一种短肽-二氧化钛纳米管光电转换器件及制备方法

    公开(公告)号:CN115852433A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211609619.3

    申请日:2022-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种短肽‑二氧化钛纳米管光电转换器件,包括改性短肽分子序列和二氧化钛纳米管阵列,所述改性短肽分子序列形成的凝胶修饰在所述二氧化钛纳米管阵列的表面,所述改性短肽分子序列包括光响应染料基团和氨基酸短肽分子序列,所述光响应染料基团为包含芳香环的可见光响应染料分子基团,所述芳香环通过亚烷基与氨基或羧基相连接,所述氨基或羧基与所述氨基酸短肽分子序列末端的氨基或羧基形成肽键。本发明采用上述结构的一种短肽‑二氧化钛纳米管光电转换器件及制备方法,将有机短肽自组装体与无机低维二氧化钛纳米材料进行复合。

    一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN117661022A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311680121.0

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法,属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法在钨板上制备出纳米多孔三氧化钨薄膜,然后将其浸入含三聚氰胺的乙二醇溶液中30min,随后将其转移至管式炉,在700℃‑1000℃的Ar气氛下碳氮化1‑3h,最终得到膜层厚度为400±50nm的含有碳氮化钨异质结薄膜。碳氮化钨异质结薄膜可有效降低材料禁带宽度,电导率增强15倍,并兼具有多活性位点和高耐酸碱腐蚀等功能特性。此外,在异质结处存在不同程度的位错和畸变,用于增强半导体材料电子与空穴的分离,有益于电子从价带导带跃迁到导带。综合来说,能够较好的满足电催化领域的应用需求。

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