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公开(公告)号：CN102992403A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210404479.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种制备一维纳米棒状铌酸钾粉体的方法，属于铌酸钾粉体技术领域。按照摩尔比1∶3∶（5～30）称量K2CO3、Nb2O5及熔盐KCl，装入以二氧化锆球为磨介、以无水乙醇为分散介质的尼龙罐中，球磨、烘干；置于氧化铝坩埚中，密封，在600～900℃下煅烧，冷却后，洗涤；然后加入HNO3溶液中，于90℃加热搅拌6～24h，洗涤；置于氧化铝坩埚中，密封在400～550℃下煅烧；与原料K2CO3、熔盐KCl按照摩尔比1∶1∶（5～20）置于氧化铝坩埚中，密封，在600～800℃下煅烧、洗涤、干燥。本发明方法得到的一维KNbO3纳米棒大小均一、分散性好、烧结活性高。
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公开(公告)号：CN102503400B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110345065.6
申请日：2011-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种栅极电介质材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明公开了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料，(1-x)LaAlO3-x？BiAlO3，其中BiAlO3的固溶量是5-20％摩尔比；本发明还公布了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料的制备方法，包括按(1-x)LaAlO3-x？BiAlO3的固溶量进行配料、混料、一次球磨、煅烧、二次球磨、排塑、烧结、被覆电极。利用本发明提供的方法获得的陶瓷材料，具有高于LaAlO3陶瓷材料的介电常数、低于LaAlO3陶瓷材料的介电损耗和烧结温度，所以本发明所提供的陶瓷材料可作为集成电路中新型栅极电介质材料使用。
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公开(公告)号：CN101249986A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810102879.5
申请日：2008-03-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01G33/00 , C04B35/495 , C04B35/626
Abstract: 无铅压电陶瓷KNbO3超细粉体及其烧结体的制备方法属于压电陶瓷领域。本发明拟解决传统KN粉体合成方法中能耗高、粉体粗、易团聚，活性差的问题。本发明通过将摩尔比1∶1的K2CO3和Nb2O5，以二氧化锆球为磨介，以无水乙醇为分散介质，球磨6～12h；再按熔盐与原料质量比1∶5～3∶7加入KCl熔盐，球磨6～12h；再将混合物于600℃～900℃，晶化2～4h；用去离子水洗涤至滤液中不含氯离子后干燥，得到KN超细粉体。将KN超细粉体经加压成型后于氧气氛中，1000℃～1100℃烧结2～4h，成陶瓷烧结体。本发明具有生产工艺简单、能耗低、所制备粉体超细、团聚程度弱，KN压电陶瓷电学性能优良等优点。
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公开(公告)号：CN102875939B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201210404713.5
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法，属于介电复合材料技术领域。将聚偏氟乙烯加入DMF中，超声20～40min，得到聚偏氟乙烯的浓度为10～50wt%的透明溶液A；将铌酸钾加入到透明溶液A中，超声5～20min，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中，置于80～120℃下烘干成膜，即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B，铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9～5∶5；将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中，然后将磨具放在粉末压片机上热压成型。本发明的复合材料介电常数较高、介电损耗较低、制备工艺简单、绿色环保的高介电常数聚合物基复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN102557636B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201210042176.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 铋层高温压电陶瓷铌酸铋钠纳米粉体的溶胶-凝胶合成方法，属于压电陶瓷材料技术领域。将Nb2O5与KOH混合煅烧得到产物溶于去离子水，用硝酸滴定至pH＝2～3，收集沉淀溶解于草酸得到溶液A；用氨水滴定至pH＝10～11，离心分离获得白色沉淀B；将B溶解于柠檬酸中得溶液C；将Na2CO3和Bi(NO3)3溶于乙酸中，同时加入乙醇胺络合Bi3+离子，加热搅拌形成溶液D；将溶液C与D混合并加入乙醇胺调节pH＝7～9得溶胶E；将E于干燥得到干凝胶F；将干凝胶F于300～350℃下处理得中间产物G；将中间产物G650～850℃下晶化。本发明生产工艺简单、低成本、低能耗、制备的NBN纳米粉体成分均匀。
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公开(公告)号：CN102875939A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210404713.5
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法，属于介电复合材料技术领域。将聚偏氟乙烯加入DMF中，超声20~40min，得到聚偏氟乙烯的浓度为10~50wt%的透明溶液A；将铌酸钾加入到透明溶液A中，超声5~20min，把得到的悬浊液倒入玻璃皿中，置于80~120°C下烘干成膜，即可得到铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B，铌酸钾与聚偏氟乙烯质量比为1∶9~5∶5；将铌酸钾/聚偏氟乙烯复合薄膜B折叠后放入热压模具中，然后将磨具放在粉末压片机上热压成型。本发明的复合材料介电常数较高、介电损耗较低、制备工艺简单、绿色环保的高介电常数聚合物基复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN102557636A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210042176.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 铋层高温压电陶瓷铌酸铋钠纳米粉体的溶胶-凝胶合成方法，属于压电陶瓷材料技术领域。将Nb2O5与KOH混合煅烧得到产物溶于去离子水，用硝酸滴定至pH＝2～3，收集沉淀溶解于草酸得到溶液A；用氨水滴定至pH＝10～11，离心分离获得白色沉淀B；将B溶解于柠檬酸中得溶液C；将Na2CO3和Bi(NO3)3溶于乙酸中，同时加入乙醇胺络合Bi3+离子，加热搅拌形成溶液D；将溶液C与D混合并加入乙醇胺调节pH＝7～9得溶胶E；将E于干燥得到干凝胶F；将干凝胶F于300～350℃下处理得中间产物G；将中间产物G650～850℃下晶化。本发明生产工艺简单、低成本、低能耗、制备的NBN纳米粉体成分均匀。
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公开(公告)号：CN102503400A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110345065.6
申请日：2011-11-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/44 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种栅极电介质材料及其制备方法，属于电子陶瓷材料技术领域。本发明公开了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料，(1-x)LaAlO3-x BiAlO3，其中BiAlO3的固溶量是5-20％摩尔比；本发明还公布了一种高介电、低损耗、新型栅极电介质材料的制备方法，包括按(1-x)LaAlO3-x BiAlO3的固溶量进行配料、混料、一次球磨、煅烧、二次球磨、排塑、烧结、被覆电极。利用本发明提供的方法获得的陶瓷材料，具有高于LaAlO3陶瓷材料的介电常数、低于LaAlO3陶瓷材料的介电损耗和烧结温度，所以本发明所提供的陶瓷材料可作为集成电路中新型栅极电介质材料使用。
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