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公开(公告)号：CN118039702A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202311656748.2
申请日：2019-09-30
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/423
摘要： 本发明涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管，包括：衬底；源极，漏极，其设置在所述衬底上；有源区，其包括设置在所述衬底上的第一部分，该部分位于所述源极和漏极之间，所述有源区还包括覆盖并直接接触所述源极和漏极部分顶面的与所述第一部分相连的第二部分，所述有源区与所述源极和漏极形成肖特基接触；绝缘层，其设置在所述源极、漏极和有源区上；以及栅电极，其设置在所述绝缘层上方。本发明还涉及一种顶栅肖特基氧化物薄膜晶体管的制备方法。
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公开(公告)号：CN113744679B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110863778.5
申请日：2021-07-29
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 本发明提供一种栅极驱动电路，其包括时钟信号线和N个级联的移位寄存器，第n级移位寄存器包括输出电路、置位电路和复位电路，输出电路包括第三晶体管和第四晶体管，置位电路的置位端口与另一移位寄存器的级传信号输出端相连，复位电路连接在第一控制节点和低电位端之间，其复位端口与第n+x级移位寄存器的驱动信号输出端相连。本发明还提供一种显示面板，其包括栅极驱动线、源极驱动线、像素电路阵列和上述栅极驱动电路。采用本发明的栅极驱动电路，输出电路独立地输出级传信号和栅极驱动信号，级传信号输出端上的负载相对于驱动信号输出端上的负载更小，栅极驱动电路在较宽的工作温度范围内都具有较高的响应速度以及较高的稳定性。
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公开(公告)号：CN108023019B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201711372080.3
申请日：2017-12-19
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 点，器件制备工艺与目前硅基工艺平台具有良好本发明实施例提供了一种钙钛矿光电晶体 的兼容性。管及其制备方法，属于光探测领域。所述光电晶体管器件包括基础衬底，位于基础衬底上的漏源金属电极，金属氧化物半导体薄膜，所述金属氧化物半导体薄膜上覆盖有电荷传输界面层，所述电荷传输界面层上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层，所述电荷传输界面层至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物薄膜分隔开，基础衬底上方设有一层钝化层，所述钝化层将器件全部覆盖。所述钙钛矿光电晶体管为底栅底接触结构，具有暗电(56)对比文件Tak, Young Jun等.Boosting VisibleLight Absorption of Metal-Oxide-BasedPhototransistors via Heterogeneous In-Ga-Zn-O and CH3NH3PbI3 Films.ACS APPLIEDMATERIALS & INTERFACES.2018,第10卷(第15期),12854-12861.周航等.茚加成C60衍生物对萘二噻吩苯并噻二唑有机聚合物电池开路电压优化.第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会论文集.2014,114.
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公开(公告)号：CN112466916B
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202011298874.1
申请日：2020-11-19
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
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公开(公告)号：CN115442547A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210880660.8
申请日：2022-07-25
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/345 , H04N5/3745
摘要： 一种像素电路，包括复位晶体管、放大晶体管、行扫描晶体管和光电二极管；复位晶体管的第一极连接到第一电平，第二极连接到光电二极管，复位晶体管的第二极和光电二极管之间的连接节点为节点G，复位晶体管导通将节点G复位为第一电平；光电二极管用于感应光照并产生光生电流，对节点G进行充电或放电形成感光电压；行扫描晶体管的控制极用于输入行扫描信号；放大晶体管的控制极连接到节点G，放大晶体管输出与节点G的感光电压相关的电流至数据读出线。由于放大晶体管Ta放大作用可以提高像素电路输出信号电荷的增益，从而光电图像传感器具有较高的信噪比。本申请同时还公开了包含该像素电路的光电图像传感器和介质。
