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公开(公告)号：CN108460293A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710095174.4
申请日：2017-02-22
Applicant: 北京大学
IPC: G06F21/64
Abstract: 本发明公开了一种应用程序完整性多级检查机制，包括：结合页面级和文件级的程序完整性多级检查机制。页面级检查对实际访问内容进行检查，文件级检查对文件全部内容进行检查；使用一个只读数据库存储页面级检查的特征数据，每个文件的特征数据置于文件扩展属性或嵌入文件内容；操作系统在装载应用程序时，查询特征数据库获得文件对应的特征数据，在缺页处理过程中完成对调入页面的完整性检查。文件级完整性检查在应用程序装载期完成。本发明的核心是以页面级完整性检查为主，以文件级完整性检查为补充。本检查机制可在多种系统中实现，即使在计算资源有限的轻量级终端上，其性能开销也可以控制在较低范围内。
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公开(公告)号：CN104576714A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510037027.2
申请日：2015-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/04 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种硅衬底上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN基异质结构为层状叠加结构，从下向上的材料依次为：硅衬底、成核层、应力和缺陷控制层、外延层、沟道层、插入层和势垒层，其中应力和缺陷控制层为AlGaN层，其厚度为10nm-10μm；且Al摩尔组分为1-26％。与现有的较繁琐的硅上GaN基异质结构外延技术相比，本发明可以大幅降低缺陷密度，提高异质结构材料的晶体质量，十分适合于低成本的高频、高功率器件的研制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105466970A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510921283.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN106601787B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201611087469.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公布了一种高电学性能InxAlyGa1‑x‑yN/GaN异质结构外延方法，是在生长一层GaN外延层后，在其上生长GaN沟道层；然后停止生长，将温度降至低温，即600‑900℃温度范围内；待温度稳定后生长低温AlN插入层；随后再生长InxAlyGa1‑x‑yN势垒层，形成InxAlyGa1‑x‑yN/GaN异质结构。与现有的高温AlN插入层技术相比，本发明改为低温AlN插入层，避免了GaN外延层在高温AlN插入层生长环境下的表面退化，降低了界面的粗糙度，提高了异质结构材料的界面质量，进而提高2DEG的迁移率，十分适合于高频、高功率器件的研制。
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公开(公告)号：CN105466970B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510921283.8
申请日：2015-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公布了一种用于检测GaN基异质结构中陷阱态的检测方法和检测结构，首先制备得到用于检测氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态的检测结构，再对氮化镓(GaN)基异质结构中陷阱态进行检测，利用衬底和样品表面的导电特性，在样品的表面和衬底背面形成三端的欧姆接触，通过分别施加横向和纵向电应力来研究高场下热电子的俘获和发射过程，进而通过改变样品结构，最终确定样品中的陷阱位置是位于氮化镓沟道层、氮化镓外延层还是势垒层，还可获得陷阱的局域态信息。本发明方法简单且快捷有效，能够确定GaN基异质结构中陷阱态，有利于进一步提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN104576714B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510037027.2
申请日：2015-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/04 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种硅衬底上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法，属于半导体技术领域。该GaN基异质结构为层状叠加结构，从下向上的材料依次为：硅衬底、成核层、应力和缺陷控制层、外延层、沟道层、插入层和势垒层，其中应力和缺陷控制层为AlGaN层，其厚度为10nm‑10μm；且Al摩尔组分为1‑26％。与现有的较繁琐的硅上GaN基异质结构外延技术相比，本发明可以大幅降低缺陷密度，提高异质结构材料的晶体质量，十分适合于低成本的高频、高功率器件的研制。
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公开(公告)号：CN106601787A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611087469.9
申请日：2016-12-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公布了一种高电学性能InxAlyGa1‑x‑yN/GaN异质结构外延方法，是在生长一层GaN外延层后，在其上生长GaN沟道层；然后停止生长，将温度降至低温，即600‑900℃温度范围内；待温度稳定后生长低温AlN插入层；随后再生长InxAlyGa1‑x‑yN势垒层，形成InxAlyGa1‑x‑yN/GaN异质结构。与现有的高温AlN插入层技术相比，本发明改为低温AlN插入层，避免了GaN外延层在高温AlN插入层生长环境下的表面退化，降低了界面的粗糙度，提高了异质结构材料的界面质量，进而提高2DEG的迁移率，十分适合于高频、高功率器件的研制。
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