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公开(公告)号:CN108885172A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201780017029.2
申请日:2017-02-22
申请人: 国际商业机器公司
IPC分类号: G01N21/63
CPC分类号: H01L51/0048 , C01B32/168 , C01B32/17 , C01B32/176 , C01B2202/08 , C01B2202/22 , H01L27/305 , H01L51/0003 , H01L51/0021 , H01L51/0025 , H01L51/441 , H01L2251/301
摘要: 检测器及其形成方法包括将半导体碳纳米管平行排列在基板上以形成纳米管层(208)。将纳米管层中的排列的半导体碳纳米管切割成对应于检测频率的一致的长度(216)。在纳米管层的相对端形成金属触点(218)。
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公开(公告)号:CN105189840B
公开(公告)日:2018-04-06
申请号:CN201480026641.2
申请日:2014-05-15
申请人: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号: D02G3/02 , C01B32/168 , D01F9/127
CPC分类号: C01B31/0226 , C01B32/168 , C01B32/174 , C01B2202/02 , C01B2202/22 , D01D5/06 , D01D5/12 , D01F9/12 , D02G3/16 , D10B2101/122
摘要: 本发明的目的在于提供具有良好导电率和强度的CNT丝以及一种用于制造CNT丝的方法。本发明提供一种包含碳纳米管并且具有10%到50%的拉伸率的拉伸丝。
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公开(公告)号:CN107416795A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710793824.2
申请日:2017-09-06
申请人: 张永霞
发明人: 张永霞
IPC分类号: C01B32/168
CPC分类号: C01B2202/22 , C01P2006/40
摘要: 本发明公开了一种导电碳纳米管材料的制备方法,本发明的导电碳纳米管材料以碳纳米管、乙炔炭黑为导电原料,通过将碳纳米管、乙炔炭黑分别进行有机化处理后再混合,有效的提高了复合材料的稳定性。
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公开(公告)号:CN107311148A
公开(公告)日:2017-11-03
申请号:CN201710657476.6
申请日:2017-08-03
申请人: 复旦大学
IPC分类号: C01B32/16 , H01M4/587 , H01M10/0525
CPC分类号: H01M10/0525 , C01B2202/08 , C01B2202/22 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C01P2004/03 , C01P2004/13 , C01P2004/50 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/80 , C01P2006/40 , H01M4/587
摘要: 本发明属于电极技术领域,具体为一种长度直径精确可控的碳纳米管阵列切片及其制备方法和应用。本发明制备方法包括:通过化学气相沉积法生长取向碳纳米管阵列;以取向碳纳米管阵列作为模板,用乙烯为碳源,通过化学气相沉积法在其表面生长出一层同轴的石墨烯层,得到具有核壳结构的取向碳纳米阵列;在生长过程中可通过掺杂方式引入各种杂原子;最后使用冷冻切片的方式,沿直径方向对上述碳纳米管阵列进行剪切,通过对进刀距离的调控,得到高度可控的碳纳米管阵列切片。使用该类碳纳米管阵列切片作为电极材料,制备的锂离子电池具有优异的储能性能,其比容量最高可达2450 mAh/g。
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公开(公告)号:CN107207260A
公开(公告)日:2017-09-26
申请号:CN201680008529.5
申请日:2016-02-05
申请人: 东丽株式会社
IPC分类号: C01B32/158 , H01B1/00 , H01B1/24 , H01B13/00
CPC分类号: C01B32/174 , B82Y30/00 , C01B32/05 , C01B32/17 , C01B2202/06 , C01B2202/22 , H01B1/00 , H01B1/04 , H01B1/24 , H01B13/00 , H01B13/322
摘要: 本发明涉及一种碳纳米管分散液,含有含碳纳米管的组合物、重均分子量为0.1万以上且40万以下的分散剂、挥发性盐和水系溶剂。本发明提供即使以比以往少的分散剂使用量也能够维持碳纳米管的高分散性的碳纳米管分散液。
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公开(公告)号:CN107161984A
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201710509835.3
申请日:2017-06-28
申请人: 华南理工大学
IPC分类号: C01B32/184
CPC分类号: C01B2202/22
摘要: 本发明公开了一种抗坏血酸/茶多酚协同作用制备石墨烯的方法。该方法包括如下步骤:(1)将氧化石墨烯置于超纯水中,超声分散后,得到稳定均一的氧化石墨烯悬浮液;(2)以抗坏血酸/茶多酚双组分体系作为还原剂,并在搅拌条件下加入得到的氧化石墨烯悬浮液中,避光条件下油浴加热进行反应,反应结束后将反应产物经过滤、洗涤、干燥,得到所述石墨烯。本发明制备方法具有简单易行、易于工业化生产的优势;同时,所使用的还原剂具有来源广泛、绿色无污染的特点,以抗坏血酸/茶多酚双组分还原体系对氧化石墨烯的还原效果较抗坏血酸/茶多酚中单一还原组分效果更优,且制备的石墨烯具有优异的导电性能。
