公司
摘要： 本发明涉及温度测量技术领域，为了解决温度传感器很难在弯曲界面使用的问题，本发明提供了一种温度传感器及制备方法，其中，温度传感器，包括可降解柔性薄膜基材，所述的可降解柔性薄膜基材上设置有热电偶电极，所述的热电偶电极包括第一金属电极本体和第二金属电极本体，所述的第一金属电极本体的第一端与所述的第二金属电极本体的第一端连接，所述的第一金属电极本体和第二金属电极本体材质不同；所述的第一金属电极本体的第二端与第一引线相连，所述的第二金属电极本体的第二端与第二引线相连，所述的第一引线可降解，所述的第二引线可降解。本发明的温度传感器柔性好，与待测曲面有较好的贴合度，可以安装在弯曲界面实现精准测量。
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公开(公告)号：CN105957963B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610500658.8
申请日：2016-06-29
申请人： 北京印刷学院
摘要： 本发明提供了一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器，其特征在于，包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层；所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层，该阵列层垂直生长于丝印下电极层表面，结合牢度大。然后与丝印金属上电极层进行封装。所述丝印金属上电极层和丝印金属下电极层为柔性PET基底上丝网印制纳米银浆或微纳米铜浆而成。本发明提供一种能够用于可穿戴设备的柔性纳米线阵列忆阻器，在外加电场作用下，其电阻发生改变。该纳米线阵列忆阻器可以用作一种存储器件，且便于插取，该柔性薄膜忆阻器的制造方法简单，成本低，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN105957963A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610500658.8
申请日：2016-06-29
申请人： 北京印刷学院
摘要： 本发明提供了一种基于PET薄膜的模拟型纳米线阵列忆阻器，其特征在于，包括丝印金属上电极层、丝印金属下电极层及位于二者之间的纳米线阵列层；所述纳米线阵列层为金属‑有机络合物纳米线阵列层，该阵列层垂直生长于丝印下电极层表面，结合牢度大。然后与丝印金属上电极层进行封装。所述丝印金属上电极层和丝印金属下电极层为柔性PET基底上丝网印制纳米银浆或微纳米铜浆而成。本发明提供一种能够用于可穿戴设备的柔性纳米线阵列忆阻器，在外加电场作用下，其电阻发生改变。该纳米线阵列忆阻器可以用作一种存储器件，且便于插取，该柔性薄膜忆阻器的制造方法简单，成本低，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN109141570B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811092026.8
申请日：2018-09-18
申请人： 北京印刷学院 , 广东心科医疗科技有限公司
IPC分类号： G01F22/00
摘要： 一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器及制备方法，所述电容传感器包括第一极板、第二极板及位于二者之间的温控型药物释放水凝胶薄膜；所述的第一极板和第二极板包括：柔性基底、所述柔性基底上的丝素蛋白薄膜层和所述丝素蛋白薄膜层上的石墨烯电极层；所述的温控型药物释放水凝胶薄膜为聚N‑异丙基丙烯酰胺温敏薄膜。本发明提供一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器，环境温度变化时，利用温控型药物释放水凝胶薄膜的可收缩性对药物释放进行调节，进而电容器两极板间距发生变化，体现为电容改变。
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公开(公告)号：CN109141570A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811092026.8
申请日：2018-09-18
申请人： 北京印刷学院 , 广东心科医疗科技有限公司
IPC分类号： G01F22/00
摘要： 一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器及制备方法，所述电容传感器包括第一极板、第二极板及位于二者之间的温控型药物释放水凝胶薄膜；所述的第一极板和第二极板包括：柔性基底、所述柔性基底上的丝素蛋白薄膜层和所述丝素蛋白薄膜层上的石墨烯电极层；所述的温控型药物释放水凝胶薄膜为聚N‑异丙基丙烯酰胺温敏薄膜。本发明提供一种用于药物释放的温控型柔性电容传感器，环境温度变化时，利用温控型药物释放水凝胶薄膜的可收缩性对药物释放进行调节，进而电容器两极板间距发生变化，体现为电容改变。
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公开(公告)号：CN109273598B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201811451369.9
申请日：2018-11-30
申请人： 北京印刷学院
IPC分类号： H01L49/02
摘要： 本发明公开一种银纳米线复合石墨烯忆阻器及其制备方法。本发明采用的PVDF压电薄膜是一种新型高分子换能材料，它具有独特的介电效应和压电效应，同时具有弹性好、质轻、柔软、高韧度等优点。本发明将PVDF压电薄膜、银纳米线复合石墨烯在传感器领域以及忆阻器领域的应用有机的结合起来，对于开发低成本柔性薄膜记忆器件具有重要现实意义。所述的银纳米线复合石墨烯层生长于柔性第一电极层中PVDF压电薄膜的下表面，器件在外加电场作用下表现出电阻变化，具有记忆特性。本发明提供的基于PVDF压电薄膜的银纳米线复合石墨烯忆阻器可用作存储器件，且制作工艺简单，可先大面积制备然后裁剪成所需尺寸，具有产业化前景。
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