一种光气耦合晶体生长装置

    公开(公告)号:CN109652859B

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN201811608221.1

    申请日:2018-12-27

    IPC分类号: C30B29/40 C30B9/10

    摘要: 本发明涉及一种光气耦合晶体生长装置,包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶,籽晶设于坩埚内,坩埚一侧开设有坩埚通光口,激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播,与现有技术相比,本发明的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内,激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播,促使输入的激光光源与氮气充分耦合,高效激发更多的氮电离,从而加速氮溶入反应溶液中,提高反应溶液中的氮含量,进而大大提升晶体生长效率。

    散热激光投影仪机箱
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113946089A

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN202111249632.8

    申请日:2021-10-26

    IPC分类号: G03B21/16

    摘要: 本发明涉及投影设备技术领域,尤指一种散热激光投影仪机箱,包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇,箱体包括相互连通的外腔和内腔;光源设置在内腔内,拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处;进风风扇的出风端与外腔连通;出风风扇的进风端与内腔连通,其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积,形成高压区,在外腔与内腔之间形成一定压差,使气体在通过拉瓦尔喷管后,气体变成超音速气体,以高速射流喷射到光源的表面,并快速从内腔流动到腔体外,有效带走热量。

    一种可调节光强型激光剥离装置

    公开(公告)号:CN110491811A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910886765.2

    申请日:2019-09-19

    IPC分类号: H01L21/67 H01L21/78 B23K26/00

    摘要: 本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种可调节光强型激光剥离装置,包括剥离室和激光器,剥离室顶部设有光学窗口,剥离室底部设有样品托盘装置,还包括光强调节装置,光强调节装置装设于剥离室内,光强调节装置位于样品托盘装置上方,激光剥离时,激光器发出的激光经光学窗口进入剥离室,进入剥离室的激光经光强调节装置调节激光强度后,再照射至样品托盘装置的待剥离样品,进行激光剥离,本发明通过调整激光光强,形成光强的强弱分布,实现样品表面光强可调,有效控制激光剥离过程,避免样品炸裂。

    一种光气耦合晶体生长装置

    公开(公告)号:CN109652859A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811608221.1

    申请日:2018-12-27

    IPC分类号: C30B29/40 C30B9/10

    摘要: 本发明涉及一种光气耦合晶体生长装置,包括反应釜体、激光光源、坩埚和籽晶,籽晶设于坩埚内,坩埚一侧开设有坩埚通光口,激光光源通过坩埚通光口以切向位置射入坩埚内、并在坩埚内以回音壁传播模式传播,与现有技术相比,本发明的激光光源从坩埚一侧以切向位置射入坩埚内,激光光源以回音壁传播模式沿坩埚内壁传播,促使输入的激光光源与氮气充分耦合,高效激发更多的氮电离,从而加速氮溶入反应溶液中,提高反应溶液中的氮含量,进而大大提升晶体生长效率。

    一种紫外射线光源
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106935479A

    公开(公告)日:2017-07-07

    申请号:CN201710142725.8

    申请日:2017-03-10

    IPC分类号: H01J63/02

    CPC分类号: H01J63/02

    摘要: 一种紫外射线光源,包括密封腔体和设在该密封腔体内的发光芯片,密封腔体上设有输出窗口,所述密封腔体内设有电子发射装置、两个电极、反光杯和透镜组,两个电极分别与供电电源的正负极连接使的该两个电极之间形成加速电场,电极设在电子发射装置的出口前方,发光芯片设在反光杯内,透镜组设在反光杯的前方;电子发射装置产生电子束,该电子束穿过电极后与水平方向成倾斜方向射向发光芯片使发光芯片产生紫外灯,该紫外灯经反光杯反射后从透镜组穿过并经输出窗口输出。本发明实现阴极射线紫外光源在光束形状及质量方面可调的目的。

    一种晶体生长反应釜
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105420814A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510838168.4

