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公开(公告)号：CN1834271A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610076274.4
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜领域。含W量在3～5at.％的低W含量镍钨合金基带，虽有很好的立方织构，但在液氮温区具有很强的磁性，且机械强度较低。本发明步骤：将粒度为3～6微米Ni粉和W粉混合均匀，W的原子百分比为7.01％至9.5％；放电等离子烧结；800℃～1300℃，保温0～10分钟；30－80MPa；室温下对Ni－W板进行冷轧，采用3～8％的道次变形量；变形量每达到30～80％进行一次中间退火，温度300～800℃，退火0.5～6小时；总变形量大于95％；Ar混合H2气氛进行再结晶退火，温度1000～1400℃，退火0.5～3小时。本发明得到成分均匀、晶粒细小、W的原子百分比为7.01％至9.5％的Ni－W合金块，烧结过程简单快速，在液氮温区磁性低或没有、机械强度高。
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公开(公告)号：CN100371482C
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200610076274.4
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜领域。含W量在3～5at.%的低W含量镍钨合金基带，虽有很好的立方织构，但在液氮温区具有很强的磁性，且机械强度较低。本发明步骤：将粒度为3～6微米Ni粉和W粉混合均匀，W的原子百分比为7.01%至9.5%；放电等离子烧结；800℃～1300℃，保温0～10分钟；30-80MPa；室温下对Ni-W板进行冷轧，采用3～8%的道次变形量；变形量每达到30～80%进行一次中间退火，温度300～800℃，退火0.5～6小时；总变形量大于95%；Ar混合H2气氛进行再结晶退火，温度1000～1400℃，退火0.5～3小时。本发明得到成分均匀、晶粒细小、W的原子百分比为7.01%至9.5%的Ni-W合金块，烧结过程简单快速，在液氮温区磁性低或没有、机械强度高。
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公开(公告)号：CN1740357A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510104828.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。熔炼易造成W不均匀分布，浇铸易形成空洞，密度低，需后续热锻提高致密度，但引起材料表面氧化。粉末冶金周期长，温度高，晶粒粗大，密度低。本发明步骤：Ni粉和W粉，纯度99.9％以上，粒度为3～6微米，合金成分W的原子百分比为3～7％；混合均匀后装入模具中放电等离子烧结；温度800℃～1200℃，保温0～10分钟；压强30－80MPa；室温下对Ni－W板冷轧，道次变形量为5～15％，总变形量大于97％；用Ar混合H2气氛再结晶退火，H2体积百分比为4％，温度900～1300℃，退火0.5～3小时。本发明简单快速，得到成分均匀、晶粒细小的合金块，很强的单一组分{100} 再结晶织构的多晶Ni－W基带，用于沉积YBCO高温超导膜。
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公开(公告)号：CN100395076C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510105684.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属涂层高温超导制备领域。目前制备银带经过高温在结晶退火后非常软，且表面凹凸不平，给后续高温超导膜的制备带来很大难度，超导膜层无法均匀沉积在银基带上，超导长带的制备更为困难。本发明步骤：使用的银原材料为商业银铸锭，纯度为重量百分比99.9%～99.99%；采用真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，在银为液态的情况下保持高真空3～8×10-3Pa持续3～10分钟，然后浇铸成银坯，切成3.5mm-4.5mm厚的银板，脱气后的氧含量降至10～30ppm；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～20%，总变形量为92%～97%；采用三氟乙酸盐热分解法在冷轧银基带上沉积YBa2Cu3O7-δ超导膜。本发明可重复制备有较好双轴织构的超导膜，且超导膜非常平整，有较高的临界电流值。
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公开(公告)号：CN1743129A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510105684.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属涂层高温超导制备领域。目前制备银带经过高温在结晶退火后非常软，且表面凹凸不平，给后续高温超导膜的制备带来很大难度，超导膜层无法均匀沉积在银基带上，超导长带的制备更为困难。本发明步骤：使用的银原材料为商业银铸锭，纯度为重量百分比99.9％～99.99％；采用真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，在银为液态的情况下保持高真空3～8×10－3Pa持续3～10分钟，然后浇铸成银坯，切成3.5mm－4.5mm厚的银板，脱气后的氧含量降至10～30ppm；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～20％，总变形量为92％～97％；采用三氟乙酸盐热分解法在冷轧银基带上沉积YBa2Cu3O7－δ超导膜。本发明可重复制备有较好双轴织构的超导膜，且超导膜非常平整，有较高的临界电流值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1219907C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200310117045.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C22F1/14
