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公开(公告)号：CN101200291A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710178428.5
申请日：2007-11-30
申请人： 北京大学
CPC分类号： B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B32/18 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , Y10S977/734 , Y10S977/845
摘要： 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN1920665A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610113179.7
申请日：2006-09-18
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种用于合成碳纳米管的催化剂的定位的方法。该方法，包括以下步骤：1)在基底上涂光刻胶并烘干；2)配制催化剂溶液；3)用蘸有催化剂溶液的原子力显微镜针尖穿透光刻胶涂层，将针尖上的溶液转移到基底上；4)剥离光刻胶，得到定位有催化剂图形的基底。本发明可以在厘米以上尺度范围，获得线条宽度在1μm以内、点直径在1微米以内、定位精度在5μm以内的催化剂图案，而且具有在同一基底上精确定位两种或两种以上催化剂的能力。相对于普通的纳米蘸笔印刷技术而言，本发明可以淀积大量的物质，淀积的催化剂可以用于表面合成碳纳米管。本发明是对纳米蘸笔印刷技术在纳米材料合成等领域的拓展，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN100580551C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610113179.7
申请日：2006-09-18
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种用于合成碳纳米管的催化剂的定位的方法。该方法，包括以下步骤：1)在基底上涂光刻胶并烘干；2)配制催化剂溶液；3)用蘸有催化剂溶液的原子力显微镜针尖穿透光刻胶涂层，将针尖上的溶液转移到基底上；4)剥离光刻胶，得到定位有催化剂图形的基底。本发明可以在厘米以上尺度范围，获得线条宽度在1μm以内、点直径在1微米以内、定位精度在5μm以内的催化剂图案，而且具有在同一基底上精确定位两种或两种以上催化剂的能力。相对于普通的纳米蘸笔印刷技术而言，本发明可以淀积大量的物质，淀积的催化剂可以用于表面合成碳纳米管。本发明是对纳米蘸笔印刷技术在纳米材料合成等领域的拓展，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101195482A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN101195482B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710179050.0
申请日：2007-12-10
申请人： 北京大学
摘要： 本发明公开了一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法。本发明所提高的生长半导体性单壁碳纳米管的方法，包括如下步骤：1)在基底上放置催化剂；2)将所述基底放置于两个电极板之间，在化学气相沉积系统中采用化学气相沉积方法在所述基底上生长得到半导体性单壁碳纳米管阵列；所述电极板上施加有电压，两个电极板中间形成有电场。本发明采用电场辅助的方法使金属性单壁碳纳米管在生长的过程中受到扰动，从而使半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管在生长过程中得到分离，最终选择性生长出半导体性单壁碳纳米管，相对于后处理的方法，直接合成的半导体性碳纳米管没有经过其它处理，具有更完美的结构和分散性，更适合用来构建各种碳纳米管器件。
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公开(公告)号：CN100569637C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200710178428.5
申请日：2007-11-30
申请人： 北京大学
CPC分类号： B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B32/18 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , Y10S977/734 , Y10S977/845
摘要： 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。
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