    申请日:2015-11-26

    IPC分类号: C30B29/40 C30B9/12

    CPC分类号: C30B29/406 C30B9/12

    摘要: 本发明公开了一种晶体生长反应釜,包括釜体,所述釜体的侧壁为平面结构,釜体内设有腔体,该腔体的侧壁为平面结构,该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成有晶体生长区,该晶体生长区放置晶种模板,釜体侧壁外表面设有加热器,腔体内设有加热器,釜体内设有至少一个腔体,该腔体的侧壁与釜体的侧壁之间形成至少两个晶体生长区。本发明有效克服了传统反应釜曲面壁造成的反应釜内温场不均匀的问题,特别是有效提高了晶种模板表面温场的均匀度,提高晶体质量。

    一种氮化物单晶的生长装置及方法

    公开(公告)号:CN104962995A

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201510436581.8

    申请日:2015-07-23

    IPC分类号: C30B29/38 C30B7/14

    摘要: 本发明公开了一种氮化物单晶的生长装置和方法,包括反应釜,反应釜内填充有生长溶液,反应釜底部设有晶种模板,反应釜顶部设有氮气进气口,该氮气进气口内设有压力调节阀门,其特征在于,所述反应釜内设有使生长溶液形成涡流的涡流产生装置,该涡流产生装置为气流系统、氮气管路系统或者溶液回流系统,使反应釜内的生长溶液形成涡流。本发明有效克服了传统反应装置溶液对流无序及N源供给不足的缺点,有效提高了晶体质量及均匀性。

    散热激光投影仪机箱
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113946089B

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202111249632.8

    申请日:2021-10-26

    IPC分类号: G03B21/16

    摘要: 本发明涉及投影设备技术领域,尤指一种散热激光投影仪机箱,包括箱体、光源、拉瓦尔喷管、进风风扇及出风风扇,箱体包括相互连通的外腔和内腔;光源设置在内腔内,拉瓦尔喷管设置在外腔和内腔的连接处;进风风扇的出风端与外腔连通;出风风扇的进风端与内腔连通,其出风端与箱体外连通。本发明通过进风风扇将气体在外腔淤积,形成高压区,在外腔与内腔之间形成一定压差,使气体在通过拉瓦尔喷管后,气体变成超音速气体,以高速射流喷射到光源的表面,并快速从内腔流动到腔体外,有效带走热量。

    一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法

    公开(公告)号:CN106757359B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN201611110488.9

    申请日:2016-12-06

    IPC分类号: C30B29/40 C30B9/10

    摘要: 本发明公开了一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法,包括釜体和设在釜体内的加热器,所述釜体内至少设置一个晶体生长用坩埚和一个反应物溶液调整坩埚,该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚通过充满反应物溶液的连通管路连接,釜体上设有升降移动控制机构,该升降移动控制机构分别与晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚连接,带动该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚上升或下降。本发明实现反应物液体在两个坩埚间循环流动,该流动会进一步促进反应物液面的波动,增强反应物液体与氮气的进一步混合,提高材料生长速率和质量。

    一种可控悬浮晶体生长反应釜
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109402738A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811608232.X

    申请日:2018-12-27

    IPC分类号: C30B29/40 C30B9/10

    摘要: 本发明公开了一种可控悬浮晶体生长反应釜,包括反应釜体、籽晶和设置在该反应釜体内的坩埚,所述坩埚内装载有反应溶液,所述籽晶设于反应溶液内,还包括位于坩埚内的悬浮装置,所述籽晶与所述悬浮装置连接,所述悬浮装置可在反应溶液内上升或下降以调整所述籽晶在反应溶液内的位置,与现有技术相比,本发明通过增加了悬浮装置,悬浮装置能够在反应溶液中实现上浮或下沉动作,籽晶装设在悬浮装置上,实际应用中,通过调节悬浮装置在反应溶液中的位置,籽晶可以随悬浮装置连动而上浮或下沉到反应溶液内任意位置,由此可根据生长过程调整籽晶在反应溶液中的位置,有利于籽晶生长的各方面可控,保证籽晶一直处在最佳的反应溶液环境,进而大大加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。