公开(公告)号：CN102503400A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110345065.6

申请日：2011-11-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  司美菊 ,  朱满康 ,  葛海燕 ,  严辉

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 一种栅极电介质材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明公开了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料，(1-x)LaAlO3-x BiAlO3，其中BiAlO3的固溶量是5-20％摩尔比；本发明还公布了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料的制备方法，包括按(1-x)LaAlO3-x BiAlO3的固溶量进行配料、混料、一次球磨、煅烧、二次球磨、排塑、烧结、被覆电极。利用本发明提供的方法获得的陶瓷材料，具有高于LaAlO3陶瓷材料的介电常数、低于LaAlO3陶瓷材料的介电损耗和烧结温度，所以本发明所提供的陶瓷材料可作为集成电路中新型栅极电介质材料使用。

公开(公告)号：CN102503400B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201110345065.6

申请日：2011-11-04

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 侯育冬 ,  司美菊 ,  朱满康 ,  葛海燕 ,  严辉

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

Abstract: 一种栅极电介质材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明公开了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料，(1-x)LaAlO3-x？BiAlO3，其中BiAlO3的固溶量是5-20％摩尔比；本发明还公布了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料的制备方法，包括按(1-x)LaAlO3-x？BiAlO3的固溶量进行配料、混料、一次球磨、煅烧、二次球磨、排塑、烧结、被覆电极。利用本发明提供的方法获得的陶瓷材料，具有高于LaAlO3陶瓷材料的介电常数、低于LaAlO3陶瓷材料的介电损耗和烧结温度，所以本发明所提供的陶瓷材料可作为集成电路中新型栅极电介质材料使用。