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公开(公告)号：CN118226409A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410277714.0
申请日：2024-03-12
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： G01S7/481
摘要： 本发明公开了一种基于集成超表面VCSEL的光束扫描系统，包括控制电路和集成超表面VCSEL芯片。所述集成超表面VCSEL芯片为阵列单元上集成超表面的VCSEL芯片。所述控制电路与集成超表面VCSEL芯片连接，通过控制电路控制集成超表面VCSEL芯片出射激光，出射激光经由集成超表面VCSEL芯片的阵列单元上的超表面偏转实现光束扫描。每个阵列单元均设计对应偏转角度的超表面来实现光束偏转，并最终由FPGA开发板进行自定义控制。可以实现激光雷达所需的大角度扫描。
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公开(公告)号：CN116219541A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310198085.8
申请日：2023-03-03
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明提供了一种可转移、复用性超薄光学超构表面的制备方法，包括：获取衬底，并利用第一生长技术在衬底表面生长牺牲层和微米级薄层；对微米级薄层进行外延，得到微米级薄层的外延结构；利用第二生长技术在外延结构的表面成长应力层，得到应力层‑微米级薄层‑牺牲层‑衬底的结构；腐蚀牺牲层，得到应力层‑微米级薄层‑衬底的结构；利用应力层产生的应力将微米级薄层与衬底分离，得到应力层‑微米级薄层结构和衬底；去除应力层，得到微米级薄层和衬底；对微米级薄层进行处理，得到超薄超构表面。本发明解决了现有技术中集成式超构表面有着灵活性差、加工成本高、加工后不可分离、不可重复利用的问题。
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公开(公告)号：CN109216496B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201811231680.2
申请日：2018-10-22
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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公开(公告)号：CN107611779B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710953605.6
申请日：2017-10-13
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种VCSEL耦合阵列与表面光学移相器片上集成的光束扫描芯片，属于半导体激光器技术和光束扫描技术的交叉技术领域。本发明通过采用质子注入、光子晶体或腔诱导反波导等技术，实现VCSEL阵列单元间的耦合，阵列各单元发射出功率一致的相干光。利用VCSEL阵列平面结构的特点，通过光刻、溅射、PECVD、ICP、蒸镀等工艺，在VCSEL耦合阵列表面集成透射式光学移相器阵列，从而获得体积小、结构紧凑、集成度高的光束扫描芯片。它解决了传统的光学相控阵光束扫描装置中因激光光源与移相器阵列在空间上分离而导致的体积大、可靠性低、安装复杂等问题，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN109216496A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811231680.2
申请日：2018-10-22
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了应用派瑞林N薄膜直接生长石墨烯的硅肖特基结探测器，属于半导体光电子器件技术领域。其基本结构从下往上依次为：下金属电极、轻掺杂n型硅、二氧化硅绝缘层、石墨烯薄膜、上金属电极。应用派瑞林N直接生长石墨烯，生长原理简单，生长速度快，石墨烯无需转移，大幅度提升器件制备效率。制得的石墨烯与衬底接触良好，石墨烯薄膜均匀，污染少，因此所得到的探测器一致性好。适合于未来石墨烯—硅肖特基结探测器的大规模产业化制备。
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公开(公告)号：CN105836733B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610144523.2
申请日：2016-03-14
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C01B32/186
摘要： 一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长完成后去除表面石墨烯薄膜与金属层。本发明改善了非金属衬底上直接生长的石墨烯的质量，经过再次催化生长后，石墨烯薄膜的质量和性能均得到了显著提升。
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公开(公告)号：CN107012443A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710246595.2
申请日：2017-04-16
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： C23C16/26 , C23C16/0281 , C23C16/56
摘要： 一种绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的工艺方法，属于石墨烯材料制备领域。绝缘衬底直接生长石墨烯和在此基础上进行的石墨烯图形化生长。通过在绝缘衬底上首先镀上一层铜作为催化剂，然后在铜的催化下石墨烯会生长在镀铜的表面，再保持高温退火使铜挥发，铜挥发后，石墨烯会落在绝缘衬底表面，达到绝缘衬底直接生长石墨烯的目的。之后，在直接生长的基础上，通过光刻工艺使镀的铜具有一定的图形，与之相对应的，在铜上生长出的石墨烯也具有了相同的图形，达到绝缘衬底图形化直接生长石墨烯的目的。本发明通过直接生长的工艺，避免了石墨烯转移工艺中石墨烯的损坏，成本较低，适合大规模批量生产石墨烯。
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公开(公告)号：CN106129210A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610460910.7
申请日：2016-06-22
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种电极下方有源区绝缘化的高光提取效率发光二极管，属于半导体光电子技术领域。该发光二极管包括P电极、电流扩展层、绝缘区、窗口层、上限制层、有源区、下限制层、缓冲层、N电极。通过离子注入的方法，注入深度达到有源区，能够使P电极下方的有源区绝缘，阻止了P电极正下方的电流输运，P电极流入的电流会横向扩展流入到周围的有源区，解决了P电极下方有源区发出的光被P电极阻挡和吸收的问题，改善了电流的扩展，提高了器件的光提取效率和发光强度。同时，采用本发明中有源区绝缘化的方法不会在器件表面产生台阶，不会影响器件的表面平整，提高了器件的可靠性。工艺简单、成本较低，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN105977786A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610500037.X
申请日：2016-06-29
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/0608
摘要： 本发明公开了低折射率介质支撑型高对比度光栅面发射激光器，利用外延生长技术和半导体平面微纳米加工工艺进行制作，在高对比度光栅层上加工制作出高对比度光栅以形成低折射率支撑型高对比度光栅面发射激光器结构。高对比度光栅相对于上DBR结构具有更高的反射率和更宽的反射带宽，能够为激光器激射提供足够的反射率，高的反射率有利于减小谐振腔损耗、降低器件阈值电流。宽的高反射率带宽更好的匹配谐振腔模式，降低器件加工制备难度、易于器件激射。低折射率介质支撑高对比度光栅结构由两层介质膜组成，且厚度只有几百纳米，相对于P型DBR的3μm‑5μm，有效的降低了器件外延难度。
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公开(公告)号：CN103280541B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310193868.3
申请日：2013-05-23
申请人： 北京工业大学
摘要： 一种在CVD石墨烯上制备柔性器件和柔性衬底的工艺方法，属于基于纳米碳（石墨烯）的柔性电子技术领域。在石墨烯层上制备柔性电子器件功能结构，石墨烯层是用CVD生长在金属催化剂衬底片上的，然后在柔性电子器件功能结构上制备柔性衬底；采用电化学鼓泡法使金属催化剂衬底片与石墨烯层分离：在电解槽中，将上述石墨烯的产品作为阴极，进行水的直流电解，在电解液的辅助下于阴极产生的氢气泡渗入金属催化剂衬底片与石墨烯层的界面间，最终分开；最后在表面涂覆石墨烯钝化层。本发明缩短了工艺流程、降低了成本，减小了对环境的重金属污染。
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