-
公开(公告)号：CN110808315A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910947276.3
申请日：2019-09-29
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了一种增加GaN Micro-LED颜色转换效率的方法，在P型GaN表面刻孔至有源区，使用Ag纳米颗粒和发光量子点进行填充；该方法是将P型台面压印出一个个圆形孔洞图形并将其刻蚀至有源区，在孔洞内填充发光量子点的同时填充金属Ag量子点，实现金属Ag量子点与有源区进行共振，从而实现增加颜色转换效率的功能。本发明减少了有源区的能量损耗，同时金属量子点跟有源区的近距离接触，使得两者之间共振增加，有利于增加有源区的能量提取效率。将两者充分结合，GaN Micro-LED使得颜色转换效率大大增加。
-
公开(公告)号：CN105836733A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610144523.2
申请日：2016-03-14
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C01P2002/82
摘要： 一种改善非金属衬底上直接生长的石墨烯质量的方法，属于半导体材料生长领域。首先利用化学气相沉积法在非金属衬底上生长一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上溅射一层薄金属层，将生长有薄金属层的衬底再次进行石墨烯薄膜的CVD生长，生长完成后去除表面石墨烯薄膜与金属层。本发明改善了非金属衬底上直接生长的石墨烯的质量，经过再次催化生长后，石墨烯薄膜的质量和性能均得到了显著提升。
-
公开(公告)号：CN104900745A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510276391.4
申请日：2015-05-26
申请人： 北京工业大学
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/10 , H01L31/1804
摘要： 本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，使栅极电压发生改变，导致高电子迁移率晶体管内部的二维电子气产生或浓度发生变化，从而使高电子迁移率晶体管的沟道电流发生变化，使光波信号转变为电信号，实现对光辐射的高灵敏度探测。
-
公开(公告)号：CN102545052B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/22
摘要： 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
-
公开(公告)号：CN102927469B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201210427860.4
申请日：2012-10-31
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： F21S2/00 , F21V29/00 , F21Y101/02
摘要： 本发明提供了一种LED的散热灯具，涉及半导体光电子器件技术领域，具体包括LED芯片（11），金属基片（12），散热板（13），散热片（14），U形玻璃容器（15），导热液（16）以及绝缘胶（23），在出光侧的U形玻璃容器具内充有导热液，导热液与LED芯片之间具有绝缘胶隔离。本发明所要解决的技术问题是提供一种LED的散热灯具，有效解决LED灯具出光侧散热不足的问题。
-
公开(公告)号：CN102570294A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210009274.8
申请日：2012-01-12
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01S5/028
摘要： 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下，提高光学灾变阈值，降低激光器退化速率，延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导体激光器芯片解理成Ba条，此过程通入高纯氮气作为保护气体，使整个解理过程处在高纯氮气的氛围中，减少解理后新鲜腔面悬挂键。解理后，迅速把激光器芯片Bar条放入真空镀膜机，用氮离子进行腔面深度钝化，形成GaN钝化层，再用氢离子去除氮钝化生成无用杂质。在半导体激光器形成GaN钝化层后在前后腔面分别进行增透膜和高反膜镀制。此技术方案可应用于各类大功率半导体激光器制造。
-
公开(公告)号：CN110491895B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201910668693.4
申请日：2019-07-23
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明公开了NP电极共平面倒装Micro‑LED微显示阵列及制作方法，包括电致发光阵列、倒装结合层、阵列倒装基板；电致发光阵列包括：像素单元、像素单元隔离槽、衬底；像素单元包括：N型半导体、有源区、P型半导体、绝缘层、N型电极、P型电极；阵列倒装基板包括：基板衬底、P电极互连线，N电极互连线、绝缘层。对外延材料进行干法刻蚀至N型半导体得到电极沟槽，并将像素单元隔离成两部分，然后生长绝缘层对电极沟槽侧壁进行保护，再溅射电极。使用干法刻蚀至衬底得到像素隔离槽，实现相邻像素电隔离。本发明采用倒装加共晶焊\回流焊方式可以提高芯片金属电极与下基板接触面积，从而提高热传导效率和机械强度。
-
公开(公告)号：CN112436832A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011168045.1
申请日：2020-10-28
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H03K17/785 , H01L25/16
摘要： 本发明公开了一种基于氮化镓材料的光继电器，整个光继电器内部器件的制备方式是是氮化镓发光器件、氮化镓光电转换器件和氮化镓高电子迁移率晶体管制备于三个独立芯片，而后进行封装集成；相比较传统基于Si基器件的半导体继电器来说，基于GaN材料的器件光电转化效率高、器件响应速度提高，同时拥有了更高的击穿电压。此外，本发明还将GaN基发光和光电转换器件集成于同一衬底上以及将发光器件、光电转换器件、高电子迁移率晶体管集成在同一衬底上并进行封装，这提高了器件性能，减少了集成封装步骤，同时减小了光电继电器的体积。
-
公开(公告)号：CN102820316B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201210316704.0
申请日：2012-08-30
申请人： 北京工业大学
摘要： 本发明涉及一种LED微显示阵列及其制备方法，属半导体照明技术领域，其包括衬底外延片、半导体矩阵隔离区、插入层、电子型导电层、发光层、空穴型导电层、电子型导电电极、空穴型导电电极、隔离保护层、阳极线、阴极线。采用干法刻蚀外延层得到电子型导电层，半导体矩阵单元阵列；干法刻蚀电子型导电层，直至插入层，实现相邻单元的隔离，获得半导体矩阵隔离区；形成电子型导电电极，引出阴极线；淀积隔离保护层；形成空穴型导电电极，引出阳极线；阳极线与阴极线的在空间上交叉的区域即为显示像素。本发明采用外延生长插入层的方法实现隔离，降低干法刻蚀实现深隔离沟槽带来的工艺难度以及由此引起的漏电问题，减小隔离沟槽深度，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN104409463A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410643683.2
申请日：2014-11-09
申请人： 北京工业大学
IPC分类号： H01L27/144
摘要： 本发明用于半导体光电子领域，涉及一种基于HEMT结构调制沟道电流的光探测器。本探测器包括：处于最下方的具有HEMT器件结构的半导体层；在HEMT栅电极位置处沉积一层光感应层；沉积在光感应层上的一层金属电极层；在栅电极两侧具有源电极和漏电极；光辐射穿过具有HEMT器件结构的半导体层入射到栅极光感应层上，光感应层产生热释电效应或者光伏效应，引起光感应层表面电荷分布变化，从而诱导与光感应层接触的半导体层表面的电荷分布发生改变，进而引起半导体层内部极化场强的改变，导致二维电子气(2DEG)的变化，使得输出电流发生改变，最终使输入的光辐射信号转换成变化的电流信号输出，完成光辐射的探测。本发明具有较高的探测率，工作于室温，方便使用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
57 条记录 (耗时 0.027 秒)
