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公开(公告)号：CN118226409A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410277714.0
申请日：2024-03-12
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G01S7/481
摘要： 本发明公开了一种基于集成超表面VCSEL的光束扫描系统，包括控制电路和集成超表面VCSEL芯片。所述集成超表面VCSEL芯片为阵列单元上集成超表面的VCSEL芯片。所述控制电路与集成超表面VCSEL芯片连接，通过控制电路控制集成超表面VCSEL芯片出射激光，出射激光经由集成超表面VCSEL芯片的阵列单元上的超表面偏转实现光束扫描。每个阵列单元均设计对应偏转角度的超表面来实现光束偏转，并最终由FPGA开发板进行自定义控制。可以实现激光雷达所需的大角度扫描。
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公开(公告)号：CN116231450A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310198084.3
申请日：2023-03-03
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明提供了一种实现空间光束片上生成的边发射激光器的制备方法，包括：获取隧道级联半导体激光器外延结构，并根据所述隧道级联半导体激光器外延结构进行封装，得到大光腔边发射激光器；利用FDTD单元参数扫描及空间光场分布函数结合MATLAB计算得到所述集成在大光腔边发射激光器上的超构表面相位分布，并选取不同尺寸的纳米柱生成相应结构版图；根据所述相应结构版图，利用聚焦离子束工艺在所述大光腔边发射激光器出光的有源区端面刻蚀超构表面，构建超构表面边发射激光器。本发明解决了现有技术中激光器存在输出功率较小和发散角过大，光束质量低，功能单一的问题。
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公开(公告)号：CN116345306A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310198072.0
申请日：2023-03-03
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种片上生成矢量光束的垂直腔面发射激光器及制作方法，涉及微纳结构及半导体激光器技术领域，其结构主要包括欧姆接触保护电极、周期交替生长的上分布布拉格反射镜、电流限制氧化孔、氧化限制层；有源区、周期性交替生长的下分布布拉格反射镜、GaAs衬底层、P型金属电极层、钝化层、BCB固化绝缘层、N型金属电极层、出光孔和超构表面。本发明通过常规的半导体加工工艺，能够容易地在垂直腔面发射激光器出光端面集成双折射方形纳米柱结构，在芯片级上实现矢量光束的生成与操控；所开发的方法为VCSEL平台实现定制矢量光束铺平了道路，解决了传统的矢量光束生成装置结构复杂，体积大、效率低、不易操作等问题。
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公开(公告)号：CN112838474A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110058763.1
申请日：2021-01-16
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了外延集成介质膜DBR外腔面发射激光器，包括P型金属电极层、钝化层、周期交替生长的上分布式布拉格反射镜、高铝组分的氧化限制层、有源区、周期生长的下分布式布拉格反射镜、GaAs衬底层、N型金属电极层、电流限制氧化孔、相位匹配层、腔长匹配层、氧化硅氮化硅介质膜分布式布拉格反射镜和出光孔；本发明中采用生长相位匹配层、腔长匹配层的方法延长垂直腔面发射激光器的固有腔长，通过感应耦合等离子体增强气相沉积的方法外延氧化硅氮化硅介质膜分布式布拉格反射镜，达到控制光偏振的同时压窄线宽。本发明降低半导体激光器阈值，提高了器件的成品率。
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公开(公告)号：CN116073233A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310198087.7
申请日：2023-03-03
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明提供了一种携带多通道轨道角动量的光束生成芯片的制备方法，包括：获取双面抛光的倒装980nm垂直腔面发射激光器的外延结构；基于垂直腔面发射激光器二维平面易于集成特性，通过电子束曝光和ICP刻蚀工艺在所述外延结构的衬底端面集成偏振不敏感的圆形纳米柱结构，以控制所述垂直腔面发射激光器的相位。本发明能够实现片上OAM模式的定向生成和携带多通道OAM模式的光束生成，解决传统的OAM生成装置结构复杂，体积大、可靠性低、不易操作等问题。
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