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公开(公告)号：CN115274864A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210872263.6
申请日：2022-07-20
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： H01L29/872 , H01L23/31 , H01L21/329
摘要： 一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管包括第一金属层、钝化层、半导体层以及第二金属层；第一金属层形成在衬底上；钝化层至少部分形成在第一金属层上，形成在第一金属层上的钝化层具有与第一金属层连接的成型斜面；半导体层至少部分形成在成型斜面上，半导体层具有高出成型斜面顶部的侧壁，侧壁位于第一金属层上方，钝化层将侧壁与第一金属层隔离；半导体层与第一金属层之间形成肖特基接触；第二金属层与半导体层之间形成欧姆接触。通过在钝化层的成型斜面上形成半导体层，保证半导体层与第一金属层接触的部位不采用刻蚀形成，采用刻蚀形成的侧壁与第一金属层之间被钝化层隔离开，从而杜绝侧壁产生的漏电问题。
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公开(公告)号：CN113205776B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110467001.7
申请日：2021-04-28
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： G09G3/3225 , G09G3/3291
摘要： 本发明提供一种数据线驱动单元、显示系统及灰度相关远端辅助驱动方法，数据线驱动单元包括电压缓冲器、数据线、NMOS晶体管和PMOS晶体管，显示系统包括第一驱动单元、显示面板、第二驱动单元和显示控制器，第一驱动单元、显示面板和第二驱动单元之间形成M列驱动通道。本发明的数据线驱动单元、显示系统及灰度相关远端辅助驱动方法采用在数据线的近端和远端同时开始驱动的技术方案，近端由传统的电压缓冲器驱动，而远端则由完全导通的高压PMOS晶体管或NMOS晶体管驱动，持续周期由p_pulse或n_pulse控制，本发明结合了电压预加重、灰度相关和两端驱动方法的优点，系统具有更好的性能。
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公开(公告)号：CN111445872B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202010115547.1
申请日：2020-02-24
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 本申请公开了一种驱动模块、驱动装置以及内嵌式触控设备。驱动模块包括：输入单元，配置为获取输入信号；输出单元，配置为在时序信号组的影响下，基于输入信号在输出节点提供输出信号；电位保持单元，其包括第一节点，第一节点电容耦合至时序信号组中的第一时序信号并且配置为通过第一节点来将输出节点和输出单元的驱动节点保持在低电位，其中，电位保持单元还配置为：(i)在时序信号组的作用下，在第一节点处存储输入信号，并且基于已存储的输入信号或第二节点处的信号向驱动节点执行充电操作；或者(ii)在时序信号组的影响下，在第二节点处存储输入信号，并且基于第一节点处的信号向驱动节点执行充电操作。
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公开(公告)号：CN112466916A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011298874.1
申请日：2020-11-19
申请人： 北京大学深圳研究生院
摘要： 一种显示面板的屏内传感器件结构及显示装置，包括衬底、以及位于所述衬底上的第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层，第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层不同时形成，也就是将显示器件的控制器件和传感器件的控制器件做在同一衬底上，但两种器件的所对应的控制TFT，即第一控制薄膜晶体管层和第二控制薄膜晶体管层设计在不同层内，使传感器件自身及其控制TFT都有足够版图布置面积，使得更好的发挥应用，同时能够降低工艺复杂性，还能够使得该显示面板的屏内传感器件结构达到更好地实际应用。
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公开(公告)号：CN109785800B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910163742.9
申请日：2019-03-05
申请人： 北京大学深圳研究生院
IPC分类号： G09G3/3266 , G09G3/3291
摘要： 一种实施例的微显示像素电路，采用“源极跟随”结构提取驱动晶体管的阈值电压，并且存储于耦合电容C1上，以补偿驱动晶体管阈值电压不均匀性。在阈值电压提取阶段，参考电位VREF加于驱动晶体管的控制极(例如栅极)，驱动晶体管第二极(例如源极)电位被抬高直至驱动晶体管关断，于是驱动晶体管的阈值电压被存储在耦合电容C1的两端。在发光阶段，耦合电容C1两端存储的编程电压中包含的驱动晶体管阈值电压信息能够被消除，从而能够补偿驱动晶体管的阈值电压不均匀性。
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