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公开(公告)号:CN107055513A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201710067143.8
申请日:2011-06-20
申请人: 设计纳米管有限责任公司
发明人: 克莱夫·P·博什尼亚克 , 库尔特·W·斯沃格
IPC分类号: C01B32/168 , C01B32/174 , C01B32/176 , D01F9/12 , C08K7/24 , C08K7/06 , C08K3/04 , C08L63/00
CPC分类号: C08K9/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/168 , C01B32/174 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C08K9/02 , C08K2201/003 , C08K2201/004 , Y10S977/748 , Y10S977/847 , Y10T428/2918 , D01F9/12 , C01B2202/06 , C01B2202/22 , C01B2202/30 , C01P2002/85 , C08K3/04 , C08K7/06 , C08K7/24 , C08K2201/011 , C08L63/00
摘要: 本发明涉及碳纳米管的剥离和分散,得到高长径比、表面改性的碳纳米管,其易于分散到各种介质中。公开了一种在高产率用于其生产的方法。还公开了通过表面活化或改性剂进一步的改性。还公开了本发明的碳纳米管与材料如弹性体、热固性和热塑性材料一起作为复合材料的用途。
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公开(公告)号:CN104918881B
公开(公告)日:2017-04-05
申请号:CN201480004965.6
申请日:2014-09-30
申请人: LG化学株式会社
IPC分类号: C01B32/162 , B01J37/08
CPC分类号: C01B32/158 , B01J21/185 , B01J23/22 , B01J23/28 , B01J23/70 , B01J23/745 , B01J23/8472 , B01J23/88 , B01J23/8877 , B01J35/0026 , B01J37/08 , C01B32/162 , C01B2202/22
摘要: 提供的是一种使得在碳纳米管聚集体的生产中控制堆积密度的方法。根据本发明能够很容易地控制束型碳纳米管聚集体的堆积密度,并且因此能够在各种领域中有效地使用。
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公开(公告)号:CN106276847A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610571476.X
申请日:2016-07-20
申请人: 苏州顾氏新材料有限公司
IPC分类号: C01B31/02
CPC分类号: C01B2202/22 , C01P2004/03 , C01P2004/04
摘要: 本发明属于锂电池技术领域,涉及一种碳纳米管的制备方法。一种碳纳米管的制备方法,通过向反应器中分别加入钴化合物、含碳氮有机物和溶剂,经过恒温反应、红外烘干,恒温煅烧、酸煮工艺得到纯净的碳纳米管。本发明采用比较廉价的原料来合成碳纳米管的前驱体,并有效地降低了煅烧的温度,在更加温和的反应条件下得到碳纳米管,工艺简单,成本较低,产量和稳定性较高,并且对反应设备要求比较低且对环境友好,适合大批量合成碳纳米管。本发明制得的碳纳米管由于其较大的层间距,可以使锂离子在其中快速的嵌入和脱出,并且管状的结构在多次的充放电过程中不会崩塌,有效地实现了锂离子电池的快速充放电。
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公开(公告)号:CN105565292A
公开(公告)日:2016-05-11
申请号:CN201410594881.4
申请日:2014-10-29
申请人: 北京大学
CPC分类号: C30B29/02 , B05D1/005 , B05D1/60 , B05D3/007 , B05D3/0406 , B05D3/0453 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B31/0233 , C01B32/162 , C01B2202/02 , C01B2202/08 , C01B2202/22 , C23C16/0272 , C23C16/26 , C23C16/45512 , C30B25/186 , C30B29/20 , C30B31/04 , H01L51/0002 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , H01L51/0558 , H01L51/0566 , Y10S977/75 , Y10S977/843 , Y10S977/938
摘要: 本发明公开了一种超高密度单壁碳纳米管水平阵列及其制备方法。该方法,包括如下步骤:在单晶生长基底上加载催化剂,退火后,在化学气相沉积系统中通入氢气进行所述催化剂的还原反应,并保持氢气的通入进行单壁碳纳米管的定向生长即得。该方法制备得到超高密度单壁碳纳米管水平阵列的密度超过130根/微米,这是目前世界上已报道直接生长密度最高的单壁碳纳米管水平阵列。对本发明制备的超高密度单壁碳纳米管水平阵列进行电学性能测试,其开电流密度达到380μA/μm,跨导达到102.5μS/μm,均是目前世界上碳纳米管场效应晶体管中的最高水平。
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