Abstract: 一种多晶织构银基带制备方法，属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。本发明的制备方法，特征在于包括以下步骤：采用现有的真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，然后浇铸成银坯，切成3.5mm-4.5mm厚的银板；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～40%，总变形量为90～97%；700℃～920℃在空气、氩气、氧气或者氩气和体积百分比2～15%空气的混合气氛任选其一的气氛中退火0.5～10小时。经过研究发现以重复制备具有很强单组分{110} 双轴织构；在氩气和体积百分比2～15%空气的混合气氛中退火还可以得到具有平整表面的银基带。制出的银带进行表面处理后，采用三氟乙酸盐热分解法制备超导薄膜，制备出成分单一，高度c-轴取向及良好面内取向的薄膜。
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公开(公告)号：CN1546717A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310117045.9
申请日：2003-12-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C22F1/14
Abstract: 一种多晶织构银基带制备方法，属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。本发明的制备方法，特征在于包括以下步骤：采用现有的真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，然后浇铸成银坯，切成3.5mm－4.5mm厚的银板；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～40％，总变形量为90～97％；700℃～920℃在空气、氩气、氧气或者氩气和体积百分比2～15％空气的混合气氛任选其一的气氛中退火0.5～10小时。经过研究发现以重复制备具有很强单组分{110} 双轴织构；在氩气和体积百分比2～15％空气的混合气氛中退火还可以得到具有平整表面的银基带。制出的银带进行表面处理后，采用三氟乙酸盐热分解法制备超导薄膜，制备出成分单一，高度c－轴取向及良好面内取向的薄膜。
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公开(公告)号：CN1076126C
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN99107453.X
申请日：1999-05-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L39/24
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明涉及一种多晶织构银基带的制造方法，属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。本发明提供的单组分｛110｝双轴织构银基带的制造方法，采用冷轧及再结晶退火的方法；单组分立方织构银基带的制造方法，采用温轧及再结晶退火的方法，都可得到多晶织构银基带。采用上述银带为基带，进行表面清洗后，采用准分子激光方法在其上直接沉积超导薄膜。
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公开(公告)号：CN100519174C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610066447.4
申请日：2006-03-31
Applicant: 北京工业大学
IPC: B32B15/01 , C22C19/03 , B22F7/02 , B21B1/28 , B21B37/00 , C22F1/10 , C21D1/26 , C21D11/00 , C21D9/52 , H01B12/06
Abstract: 本发明属高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。目前Ni合金基带制备过程复杂；结合部易分开；且只能采用两种延伸率基本相等的合金进行复合。本发明先设计复合带的结构：表面层使用含W量较低的镍钨合金，下层或中间层采用无磁性的合金：使用粒度为1～10微米的Ni粉、W粉、Cr粉和V粉为原材料，均匀混合，然后按设计的复合带的结构向模具中装入粉末，进行烧结成复合Ni合金板，烧结温度为800℃～1400℃，保温3分钟～30小时；冷轧，道次变形量为5～15%，总变形量大于96%；采用H2的体积百分比为4～7%的Ar混合H2气氛进行再结晶退火，退火温度800～1400℃，退火时间为0.5～3小时。本发明过程简单，层与层冶金结合，得到表面有很强的立方织构，磁性又较低，可用于沉积YBCO高温超导膜。
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公开(公告)号：CN1312301C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510104828.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。熔炼易造成W不均匀分布，浇铸易形成空洞，密度低，需后续热锻提高致密度，但引起材料表面氧化。粉末冶金周期长，温度高，晶粒粗大，密度低。本发明步骤：Ni粉和W粉，纯度99.9%以上，粒度为3～6微米，合金成分W的原子百分比为3～7%；混合均匀后装入模具中放电等离子烧结；温度800℃～1200℃，保温0～10分钟；压强30-80MPa；室温下冷轧，道次变形量为5～15%，总变形量为97%及其以上；用Ar混合H2气氛再结晶退火，H2体积百分比为4%，温度900～1300℃，退火0.5～3小时。本发明简单快速，得到成分均匀、晶粒细小的合金块，很强的单一组分{100} 再结晶织构的多晶Ni-W基带，用于沉积YBCO高温超导膜。
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