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公开(公告)号：CN110491895B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910668693.4
申请日：2019-07-23
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了NP电极共平面倒装Micro‑LED微显示阵列及制作方法，包括电致发光阵列、倒装结合层、阵列倒装基板；电致发光阵列包括：像素单元、像素单元隔离槽、衬底；像素单元包括：N型半导体、有源区、P型半导体、绝缘层、N型电极、P型电极；阵列倒装基板包括：基板衬底、P电极互连线，N电极互连线、绝缘层。对外延材料进行干法刻蚀至N型半导体得到电极沟槽，并将像素单元隔离成两部分，然后生长绝缘层对电极沟槽侧壁进行保护，再溅射电极。使用干法刻蚀至衬底得到像素隔离槽，实现相邻像素电隔离。本发明采用倒装加共晶焊\回流焊方式可以提高芯片金属电极与下基板接触面积，从而提高热传导效率和机械强度。
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公开(公告)号：CN114242816A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111567328.8
申请日：2021-12-20
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种单分子层表面改性的InGaAs纳米线光电探测器及制备方法，该光电探测器的结构从下至上依次是：表面有SiO2氧化层的掺硼p型硅片作为器件的衬底；单分子层表面改性处理的InGaAs纳米线作为器件的光吸收和电子传输沟道；纳米线两侧镍电极连接外部电源。在器件的制备过程中通过简单的单分子层表面改性处理来提高对纳米线表面态的操控能力，该方法可以有效调节纳米线的电子转移性能，提高InGaAs纳米线光电探测器的光电性能和稳定性，有助于获得高响应率、高稳定性的InGaAs纳米线探测器。其制备工艺成熟、简单、可重复，在光电器件、探测器和柔性器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114242816B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202111567328.8
申请日：2021-12-20
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/113 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种单分子层表面改性的InGaAs纳米线光电探测器及制备方法，该光电探测器的结构从下至上依次是：表面有SiO2氧化层的掺硼p型硅片作为器件的衬底；单分子层表面改性处理的InGaAs纳米线作为器件的光吸收和电子传输沟道；纳米线两侧镍电极连接外部电源。在器件的制备过程中通过简单的单分子层表面改性处理来提高对纳米线表面态的操控能力，该方法可以有效调节纳米线的电子转移性能，提高InGaAs纳米线光电探测器的光电性能和稳定性，有助于获得高响应率、高稳定性的InGaAs纳米线探测器。其制备工艺成熟、简单、可重复，在光电器件、探测器和柔性器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN118099264A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410279385.3
申请日：2024-03-12
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 一种提高突触性能的InGaAs纳米线人工突触器件及制备方法，属于半导体光电集成领域。在Si/SiO2衬底上滴涂一层InGaAs纳米线，通过光刻工艺制备源漏电极，使得在源漏电极之间有一条InGaAs纳米线连接源漏电极，通过剥离之后制备出人工突触器件，InGaAs纳米线表面有一层S元素钝化的钝化层。采用硫钝化处理降低纳米线表面态的纳米线人工突触器件，显著提高其脉冲刺激下的突触性能和突触可塑性。其制备工艺成熟、简单、高效，能够应用于大规模器件制备，在光电器件、探测器和人工突触器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN110491895A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910668693.4
申请日：2019-07-23
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了NP电极共平面倒装Micro-LED微显示阵列及制作方法，包括电致发光阵列、倒装结合层、阵列倒装基板；电致发光阵列包括：像素单元、像素单元隔离槽、衬底；像素单元包括：N型半导体、有源区、P型半导体、绝缘层、N型电极、P型电极；阵列倒装基板包括：基板衬底、P电极互连线，N电极互连线、绝缘层。对外延材料进行干法刻蚀至N型半导体得到电极沟槽，并将像素单元隔离成两部分，然后生长绝缘层对电极沟槽侧壁进行保护，再溅射电极。使用干法刻蚀至衬底得到像素隔离槽，实现相邻像素电隔离。本发明采用倒装加共晶焊\回流焊方式可以提高芯片金属电极与下基板接触面积，从而提高热传导效率和机械强度。
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