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公开(公告)号：CN115589756A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211086366.6
申请日：2022-09-06
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种原位大面积制备图形化石墨烯的工艺方法，首先在金属箔背面以及衬底表面分别制备金属箔接触层和衬底接触层，使用压合机将金属箔和衬底的接触层在一定的温度和压力条件下进行压合。压合后的金属箔的衬底被置于多温区独立调控的热CVD系统中进行低温生长石墨烯，对压合在衬底上的单晶金属箔上原位生长的石墨烯直接进行图形化光刻，并依次通过干法刻蚀和自对准湿法刻蚀工艺，依次实现石墨烯膜层固定，石墨烯图形化以及金属箔和接触膜层的去除，通过去除石墨烯上的光刻胶和PMMA实现在衬底上原位制备图形化石墨烯。该方法适用于石墨烯基在大面积衬底上的低温免转移制备，有利于推进石墨烯的商业化广泛应用。
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