一种连续雾化进样的聚合物合成反应装置

    公开(公告)号:CN115845775A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211669284.4

    申请日:2022-12-24

    Abstract: 本发明公开了一种连续雾化进样的聚合物合成反应装置,涉及化学反应合成装置领域。该装置由具有加热搅拌及气氛保护的反应部分和连续雾化进样部分组成,反应所需的雾化溶剂通过一定压力的气体连续吹入反应装置。该装置可保证在惰性气氛条件下,高温合成的过程中添加溶剂或反应物的安全性,通过气相吹扫带动连续雾化进样的方式可以减小进样时反应体系的温度变化,并使反应物与溶剂可以充分混合,调节进气量和雾化量可以控制溶剂或反应物的进样速率,进一步控制反应的速率,本发明在制备效率、合成安全性、反应条件控制等方面具有优势。

    一种轴承钢表面固载二硫化钼薄膜的方法

    公开(公告)号:CN114351103A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202111536447.7

    申请日:2021-12-14

    Abstract: 一种轴承钢表面固载二硫化钼薄膜的方法,属于金属材料表面改性技术领域。首先使用脉冲激光器在轴承钢表面制备微孔阵列,然后利用射频磁控溅射技术将MoS2固体润滑剂引入到轴承钢表面。经固载后的轴承钢表面的摩擦系数最低可降至0.10,远低于光滑表面轴承钢的摩擦系数1.10。固体润滑剂沉积在轴承钢表面,摩擦失效时间为198.66分钟,光滑轴承钢表面摩擦时间失效时间为15.66分钟。本发明提供的轴承钢表面微孔固载MoS2的技术,可以大幅降低轴承钢表面的摩擦系数,提高固体润滑材料的稳定性。

    一种正极抗波动干扰的三电极金属空气电池测试模具

    公开(公告)号:CN109655752A

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201811575836.9

    申请日:2018-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种正极抗波动干扰的三电极金属空气电池测试模具,该模具包括对电极导线(1)、对电极胶塞(2)、三口烧瓶(3)、对电极(4)、参比电极导线(5)、参比电极胶塞(6)、参比电极(7)、工作电极导线(8)、通气导管(9)、工作电极套管(10)、工作电极组件(11)、通入气相气泡(12)和电解液(13)。本发明以传统三口烧瓶为模具基础,设计一种利用漂浮原理抗因气体通入导致液面波动的工作电极,装置结构简单,可以常压操作,防止高压条件下电解液泄漏。通入空气与与反应界面可充分接触,增大测试效率。同时采用工作电极套管的设计,保护对电极及参比电极,也可收集剩余气体。

    浮区法生长莫来石晶体的方法

    公开(公告)号:CN103806103A

    公开(公告)日:2014-05-21

    申请号:CN201410025472.2

    申请日:2014-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种浮区法生长莫来石晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料Al2O3和SiO2按照化学计量比进行配料;将配制的混合料进行球磨、烘干、过筛、预烧、再次过筛;然后将粉料压制成棒状的料棒;将制得的料棒经过马弗炉烧结后得到致密均匀的多晶棒;将多晶棒放入浮区炉中,50~100℃/min的速率升温至料棒和籽晶开始融化,对接,使熔区稳定3~5分钟后,设置晶体生长速度为2~10mm/h,开始晶体生长;生长结束后,设置降温参数冷却至室温。本发明首次用浮区法生长出无宏观缺陷的莫来石晶体,成晶质量高,生长速度快。

    一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法

    公开(公告)号:CN102912438A

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN201210353144.6

    申请日:2012-09-20

    Abstract: 一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法,属于Ti:Ta2O5晶体生长领域。先将TiO2和Ta2O5粉料混合球磨、预烧,压制成棒状的多晶棒;将多晶棒分别作为料棒和籽晶安装在单晶炉中,设置升温速率,进行晶体生长,设置降温时间,将生长完的晶体冷却至室温。本发明方法是一种快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ti:Ta2O5晶体的无坩埚生长技术。

    一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法

    公开(公告)号:CN102115911B

    公开(公告)日:2012-08-15

    申请号:CN201110068628.1

    申请日:2011-03-22

    Abstract: 本发明公开了一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法,属于蓝宝石晶体生长领域,包括以下步骤:用高纯原料Al2O3、FeTiO3和Fe2O3制备多晶棒;将多晶棒放入晶体生长炉中,并套上石英管,向其中通入氧气或氩气到一定压力,关闭气体阀门;用0.5-1h升温至料棒和籽晶融化,设置晶体生长速度进行晶体生长;将生长完的晶体冷却至室温;打开气体阀门,气体放出至正常大气压。本发明生长的蓝宝石晶体尺寸大、无宏观缺陷,颜色更加均匀,晶体质量得到提高。

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