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公开(公告)号：CN108615809B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201810250007.7
申请日：2018-03-26
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN108615809A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810250007.7
申请日：2018-03-26
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L45/00
摘要： 本发明提出了一种可控自毁阻变存储器阵列的实现方法，该阻变存储器阵列中的阻变存储单元具有自整流特性，可以克服交叉存储阵列的漏电流，使得该阻变存储器可以方便构建交叉存储阵列；同时阻变存储器单元的自建整流二极管可以通过电脉冲可控消除，可以实现破坏储阵列正常读写的功能，使得构建的阻变存储阵列具有可控自毁的特性，在敏感数据存储领域具有应用价值。本发明具有自整流和自整流消除特性，在微纳电子学，数据存储等领域具有应用前景。
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公开(公告)号：CN106904571B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201710152199.3
申请日：2017-03-15
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种纳米尺度缝隙的制备方法，该方法根据旋涂的光刻胶在凸起处较薄这一特点，依靠一层保护层，利用两次刻蚀，便可制备出宽度易于控制的纳米尺度缝隙。相对于一般基于电子束曝光技术或透射电镜技术来制备纳米尺度缝隙的方法，本发明的方法不需要借助任何精细图形加工设备，大大降低了加工成本和操作控制难度。另外，本发明还可以批量地进行纳米尺度缝隙的制备，节约了加工制备的时间成本。
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公开(公告)号：CN108423658A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810250018.5
申请日：2018-03-26
申请人： 北京大学
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 本发明提出了一种石墨烯薄膜的制备方法，在材料学、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在熔融的可溶性盐液体表面生长石墨烯薄膜，利用可溶性盐晶体易溶于水，而水蒸发后可以再次析出可溶性盐晶体，且析出的可溶性盐晶体可以再次利用的特性，构建了一种可循环制备石墨烯薄膜的工艺方法，本发明具有成本低，副产物少，环保的特点。
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公开(公告)号：CN106904571A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710152199.3
申请日：2017-03-15
申请人： 北京大学
CPC分类号： B82B3/0038 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种纳米尺度缝隙的制备方法，该方法根据旋涂的光刻胶在凸起处较薄这一特点，依靠一层保护层，利用两次刻蚀，便可制备出宽度易于控制的纳米尺度缝隙。相对于一般基于电子束曝光技术或透射电镜技术来制备纳米尺度缝隙的方法，本发明的方法不需要借助任何精细图形加工设备，大大降低了加工成本和操作控制难度。另外，本发明还可以批量地进行纳米尺度缝隙的制备，节约了加工制备的时间成本。
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公开(公告)号：CN108461446B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201810250000.5
申请日：2018-03-26
申请人： 北京大学
摘要： 本发明提出了一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在常规的源(或漏)金属和石墨烯接触的基础上插入一层不连续或是多孔连续的金属氧化薄膜构成金属/氧化层/石墨烯的接触结构，或是第二金属/第一金属/氧化层/石墨烯的接触结构，同时在石墨烯沟道上方覆盖金属、金属氧化物或是有机物等材料，得到转移特性曲线具有两个电流极小值点的石墨烯倍频器件。本发明石墨烯倍频器的三次谐波的能量或是四次谐波的能量占全部输出交流信号(基频和各次谐波)能量的比例高。
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公开(公告)号：CN107123845B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201710285611.9
申请日：2017-04-27
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种金属共面波导特征阻抗值的增加方法。该方法通过在金属共面波导的信号线上覆盖二维材料，来实现对金属共面波导特征阻抗的增加。本发明在实现特征阻抗值增加的同时，不会增加导体的导体损耗。不同于一般通过调整结构参数来增加金属共面波导的特征阻抗值，本发明对金属共面波导的特征阻抗值增加的方法较为直观简单，避免了耗费大量的调整时间。另外，本发明不影响原金属共面波导制备过程中的任何加工过程，能够很好地与其制备工艺兼容。
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公开(公告)号：CN108461446A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810250000.5
申请日：2018-03-26
申请人： 北京大学
IPC分类号： H01L21/77
摘要： 本发明提出了一种单栅石墨烯倍频器的制备方法，在电子电路、微纳电子学等领域具有应用前景。本发明在常规的源(或漏)金属和石墨烯接触的基础上插入一层不连续或是多孔连续的金属氧化薄膜构成金属/氧化层/石墨烯的接触结构，或是第二金属/第一金属/氧化层/石墨烯的接触结构，同时在石墨烯沟道上方覆盖金属、金属氧化物或是有机物等材料，得到转移特性曲线具有两个电流极小值点的石墨烯倍频器件。本发明石墨烯倍频器的三次谐波的能量或是四次谐波的能量占全部输出交流信号(基频和各次谐波)能量的比例高。
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公开(公告)号：CN107123845A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710285611.9
申请日：2017-04-27
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种金属共面波导特征阻抗值的增加方法。该方法通过在金属共面波导的信号线上覆盖二维材料，来实现对金属共面波导特征阻抗的增加。本发明在实现特征阻抗值增加的同时，不会增加导体的导体损耗。不同于一般通过调整结构参数来增加金属共面波导的特征阻抗值，本发明对金属共面波导的特征阻抗值增加的方法较为直观简单，避免了耗费大量的调整时间。另外，本发明不影响原金属共面波导制备过程中的任何加工过程，能够很好地与其制备工艺兼容。
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