公开(公告)号：CN116397322A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202111626065.3

申请日：2021-12-28

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司 ,  新疆天科合达蓝光半导体有限公司 ,  江苏天科合达半导体有限公司

发明人： 娄艳芳 ,  刘春俊 ,  王光明 ,  姚静 ,  雍庆 ,  张雪霞 ,  刘强 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/36 ,  C30B23/06

摘要： 本发明公开了一种碳化硅单晶的生长装置，包括用于装载碳化硅原料的坩埚，还包括设置于所述坩埚内部的导流部。所述坩埚的上平面用于固定籽晶，在所述坩埚完成碳化硅原料的装载后，所述导流部的下端低于所述坩埚中的碳化硅原料上表面，用于将碳化硅原料分割为多个区域，所述导流部的上端高于所述坩埚的碳化硅原料上表面，多个区域的碳化硅原料升华为气相后，在所述导流部的导向作用下向上运动并接触所述籽晶。本发明提供的碳化硅单晶的生长装置，通过在坩埚内设置导流部，将升华的气相碳化硅原料均匀导向至坩埚顶部的籽晶，使得气相碳化硅原料在籽晶生长平面上均匀沉积，从而获得质量均匀的碳化硅单晶。

公开(公告)号：CN117187948A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311163973.2

申请日：2023-09-11

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 刘强 ,  娄艳芳 ,  刘春俊 ,  张雪霞 ,  尤悦 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本申请公开了一种碳化硅晶体生长装置及方法，所述装置包括：底托盖、石墨板和坩埚，底托盖上包括气孔，底托盖位于石墨板的上方，石墨板位于坩埚的上方。底托盖，用于固定石墨板，并通过底托盖上的气孔进行通气；石墨板，用于粘接碳化硅籽晶；坩埚，用于放置生长碳化硅晶体的原料。通过底托盖和石墨板替换了传统方法中的石墨底托，然后通过底托盖上的气孔在碳化硅晶体的生长冷却过程中进行通气，使得气体在底托盖和石墨板之间充分接触实现了均匀降温，由于气体处于流动状态，可带走额外的热量，增强了晶体散热，从而维持了径向温度梯度的一致性，减少了晶体生长过程中出现位错、层错等缺陷的风险，提升了碳化硅晶体的生长质量。

公开(公告)号：CN221588752U

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202322941793.4

申请日：2023-10-31

申请人： 北京天科合达半导体股份有限公司

发明人： 张雪霞 ,  娄艳芳 ,  刘春俊 ,  姚静 ,  刘强 ,  彭同华 ,  杨建

IPC分类号： C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本实用新型提供了一种用于制备碳化硅单晶的坩埚结构，包括：坩埚主体；所述坩埚主体包括原料腔与生长腔；所述原料腔与生长腔通过石墨过滤件分开；所述石墨过滤件设置有贯穿的、上窄下宽的锥形孔洞；所述原料腔与生长腔通过锥形孔洞相连通。与现有技术相比，本实用新型提供的坩埚结构中的石墨过滤结构可有效阻挡来自生长初期石墨被侵蚀产生的石墨颗粒和后期原料中的碳颗粒，在保证气流能够顺利通过的情况下，有效地提高了晶体生长全阶段的包裹质量；并且本实用新型通过石墨过滤件在气体传输区域对气流进行过滤，可在不减少装料量、不影响温场的情况下，有效减少晶体生长过程中产生的包裹，提高晶体生长质量。